《高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 高頻考點(diǎn)精講 高頻考點(diǎn)30 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 高頻考點(diǎn)精講 高頻考點(diǎn)30 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件（25頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、最新考綱最新考綱1原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)(1)了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、能級(jí)分布和排布原理，能正了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、能級(jí)分布和排布原理，能正確書(shū)寫(xiě)確書(shū)寫(xiě)136號(hào)元素原子核外電子、價(jià)電子的電子排布式和軌道號(hào)元素原子核外電子、價(jià)電子的電子排布式和軌道表達(dá)式。表達(dá)式。(2)了解電離能的含義，并能用以說(shuō)明元素的某些性質(zhì)。了解電離能的含義，并能用以說(shuō)明元素的某些性質(zhì)。(3)了解電子在原子軌道之間的躍遷及其簡(jiǎn)單應(yīng)用。了解電子在原子軌道之間的躍遷及其簡(jiǎn)單應(yīng)用。(4)了解電負(fù)性的概念，并能用以說(shuō)明元素的某些性質(zhì)。了解電負(fù)性的概念，并能用以說(shuō)明元素的某些性質(zhì)。2化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵

2、與分子結(jié)構(gòu)(1)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。理性質(zhì)。(2)了解共價(jià)鍵的形成、極性、類(lèi)型了解共價(jià)鍵的形成、極性、類(lèi)型(鍵和鍵和鍵鍵)，了解配位鍵的，了解配位鍵的含義。含義。(3)能用鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角等說(shuō)明簡(jiǎn)單分子的某些性質(zhì)。能用鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角等說(shuō)明簡(jiǎn)單分子的某些性質(zhì)。(4)了解雜化軌道理論及簡(jiǎn)單的雜化軌道類(lèi)型了解雜化軌道理論及簡(jiǎn)單的雜化軌道類(lèi)型(sp、sp2、sp3)。(5)能用價(jià)層電子對(duì)互斥理論或者雜化軌道理論推測(cè)簡(jiǎn)單分子或能用價(jià)層電子對(duì)互斥理論或者雜化軌道理論推測(cè)簡(jiǎn)單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。離子的空間結(jié)構(gòu)。3

3、分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)(1)了解范德華力的含義及對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響。了解范德華力的含義及對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響。(2)了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對(duì)了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響。物質(zhì)性質(zhì)的影響。4晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(1)了解晶體的類(lèi)型，了解不同類(lèi)型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作了解晶體的類(lèi)型，了解不同類(lèi)型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。用力的區(qū)別。(2)了解晶格能的概念，了解晶格能對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響。了解晶格能的概念，了解晶格能對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響。(3)了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

4、的關(guān)系。(4)了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。(5)理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。了解金屬晶體常見(jiàn)的堆積方式。質(zhì)。了解金屬晶體常見(jiàn)的堆積方式。(6)了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。計(jì)算。1(2017課標(biāo)全國(guó)課標(biāo)全國(guó)，35)鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮?/p>

5、下列問(wèn)題：泛的應(yīng)用。回答下列問(wèn)題：(1)元素元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對(duì)應(yīng)的輻射波長(zhǎng)為的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對(duì)應(yīng)的輻射波長(zhǎng)為_(kāi) nm(填標(biāo)號(hào)填標(biāo)號(hào))。命題點(diǎn)：波長(zhǎng)判斷命題點(diǎn)：波長(zhǎng)判斷(考查新角度考查新角度)A404.4 B. 553.5 C589.2 D670.8 E E766.5(2)基態(tài)基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)是原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)是_，占據(jù)該能層電子的，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為電子云輪廓圖形狀為_(kāi)。K和和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬的熔點(diǎn)、

6、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是低，原因是_。命題點(diǎn)：電子式及熔沸點(diǎn)比較命題點(diǎn)：電子式及熔沸點(diǎn)比較(3)X射線衍射測(cè)定等發(fā)現(xiàn)，射線衍射測(cè)定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在中存在I離子。離子。I離子的幾何構(gòu)型為離子的幾何構(gòu)型為_(kāi)，中心，中心原子的雜化類(lèi)型為原子的雜化類(lèi)型為_(kāi)。命題點(diǎn)：空間構(gòu)型及雜化類(lèi)型命題點(diǎn)：空間構(gòu)型及雜化類(lèi)型(4)KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立體結(jié)構(gòu)，邊長(zhǎng)為的立體結(jié)構(gòu)，邊長(zhǎng)為a0.446 nm，晶胞中，晶胞中K、I、O分別處于頂分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。角、體心、面心位置，如圖所示。K與與O間的最

