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1、電 池 生 產(chǎn) 工 藝 光 伏 行 業(yè) 產(chǎn) 業(yè) 鏈 光 伏 行 業(yè) 產(chǎn) 業(yè) 鏈 中 國(guó) 的 光 伏 行 業(yè) 產(chǎn) 業(yè) 鏈 中 國(guó) 的 光 伏 行 業(yè) 產(chǎn) 業(yè) 鏈 原 料 硅 提 純 -廢 料 回 收 程 序 硅 材 料 單 晶 硅 硅 棒 CZ法FZ法多 晶 硅 硅 錠 澆 鑄熱 交 換 法 及 （ HEM）布 里 曼 法（ Bridgeman）電 磁 鑄 錠 法 生 產(chǎn) 方 法 單 晶 和 多 晶 硅 錠 的 生 長(zhǎng) 方 法 比 較o 總 體 來(lái) 說(shuō) ， 單 晶 和 多 晶 硅 錠 的 生 長(zhǎng) 方 法 各 有所 長(zhǎng) ， 單 晶 的 轉(zhuǎn) 換 效 率 高 ， 但 產(chǎn) 能 低 、 能 耗大 ； 多

2、晶 的 轉(zhuǎn) 換 效 率 相 對(duì) 較 低 ， 但 能 耗 低 、產(chǎn) 能 大 ， 適 合 于 規(guī) 模 化 生 產(chǎn) 。 單 晶 的 FZ及CZ方 法 與 多 晶 定 向 凝 固 生 長(zhǎng) 方 法 的 比 較 如下 表 所 示 。 拉 棒 -生 長(zhǎng) 爐 拉 棒 -長(zhǎng) 晶 過(guò) 程 鑄 錠o 將 硅 原 料 放 入 去 處 不 純 物 的 融 池 內(nèi) 進(jìn) 行 融 鑄,待 冷 卻 后 形 成 安 定 狀 態(tài) 的 多 結(jié) 晶 柱 體 ,我 們稱 之 為 鑄 錠 。 硅 錠 多 晶 硅 硅 錠 鑄 錠 設(shè) 備 供 應(yīng) 商 o 破 錠 硅 片 切 割 硅 片 生 產(chǎn) -單 晶 多 晶 硅 硅 片 加 工 工 藝 流

3、 程 硅 片 生 產(chǎn) 多 晶 硅 片 目 前 晶 體 硅 太 陽(yáng) 電 池 硅 片 分 為 單 晶 硅 硅 片 和多 晶 硅 硅 片 。 單 晶 硅 主 要 是 125 125mm。 多 晶 硅 主 要 是 125 125mm和156 156mm兩 種 規(guī) 格 。 單 晶 硅 硅 片 多 晶 硅 硅 片 外 觀 區(qū) 別o 多 晶 硅 硅 片 相 對(duì) 于 單 晶 硅 硅 片 ， 有 明 顯 的 多晶 特 性 ， 表 面 有 一 個(gè) 個(gè) 晶 粒 形 狀 ， 而 單 晶 硅硅 片 表 面 顏 色 一 致 。o 單 晶 硅 硅 片 因 為 使 用 硅 棒 原 因 ， 四 角 有 圓 形大 倒 角 ， 而

4、 多 晶 硅 硅 片 一 般 采 用 小 倒 角 。 硅 片 生 產(chǎn) -檢 測(cè) 晶 體 硅 太 陽(yáng) 電 池 生 產(chǎn) 的 工 藝 流 程電 池 在 硅 片 的 切 割 生 產(chǎn) 過(guò) 程 中 會(huì) 形 成 厚 度 達(dá) 10微 米 左 右 的 損 傷 層 ， 且 可 能 引 入 一 些金 屬 雜 質(zhì) 和 油 污 。 如 果 損 傷 層 去 除 不 足 ， 殘 余 缺 陷 在 后 續(xù) 的 高 溫 處 理 過(guò) 程 中 向硅 片 深 處 繼 續(xù) 延 伸 ， 會(huì) 影 響 到 太 陽(yáng) 電 池 的 性 能 。 晶 體 化 學(xué) 表 面 處 理 （ 清 洗 制 絨 ）電 池 電 池 清 洗 的 目 的 ：o 清 除 硅

