欧美精品一二区,性欧美一级,国产免费一区成人漫画,草久久久久,欧美性猛交ⅹxxx乱大交免费,欧美精品另类,香蕉视频免费播放

LTPS制程與技術(shù)發(fā)展

上傳人:san****019 文檔編號:16508606 上傳時間:2020-10-04 格式:PPT 頁數(shù):59 大?。?.74MB
收藏 版權(quán)申訴 舉報 下載
LTPS制程與技術(shù)發(fā)展_第1頁
第1頁 / 共59頁
LTPS制程與技術(shù)發(fā)展_第2頁
第2頁 / 共59頁
LTPS制程與技術(shù)發(fā)展_第3頁
第3頁 / 共59頁

下載文檔到電腦,查找使用更方便

14.9 積分

下載資源

還剩頁未讀,繼續(xù)閱讀

資源描述:

《LTPS制程與技術(shù)發(fā)展》由會員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《LTPS制程與技術(shù)發(fā)展(59頁珍藏版)》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。

1、第8章,LTPS製程與技術(shù)發(fā)展,前言,低溫多晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT LCD),乃指其TFT中之半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶形態(tài)是多結(jié)晶(Polycrystalline),並非是非結(jié)晶(Amorphous)的。,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,Poly-Si/-Si特性比較,-Si TFT LCD的結(jié)構(gòu)簡單化和畫面高精細(xì)化。 P-Si TFT LCD是崁入不同功能的IC於玻璃基板上,減少模組工程上所使用IC的數(shù)量,換言之,模組接點減少,可靠度提升。,資料來源:工研院電子

2、所,資料來源:工研院電子所,LTPS TFT LCD的特點,LTPS TFT LCD的特點,還有 載體的移動度(Mobility)為非晶矽的300倍 低耗電 高亮度 高解析度 輕薄短小 高品質(zhì) 完美的系統(tǒng)整合,LTPS TFT LCD的前段製程,,陣列電路設(shè)計(1),LTPS TFT周邊電路的設(shè)計必須崁入主陣列電路,整合於同一片基板玻璃上 可以減少半導(dǎo)體零組件的使用數(shù)量 可以減少後段工程組合時接著點的數(shù)目 使結(jié)構(gòu)簡單化和工程可靠度提高,陣列電路設(shè)計(2),整體電路設(shè)計時,應(yīng)考慮低耗電量 耗電量的值(P)是與 頻率(f) 電容(C) 電壓平方(V)成比例關(guān)係,陣列電路設(shè)計(3),電容值減低的對策

3、 信號線(Busline)的線幅寬細(xì)線化 TFT的小型化 低電壓的對策 使啟動電壓減低,唯一方法是開發(fā)出新的驅(qū)動法並使驅(qū)動電壓減低 頻率減低的對策 使相對應(yīng)於影像畫面產(chǎn)生變化,促使驅(qū)動頻率變化,達(dá)到低耗電化,陣列電路設(shè)計(4),以一般TFT通道寬度(52m)和通道長度(12m),及閘氧化膜的厚度tox=3,500A為代表性元件。,陣列電路製程(1),大部分TFT LCD製造公司之LTPS TFT-LCD製程,是採行 頂部閘極(Top-Gate)的TFT電路結(jié)構(gòu) 互補式金氧半(CMOS)的驅(qū)動電路設(shè)計 目前主流製程是需5道光罩,陣列電路製程(2),Poly-Si薄膜形成方法,有 IC製程的高溫製

4、程法 使用的玻璃基板材料是耐熱性優(yōu)且價格較貴的石英玻璃(Quartz)(尺寸限於150mm/200mm) 利用雷射退火技術(shù)的低溫製程法 使用與-Si TFT相同的不含鹼性離子之玻璃基板,陣列電路製程(3),高溫製程或低溫製程的使用,取決於矽薄膜形成之源極和汲極工程中之摻雜(Doping)工程而定。,陣列電路製程(4),與-Si TFT製程相比較,大部分的步驟是相類似的 Poly-Si TFT的特徵,有 低溫雷射退火的結(jié)晶化技術(shù)(Laser Annealing Crystallization) 低溫?fù)诫s汲極技術(shù)(Lightly Doping Drain,LDD) 氫化處理技術(shù)(Hydrogen

5、eration),陣列電路製程(5),氫化處理的目的在於 使矽原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵,能與氫原子結(jié)合而使其呈飽和狀態(tài) 可獲得高的載體移動度 使電子訊號的傳送速度變快 動態(tài)畫質(zhì)顯示清晰明亮。,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(1),標(biāo)準(zhǔn)化製作過程約需要六項光罩步驟。 陣列電路設(shè)計工程:包含有 TFT陣列電路圖案(Pattern) 彩色濾光片圖案 配向膜圖案 封合圖案等規(guī)劃與設(shè)計,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(2),光罩製作工程: 使用電子束描繪裝置(Electron Beam Lithography System)製作出主光罩(Master Mask) 再利用微影技術(shù)(Lith