5、 片 表 面 的 機(jī) 械 損 傷 層 ；o 清 除 表 面 油 污 和 金 屬 雜 質(zhì) ；o 形 成 起 伏 不 平 的 絨 面 ， 減 小 太 陽(yáng) 光 的 反 射 。 晶 體 化 學(xué) 表 面 處 理 （ 清 洗 制 絨 ） 單 晶 硅 片 的 清 洗 采 用 堿 液 腐 蝕 的 技 術(shù) ， 堿 液 與 硅 反 應(yīng) 生 成 可 溶 于 水 的 化 合 物 ， 同 時(shí) 在 表 面 形 成 “ 金 字 塔 ”狀 的 絨 面 結(jié) 構(gòu) 。 多 晶 硅 片 的 清 洗 則 采 用 酸 液 腐 蝕 技 術(shù) ， 酸 液 與 硅 反 應(yīng) 生 成 可 溶 于 水 的 化 合 物 ， 同 時(shí) 形 成的 絨 面 結(jié)

6、 構(gòu) 是 不 規(guī) 則 的 半 球 形 或 者 蚯 蚓 狀 的 “ 凹 陷 ” 。 晶 體 化 學(xué) 表 面 處 理 （ 清 洗 制 絨 ）電 池 由 于 絨 面 結(jié) 構(gòu) 的 存 在 ， 入 射 光 經(jīng) 絨 面 第 一 次 反 射 后 ， 反 射 光 并 非 直 接 入 射 到 空 氣 中 ， 而 是 遇 到 鄰 近絨 面 ， 經(jīng) 過(guò) 鄰 近 絨 面 的 第 二 次 甚 至 第 三 次 反 射 后 ， 才 入 射 到 空 氣 中 ， 這 樣 對(duì) 入 射 光 就 有 了 多 次 利 用 ，從 而 減 小 了 反 射 率 。 表 面 沒(méi) 有 絨 面 結(jié) 構(gòu) 的 硅 片 對(duì) 入 射 光 的 反 射 率

7、大 于 30%， 有 絨 面 結(jié) 構(gòu) 的 硅 片 對(duì) 入射 光 的 反 射 率 減 小 到 了 12%左 右 。 晶 體 化 學(xué) 表 面 處 理 （ 清 洗 制 絨 ）電 池 堿 制 絨1） 工 序 步 驟 制 絨 （ 堿 洗 ） 酸 洗 （ HCL， HF） 慢 提 烘干2） spc 5-14微 米3） 日 常 物 品 ： KOH， HF， HCL 酸 制 絨1） 工 序 步 驟制 絨 堿 洗 （ 去 多 孔 硅 ， 中 和 酸 ） 酸 洗 吹 干2） SPC 4-6微 米 3） 常 用 物 品 ： HNO3， HF， HCL 工 藝 衛(wèi) 生o 制 絨 工 序 最 忌 諱 的 就 是 污 染

8、 去 離 子 水 金 屬 離 子 (Fe,Au,Mg,Ca) 槽 蓋 ,花 籃 硅 片 接 觸 物 油 污 ,手 指 印 清 洗 設(shè) 備電 池 磷 擴(kuò) 散電 池 電 池 把 p型 硅 片 放 在 一 個(gè) 石 英 容 器 內(nèi) ， 同 時(shí) 將 含 磷 的 氣 體 通 入 這個(gè) 石 英 容 器 內(nèi) ， 并 將 此 石 英 容 器 加 熱 到 一 定 的 溫 度 ， 這 時(shí) 施 主 雜質(zhì) 磷 可 從 化 合 物 中 分 解 出 來(lái) ， 在 容 器 內(nèi) 充 滿 著 含 磷 的 蒸 汽 ， 在 硅片 周 圍 包 圍 著 許 許 多 多 的 含 磷 的 分 子 。 磷 化 合 物 分 子 附 著 到 硅 片

9、上 生 成 磷 原 子 。 由 于 硅 片 的 原 子 之 間 存 在 空 隙 ， 使 磷 原 子 能 從 四周 進(jìn) 入 硅 片 的 表 面 層 ， 并 且 通 過(guò) 硅 原 子 之 間 的 空 隙 向 硅 片 內(nèi) 部 滲透 擴(kuò) 散 。 如 果 擴(kuò) 散 進(jìn) 去 的 磷 原 子 濃 度 高 于 p型 硅 片 原 來(lái) 受 主 雜 質(zhì) 濃 度， 就 使 得 p型 硅 片 靠 近 表 面 的 薄 層 轉(zhuǎn) 變 成 為 n型 。 n型 硅 和 p型 硅交 界 處 就 形 成 了 pn結(jié) 。 磷 擴(kuò) 散 原 理 電 池 磷 擴(kuò) 散 的 目 的 ：o 制 備 太 陽(yáng) 電 池 的 核 心 pn結(jié) ；o 吸 除 硅

10、 片 內(nèi) 部 的 部 分 金 屬 雜 質(zhì) 。 磷 擴(kuò) 散 電 池 磷 擴(kuò) 散 的 方 法o 三 氯 氧 磷 （ POCl3） 液 態(tài) 源 擴(kuò) 散 o 噴 涂 磷 酸 水 溶 液 后 鏈 式 擴(kuò) 散 o 絲 網(wǎng) 印 刷 磷 漿 料 后 鏈 式 擴(kuò) 散 目 前 行 業(yè) 上 普 遍 采 用 第 一 種 方 法 ， 這 種 方 法 具 有 生 產(chǎn)效 率 較 高 ， 得 到 的 pn結(jié) 均 勻 、 平 整 和 擴(kuò) 散 層 表 面 良 好等 優(yōu) 點(diǎn) ， 非 常 適 合 制 作 大 面 積 的 太 陽(yáng) 電 池 。 磷 擴(kuò) 散 三 氯 氧 磷 （ POCl3） 液 態(tài) 源 擴(kuò) 散POCl3是 目 前 磷 擴(kuò)

11、散 用 得 較 多 的 一 種 雜 質(zhì) 源o 無(wú) 色 透 明 液 體 ， 具 有 刺 激 性 氣 味 。 如 果 純 度不 高 則 呈 紅 黃 色 。o 比 重 為 1.67， 熔 點(diǎn) 2 ， 沸 點(diǎn) 107 ， 在 潮 濕空 氣 中 發(fā) 煙 。o POCl3很 容 易 發(fā) 生 水 解 ， POCl3極 易 揮 發(fā) 。 POCl3磷 擴(kuò) 散 原 理o POCl3在 高 溫 下 （ 600 ） 分 解 生 成 五 氯 化 磷（ PCl5） 和 五 氧 化 二 磷 （ P2O5） ， 其 反 應(yīng) 式 如下 ： 3 5 2 5600 C5POCl 3PCl PO 揪 揪 POCl3磷 擴(kuò) 散 原 理

12、 在 有 外 來(lái) O2存 在 的 情 況 下 ， PCl5會(huì) 進(jìn) 一 步 分 解 成 P2O5并 放出 氯 氣 （ Cl2） 其 反 應(yīng) 式 如 下 ： 生 成 的 P2O5又 進(jìn) 一 步 與 硅 作 用 ， 生 成 SiO2和 磷 原 子 ， 這一 層 物 質(zhì) 叫 做 磷 -硅 玻 璃 (psg)， 然 后 磷 原 子 再 向 硅 中 進(jìn)行 擴(kuò) 散 。 5 2 2 5 2O24PCl 5O 2PO 10Cl+ 揪 揪 井 +過(guò) 量 2 5 22PO 5Si 5SiO 4P+ = + o POCl3液 態(tài) 源 擴(kuò) 散 方 法 具 有 生 產(chǎn) 效 率 較 高 ，得 到 PN結(jié) 均 勻 、 平 整