6、ography)複製工程用光罩網(wǎng)版,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(3),透明玻璃基板加工工程: 一定尺寸規(guī)格要求所做的切割加工 表面精密度和平坦度的要求所進(jìn)行的研磨加工,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(4),洗淨(jìng)工程:分為 陣列工程前 液晶胞工程前 液晶胞工程後等三大類,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(5),矽薄膜形成工程: 在玻璃或石英玻璃上,TFT電路通道(Channel)部分的形成方法,是使用濺鍍(Sputtering)裝置和低壓化學(xué)氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LP-CVD)裝置,將-Si薄膜堆積於上 再利用結(jié)晶化退火技術(shù)的加熱爐退火法或雷射光雷射退火,將其多結(jié)晶化處理,標(biāo)

7、準(zhǔn)化製作過程(6),微影曝光工程: 利用輥輪被覆式(Roll Coater)或旋轉(zhuǎn)被覆式(Spin Coater) 塗佈光阻劑於光罩基板(Mask Blank)後作烘焙處理(Baking) 將光罩基板上的膜面圖案予以曝光微影和顯影處理,形成所需要的圖案,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(7),蝕刻工程: 在CF和TFT基板上,形成之金屬膜、絕緣膜和半導(dǎo)體膜等過程中作為光罩圖案 所使用的光阻劑必須利用乾式(Dry)或濕式(Wet)蝕刻裝置進(jìn)行加工處理,再利用濕式剝離裝置(Wet-Type Resist Stripping System)將所剩之光阻劑,予以剝離處理並進(jìn)行圖案的檢驗工作,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(8),閘極形

8、成工程: Poly-Si TFT元件之閘極部分的形成工程 在Poly-Si薄膜上利用 CVD或熱氧化法(Heat Oxidation),將絕緣性SiO2薄膜形成於上,再利用CVD將閘電極功能的Poly-Si薄膜堆積其上,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(9),雷射退火結(jié)晶化技術(shù): 低溫Poly-Si結(jié)晶化的技術(shù)主要是準(zhǔn)分子雷射退火法(ELA),資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(10),摻雜工程: 為了Poly-Si薄膜之源極和汲極層的低電阻化,及使關(guān)閉(Off)電壓值提高,導(dǎo)入高濃度不純物的工程 方法: 先利用離子植入裝置、雷射摻雜裝置和電漿摻雜裝置 再將不

9、純物的原子導(dǎo)入,再利用熱或雷射能量將不純物原子予以活性化。,資料來源:工研院電子所,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(11),金屬電極膜形成工程: 配線和電極材料的選用,以鉬(Mo)、鉭(Ta)、鉻(Cr)和鋁(Al)等金屬導(dǎo)電膜為主 製程以濺鍍法為主流,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(12),氫化工程: 為提升Poly-Si TFT之 I-V特性關(guān)係 將TFT通道區(qū)域的Poly-Si層之未飽和鍵與氫鍵結(jié)合後呈飽和狀態(tài),促使電場效應(yīng)移動度的提升 一般使用 氫退火爐裝置 電漿氫裝置:所得之活性化氫原子最有效,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(13),透明電極形成工程: 把開關(guān)(Switching)元

10、件所傳送之電壓信號,傳送於LC畫像素電極和CF端的共通電極上 共通電極材料,是利用濺鍍法將ITO透明導(dǎo)電薄膜形成於上,並經(jīng)由微影、蝕刻工程製作成所需圖案,LTPS TFT LCD的後段製程,,液晶胞製程(1),洗淨(jìng)工程: 洗淨(jìng)技術(shù)有使用藥液、機(jī)能水和紫外線臭氣、毛刷、超音波、超高音波(Mega Sonic)和高壓噴洗等,其中以純水洗淨(jìng)為主 為了去除過剩的水並達(dá)到乾燥,有旋轉(zhuǎn)乾燥法和空氣刀乾燥法,液晶胞製程(2),配向模形成工程: 配向模是有機(jī)薄膜的材料,施以面磨處理,使其上之液晶分子產(chǎn)生配向排列作用 一般配向膜厚度在5001,000 使用的配向膜材料有聚胺酸(Polyamic Acid)和聚醯