13、 和 擴(kuò) 散 層 表 面 良 好 等 優(yōu)點(diǎn) ， 這 對(duì) 于 制 作 具 有 大 面 積 結(jié) 的 太 陽(yáng) 電 池 是非 常 重 要 的 。 磷 擴(kuò) 散 工 藝 過(guò) 程清 洗飽 和裝 片送 片 升 溫 擴(kuò) 散關(guān) 源 ， 退 舟方 塊 電 阻 測(cè) 量卸 片 方 塊 電 阻 的 定 義 考 慮 一 塊 長(zhǎng) 為 l、 寬為 a、 厚 為 t的 薄 層 如右 圖 。 如 果 該 薄 層 材料 的 電 阻 率 為 ， 則該 整 個(gè) 薄 層 的 電 阻 為( )( )l lR t a t arr= = 當(dāng) l=a（ 即 為 一 個(gè) 方 塊 ） 時(shí) ， R= /t。 可 見(jiàn) ，（ /t） 代 表 一 個(gè) 方 塊

14、 的 電 阻 ， 故 稱 為 方 塊 電阻 ， 特 記 為 R = /t (/ )圖 (22) 方 塊 電 阻 的 測(cè) 試 測(cè) 試 設(shè) 備 圖 (23)GP 的 4探 針 測(cè) 試 儀 檢 驗(yàn) 標(biāo) 準(zhǔn)o 擴(kuò) 散 方 塊 電 阻 控 制 在 58-68/sq之 間 。o 表 面 無(wú) 明 顯 因 偏 磷 酸 滴 落 或 其 他 原 因 引 起 的污 染 。 工 藝 衛(wèi) 生o 所 有 工 夾 具 必 須 永 遠(yuǎn) 保 持 干 凈 的 狀 態(tài) ， 包 括 吸 筆 、 石 英 舟 、石 英 舟 叉 子 、 碳 化 硅 臂 槳 。o 吸 筆 應(yīng) 放 在 干 凈 的 玻 璃 燒 杯 內(nèi) ， 不 得 直 接 與

15、人 體 或 其 它 未 經(jīng)清 洗 的 表 面 接 觸 。o 石 英 舟 和 石 英 舟 叉 應(yīng) 放 置 在 清 洗 干 凈 的 玻 璃 表 面 上 。o 碳 化 硅 臂 槳 暴 露 在 空 氣 中 的 時(shí) 間 應(yīng) 做 到 越 短 越 好 。o 每 個(gè) 班 必 須 做 到 現(xiàn) 場(chǎng) 環(huán) 境 的 嚴(yán) 格 清 潔 ,包 括 地 面 ,桌 面 ,各 個(gè) 爐管 ,尤 其 是 偏 磷 酸 ,一 定 要 清 除 干 凈 后 生 產(chǎn) .o 擴(kuò) 散 工 序 的 凈 化 程 度 應(yīng) 該 為 萬(wàn) 級(jí) （ 其 他 工 序 為 10萬(wàn) 級(jí) ） ,而且 氣 壓 保 持 正 壓 . 管 式 擴(kuò) 散 爐 磷 擴(kuò) 散電 池 擴(kuò)

16、散 后 的 硅 片 除 了 表 面 的 一 薄 層 n型 硅 外 ， 在 背 面 以 及 周 邊 都 有 n型 硅 薄 層 ，而 晶 體 硅 太 陽(yáng) 電 池 實(shí) 際 只 需 要 表 面 的 n型 硅 ， 因 此 須 去 除 背 面 以 及 周 邊 的 n型硅 薄 層 。 背 面 及 周 邊 刻 蝕 電 池 電 池 背 面 以 及 周 邊 刻 蝕 的 目 的 ：o 去 除 硅 片 背 面 和 周 邊 的 pn結(jié) ；o 去 除 表 面 的 磷 硅 玻 璃 。 磷 硅 玻 璃 是 擴(kuò) 散 過(guò) 程 中 的 反 應(yīng)產(chǎn) 物 ， 是 一 層 含 磷 原 子 的 二 氧 化 硅 。 背 面 以 及 周 邊 刻

17、 蝕 的 方 法 ：o 酸 液 腐 蝕 （ 濕 法 刻 蝕 ）o 等 離 子 體 刻 蝕 （ 干 法 刻 蝕 ） 背 面 及 周 邊 刻 蝕 o 濕 法 刻 蝕 o 干 法 刻 蝕 o 刻 蝕 中 容 易 產(chǎn) 生 的 問(wèn) 題 ：1 刻 蝕 不 足 ： 電 池 的 并 聯(lián) 電 阻 會(huì) 下 降 。2 過(guò) 刻 ： 正 面 金 屬 柵 線 于 P型 硅 接 觸 ， 造 成 短路 。 濕 法 刻 蝕 設(shè) 備 背 面 及 周 邊 刻 蝕電 池 o 去 PSG（ 二 次 清 洗 ） 檢 驗(yàn) 標(biāo) 準(zhǔn)o 當(dāng) 硅 片 從 氫 氟 酸 中 提 起 時(shí) ， 觀 察 其 表 面 是 否脫 水 ， 如 果 脫 水 ， 則

18、 表 明 磷 硅 玻 璃 已 去 除 干凈 ； 如 果 表 面 還 沾 有 水 珠 ， 則 表 明 磷 硅 玻 璃未 被 去 除 干 凈 。o 當(dāng) 硅 片 從 出 料 口 流 出 時(shí) 候 ， 如 果 發(fā) 現(xiàn) 尾 部 有部 分 水 珠 ， 可 以 適 當(dāng) 補(bǔ) 些 HF。 磷 硅 玻 璃 &死 層o 磷 硅 玻 璃 的 存 在 使 得 硅 片 在 空 氣 中 表 面 容 易受 潮 ， 導(dǎo) 致 電 流 的 降 低 和 功 率 的 衰 減 。o 死 層 的 存 在 大 大 增 加 了 發(fā) 射 區(qū) 電 子 的 復(fù) 合 ，會(huì) 導(dǎo) 致 少 子 壽 命 的 降 低 ， 進(jìn) 而 降 低 了 Voc和Isc。 工

19、 藝 衛(wèi) 生o1。 此 道 工 序 的 工 藝 衛(wèi) 生 在 金 屬 離 子 和 油 污方 面 和 前 清 洗 相 似 。o2。 水 痕 的 問(wèn) 題 ， 硅 片 在 經(jīng) 過(guò) 清 洗 之 后 一 定要 徹 底 烘 干 以 后 才 能 做 PECVD， 不 然 會(huì) 出現(xiàn) 明 顯 的 水 痕 跡 。 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜電 池 電 池 PECVD鍍 SiN薄 膜 的 目 的 ：o SiN薄 膜 作 為 減 反 射 膜 可 減 小 入 射 光 的 反 射 ；o 在 SiN薄 膜 的 沉 積 過(guò) 程 中 ， 反 應(yīng) 產(chǎn) 物 氫 原 子 進(jìn) 入 到SiN薄 膜 內(nèi) 以 及 硅 片

20、內(nèi) ， 起 到 了 鈍 化 缺 陷 的 作 用 。 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜 太 陽(yáng) 電 池 表 面 的 深 藍(lán) 色 SiN薄 膜 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜電 池 電 池 SiN薄 膜 的 物 理 性 質(zhì) 和 化 學(xué) 性 質(zhì) ：o 結(jié) 構(gòu) 致 密 ， 硬 度 大o 能 抵 御 堿 金 屬 離 子 的 侵 蝕o 介 電 強(qiáng) 度 高o 耐 濕 性 好o 耐 一 般 的 酸 堿 ， 除 HF和 熱 H3PO4 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜 電 池 SiN薄 膜 的 優(yōu) 點(diǎn)o 優(yōu) 良 的 表 面 鈍 化 效 果o 高 效 的 光 學(xué) 減 反

21、 射 性 能 （ 厚 度 和 折 射 率 匹 配 ）o 低 溫 工 藝 （ 有 效 降 低 成 本 ）o 含 氫 SiNx:H可 以 對(duì) mc-Si提 供 體 鈍 化 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜 入 射 光 在 SiN薄 膜 表 面 發(fā) 生 一 次 反 射 ， 在 SiN薄 膜 和 硅 片 界 面 發(fā) 生 第 二 次 反 射 ， 通過(guò) 適 當(dāng) 選 取 SiN薄 膜 的 厚 度 和 折 射 率 ， 可 以 使 一 次 反 射 光 和 二 次 反 射 光 相 抵 消 ，從 而 減 小 了 反 射 。 沉 積 SiN減 反 射 膜 后 ， 硅 片 表 面 對(duì) 入 射 光 的 平