11、胺(Polyimide),以聚醯胺類為主 利用凹凸印刷方式將數(shù)百厚度的配向?qū)有纬善渖?,並在200-250進(jìn)行熱硬化處理,液晶胞製程(3),面磨配向(Lapping)處理工程: 為使配向?qū)佑幸欢ǖ姆较蛐耘帕?,利用附有毛布的圓筒狀輥輪來回旋轉(zhuǎn),液晶胞製程(4),封合劑印刷形成工程: 經(jīng)配向面磨處理後之Array下基板和CF上基板,任選其中一片基板之週邊封合部,將熱硬化型或紫外線硬化型環(huán)氧樹脂類的接著劑以網(wǎng)版印刷法或散佈法塗佈上去,然後進(jìn)行100C左右的烘焙處理。,液晶胞製程(5),間隔物(Spacer)散佈工程: 使上下兩片基板保持於5-7m的液晶胞間隙,以便後續(xù)液晶胞注入工程進(jìn)行。,液晶胞製程(

12、6),貼合附著工程: 封合部分的形成和間隔物的散布等處理後之Array下基板及CF上基板,就其相互間預(yù)先設(shè)定之對應(yīng)電極進(jìn)行對位處理(利用光學(xué)式精密對位) 將其相互進(jìn)行一邊加壓一邊加熱,或照射紫外線使其貼合緊密並達(dá)到硬化處理,液晶胞製程(7),分割切斷工程:貼合硬化後的每片基板進(jìn)行多片式的分割和切斷處理,使其成為每一單片的面板半成品。,液晶胞製程(8),液晶注入和封止工程: 將每一單片面板的半成品之間隙空間抽成低壓真空狀態(tài) 將其置入盛有液晶材料的液晶皿容器內(nèi) 藉由外界常壓的作用,利用毛細(xì)管現(xiàn)象將液晶材料填充於液晶胞的間隙空間內(nèi) 然後於注入口處塗佈上紫外線硬化型樹脂類的接著劑,並以熱或紫外線照射進(jìn)

13、行硬化和封合作用,液晶胞製程(9),偏光膜貼合附著工程: 外側(cè)分別貼合附著上 具有偏光作用的偏光膜 特殊性光學(xué)補償膜 增強功能性的光學(xué)薄膜,液晶胞製程(10),點燈檢查工程:進(jìn)行 人工目視檢查 自動化精密儀器檢查 使產(chǎn)出的最終成品是無缺陷的,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,資料來源:工研院電子所,專有名詞(1),準(zhǔn)分子雷射(Excimer Laser): 準(zhǔn)分子是激發(fā)態(tài)的雙量體(Dimer),Excimer為Excited Dimer的英文縮寫 稀有氣體處於能量基態(tài)時是未結(jié)合的原子,當(dāng)形成激態(tài)時,則於一定時

14、間內(nèi)形成安定的結(jié)合狀態(tài),然後將釋放出某一波長光而轉(zhuǎn)換至基態(tài),在紫外光線的波長區(qū)域,產(chǎn)生高效率的雷射共振,專有名詞(2),低溫多晶矽(Low Temperature Poly Silicon,LTPS):是在600C或更低的溫度下經(jīng)由雷射退火的製程,形成多結(jié)晶狀態(tài)的矽薄膜。 再結(jié)晶(Recrystallization):多結(jié)晶物體中,結(jié)晶粒隨著時間而與其他結(jié)晶粒相互融合,進(jìn)而減少了整個的結(jié)晶粒數(shù)量,並促使其結(jié)晶粒的顆粒變大的,此種現(xiàn)象稱為再結(jié)晶,專有名詞(3),離子植入(Ion Implantation):施加10keV以上的高電子伏特能量的離子,並使其入射於固體晶格中,使與晶格中的中性原子(原子核及電子)產(chǎn)生衝突而損失能量,進(jìn)而順利植入固體晶格中的一種物理現(xiàn)象。 液晶注入技術(shù)(LC Injection):利用減壓或增壓方式,將液晶材料導(dǎo)入兩片玻璃基板間的一種工程。,

展開閱讀全文
溫馨提示:
1: 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
2: 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
3.本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
5. 裝配圖網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

相關(guān)資源

更多
正為您匹配相似的精品文檔

相關(guān)搜索

關(guān)于我們 - 網(wǎng)站聲明 - 網(wǎng)站地圖 - 資源地圖 - 友情鏈接 - 網(wǎng)站客服 - 聯(lián)系我們

copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 裝配圖網(wǎng)版權(quán)所有   聯(lián)系電話:18123376007

備案號:ICP2024067431-1 川公網(wǎng)安備51140202000466號


本站為文檔C2C交易模式,即用戶上傳的文檔直接被用戶下載,本站只是中間服務(wù)平臺,本站所有文檔下載所得的收益歸上傳人(含作者)所有。裝配圖網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對上載內(nèi)容本身不做任何修改或編輯。若文檔所含內(nèi)容侵犯了您的版權(quán)或隱私,請立即通知裝配圖網(wǎng),我們立即給予刪除!