22、均 反 射 率 可 進(jìn) 一步 減 小 到 5%左 右 。 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜 電 池 電 池 PECVD： =Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositiono 即 “ 等 離 子 增 強(qiáng) 型 化 學(xué) 氣 相 沉 積 ” ， 是 一 種 化 學(xué) 氣 相沉 積 的 鍍 膜 技 術(shù) ；o PECVD借 助 微 波 或 射 頻 等 使 含 有 薄 膜 組 成 原 子 的 氣體 電 離 ， 在 局 部 形 成 等 離 子 體 ， 而 等 離 子 化 學(xué) 活 性 很強(qiáng) ， 很 容 易 發(fā) 生 反 應(yīng) ， 在 基 片 上 沉 積 出 所 期 望

23、 的 薄 膜。 等 離 子 體 中 含 有 大 量 高 能 量 的 電 子 ， 它 們 可 以 提 供化 學(xué) 氣 相 沉 積 過(guò) 程 所 需 的 激 活 能 ， 大 大 降 低 薄 膜 沉 積所 需 的 溫 度 。 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜 電 池 PECVD的 優(yōu) 點(diǎn) ：o 節(jié) 省 能 源 ， 降 低 成 本 ；o 提 高 產(chǎn) 能 ；o 減 少 了 高 溫 導(dǎo) 致 的 硅 片 中 少 子 壽 命 衰 減 ； PECVD的 一 個(gè) 基 本 特 征 是 實(shí) 現(xiàn) 了 薄 膜 沉 積 工 藝 的 低 溫化 （ 450 ） 。 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜 測(cè)

24、試 設(shè) 備 橢 偏 儀 工 藝 衛(wèi) 生o1） 在 該 工 序 中 ， 要 注 意 保 證 硅 片 被 覆 蓋 減反 膜 后 表 面 沒(méi) 有 明 顯 人 為 污 染 ， 手 指 印 ， 污， 落 灰 等 。o2） 在 該 工 序 中 因 為 硅 片 表 面 操 作 頻 繁 ， 切不 能 造 成 硅 片 表 面 的 劃 痕 等 機(jī) 械 傷 害 。 PECVD鍍 膜 設(shè) 備 PECVD鍍 氮 化 硅 （ SiN） 薄 膜電 池 絲 網(wǎng) 印 刷 與 燒 結(jié)電 池 電 池 絲 網(wǎng) 印 刷 的 目 的 ：o 印 刷 背 面 電 極 漿 料 ， 銀 鋁 （ Ag/Al） 漿 ， 并 烘 干 ；o 印 刷 背

25、 面 場(chǎng) 漿 料 ， 鋁 漿 ， 并 烘 干 ；o 印 刷 正 面 電 極 漿 料 ， 銀 漿 ， 并 烘 干 。 燒 結(jié) 的 目 的 ：o 燃 盡 漿 料 的 有 機(jī) 組 分 ， 使 漿 料 和 硅 片 形 成 良 好 的 金 屬電 極 。 絲 網(wǎng) 印 刷 與 燒 結(jié) 燒 結(jié) 對(duì) 電 池 片 的 影 響o 相 對(duì) 于 鋁 漿 燒 結(jié) ， 銀 漿 的 燒 結(jié) 要 重 要 很 多 ， 對(duì) 電 池 片 電性 能 影 響 主 要 表 現(xiàn) 在 串 聯(lián) 電 阻 和 并 聯(lián) 電 阻 ， 即 FF的 變化o 鋁 漿 燒 結(jié) 的 目 的 使 漿 料 中 的 有 機(jī) 溶 劑 完 全 揮 發(fā) ， 并 形 成完 好

26、 的 鋁 硅 合 金 和 鋁 層 。 局 部 的 受 熱 不 均 和 散 熱 不 均 可能 會(huì) 導(dǎo) 致 起 包 ， 嚴(yán) 重 的 會(huì) 起 鋁 珠 。o 背 面 場(chǎng) 經(jīng) 燒 結(jié) 后 形 成 的 鋁 硅 合 金 ， 鋁 在 硅 中 是 作 為 P型摻 雜 ， 它 可 以 減 少 金 屬 與 硅 交 接 處 的 少 子 復(fù) 合 ， 從 而 提高 開(kāi) 路 電 壓 和 短 路 電 流 ， 改 善 對(duì) 紅 外 線 的 響 應(yīng) 。 正 面 電 極 背 面 電 極 絲 網(wǎng) 印 刷 與 燒 結(jié)電 池 印 刷 漿 料 的 過(guò) 程 絲 網(wǎng) 印 刷 與 燒 結(jié) 電 池 絲 網(wǎng) 印 刷 設(shè) 備 ， 每 臺(tái) 印 刷 機(jī) 后

27、 都 有 一 臺(tái) 烘 干 爐 絲 網(wǎng) 印 刷 與 燒 結(jié)電 池 燒 結(jié) 爐 絲 網(wǎng) 印 刷 與 燒 結(jié)電 池 測(cè) 試 與 分 選 將 太 陽(yáng) 電 池 接 上 負(fù) 載 。 在 光 照 條 件 下 ， 改 變 負(fù) 載 的 電 阻 ， 太 陽(yáng) 電 池 的 輸 出 電 壓 V、 輸 出 電 流 I 和輸 出 功 率 P 將 隨 之 變 化 。 記 錄 下 V、 I、 P 的 變 化 情 況 ， 并 將 數(shù) 據(jù) 繪 成 曲 線 ， 將 得 到 上 圖 的 曲 線 ，稱 為 太 陽(yáng) 電 池 的 電 流 電 壓 特 性 。 晶 體 硅 太 陽(yáng) 電 池 的 電 流 電 壓 特 性電 池 電 池 o 短 路 電

28、 流 Isc ： 負(fù) 載 的 電 阻 為 零 時(shí) ， 太 陽(yáng) 電 池 的 輸 出電 流 ；o 開(kāi) 路 電 壓 Voc ： 負(fù) 載 的 電 阻 無(wú) 窮 大 時(shí) ， 太 陽(yáng) 電 池 的 輸出 電 壓 ；o 最 大 功 率 點(diǎn) Pm ： 太 陽(yáng) 電 池 的 最 大 輸 出 功 率 ；o 最 大 功 率 點(diǎn) 電 流 I m ： 輸 出 功 率 最 大 時(shí) ， 太 陽(yáng) 電 池 的 輸出 電 流 ；o 最 大 功 率 點(diǎn) 電 壓 Vm ： 輸 出 功 率 最 大 時(shí) ， 太 陽(yáng) 電 池 的輸 出 電 壓 ； 太 陽(yáng) 電 池 的 性 能 參 數(shù) 電 池o 轉(zhuǎn) 換 效 率 ： 太 陽(yáng) 電 池 的 最 大 輸

29、出 功 率 Pm 與 入 射 光功 率 的 比 值 ， 是 衡 量 太 陽(yáng) 電 池 性 能 的 最 重 要 參 數(shù) ；o 填 充 因 子 FF ： 太 陽(yáng) 電 池 的 最 大 輸 出 功 率 Pm 與 短 路電 流 Isc 、 開(kāi) 路 電 壓 Voc 乘 積 的 比 值 ；o 串 聯(lián) 電 阻 Rs ： 主 要 是 太 陽(yáng) 電 池 的 體 電 阻 、 表 面 電 阻、 電 極 導(dǎo) 體 電 阻 、 電 極 與 硅 表 面 的 接 觸 電 阻 組 成 。o 并 聯(lián) 電 阻 R sh ： 為 旁 漏 電 阻 ， 它 是 由 硅 片 的 邊 緣 不 清潔 或 硅 片 表 面 缺 陷 引 起 。 太 陽(yáng) 電 池 的 性 能 參 數(shù)