7、短距離為間的最短距離為_(kāi) nm，與，與K緊鄰的緊鄰的O個(gè)數(shù)為個(gè)數(shù)為_(kāi)。命題點(diǎn)：晶體結(jié)構(gòu)及計(jì)算命題點(diǎn)：晶體結(jié)構(gòu)及計(jì)算(5)在在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則處于各頂角位置，則K處于處于_位置，位置，O處于處于_位置。位置。命題點(diǎn)：晶體結(jié)構(gòu)命題點(diǎn)：晶體結(jié)構(gòu)2(2017課標(biāo)全國(guó)課標(biāo)全國(guó)，35)我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用用R代表代表)。回答下列問(wèn)題：?；卮鹣铝袉?wèn)題：(1)氮原子價(jià)層電子對(duì)的軌道表達(dá)式氮原子價(jià)層電子對(duì)的軌道表達(dá)式(電子排布圖電子排布圖)

8、為為_(kāi)。命題點(diǎn)：電子排布式命題點(diǎn)：電子排布式(2)元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱(chēng)作第元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱(chēng)作第一電子親和能一電子親和能(E1)。第二周期部分元素的。第二周期部分元素的E1變化趨勢(shì)如圖變化趨勢(shì)如圖(a)所示，其中除氮元素所示，其中除氮元素外，其他元素的外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是自左而右依次增大的原因是_；氮元素的氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是呈現(xiàn)異常的原因是_。命題點(diǎn)：親和能比較命題點(diǎn)：親和能比較(3)經(jīng)經(jīng)X射線衍射測(cè)得化合物射線衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)

9、構(gòu)如圖(b)所示。所示。從結(jié)構(gòu)角度分析，從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽(yáng)離子的相同之處為中兩種陽(yáng)離子的相同之處為_(kāi)，不同之處為不同之處為_(kāi)。(填標(biāo)號(hào)填標(biāo)號(hào))A中心原子的雜化軌道類(lèi)型中心原子的雜化軌道類(lèi)型B中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)C立體結(jié)構(gòu)立體結(jié)構(gòu)D共價(jià)鍵類(lèi)型共價(jià)鍵類(lèi)型3(2016全國(guó)全國(guó)卷卷)鍺鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；厥堑湫偷陌雽?dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：答下列問(wèn)題：(1)基態(tài)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為原子的核外電子排布式為Ar_，有，有_個(gè)未成對(duì)電子。個(gè)未成對(duì)電子。命題點(diǎn)：電子排布式命題點(diǎn)：電子排布式(2)Ge與與

10、C是同族元素，是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是_。命題點(diǎn)：成鍵特點(diǎn)命題點(diǎn)：成鍵特點(diǎn)( 3 ) 比 較 下 列 鍺 鹵 化 物 的 熔 點(diǎn) 和 沸 點(diǎn) ， 分 析 其 變 化 規(guī) 律 及 原 因比 較 下 列 鍺 鹵 化 物 的 熔 點(diǎn) 和 沸 點(diǎn) ， 分 析 其 變 化 規(guī) 律 及 原 因_。命題點(diǎn)：結(jié)構(gòu)對(duì)性質(zhì)的影響命題點(diǎn)：結(jié)構(gòu)對(duì)性質(zhì)的影響 GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)熔點(diǎn)/49.526146沸點(diǎn)沸點(diǎn)/83.1186約約400(4)光催化

11、還原光催化還原CO2制備制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是電負(fù)性由大至小的順序是_。命題點(diǎn)：電負(fù)性命題點(diǎn)：電負(fù)性(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為原子的雜化方式為_(kāi)，微粒之間存在的作用力是微粒之間存在的作用力是_。命題點(diǎn)：雜化與化學(xué)鍵命題點(diǎn)：雜化與化學(xué)鍵晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)單晶的晶胞參數(shù)a565.76 pm，其，其密度為密度為_(kāi)gcm3(列出計(jì)算式即可列出計(jì)算式即可)。命題點(diǎn)：

12、晶體結(jié)構(gòu)及運(yùn)算命題點(diǎn)：晶體結(jié)構(gòu)及運(yùn)算解 析解 析 鍺 元 素 在 周 期 表 的 第 四 周 期 、 第 鍺 元 素 在 周 期 表 的 第 四 周 期 、 第 A 族 ， 因 此 核 外 電 子 排 布 式 為族 ， 因 此 核 外 電 子 排 布 式 為Ar3d104s24p2，p軌道上的軌道上的2個(gè)電子是未成對(duì)電子。個(gè)電子是未成對(duì)電子。(2)鍺雖然與碳為同族元素，但比碳多了兩個(gè)電子層，因此鍺的原子半徑大，原子間鍺雖然與碳為同族元素，但比碳多了兩個(gè)電子層，因此鍺的原子半徑大，原子間形成的形成的單鍵較長(zhǎng)，單鍵較長(zhǎng)，pp軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎

13、不能重疊，難以形成鍵。鍵。(3)由鍺鹵化物的熔沸點(diǎn)由由鍺鹵化物的熔沸點(diǎn)由Cl到到I呈增大的趨勢(shì)且它們的熔沸點(diǎn)較低，可判斷它們均為呈增大的趨勢(shì)且它們的熔沸點(diǎn)較低，可判斷它們均為分子晶體，而相同類(lèi)型的分子晶體，其熔沸點(diǎn)取決于相對(duì)分子質(zhì)量的大小，因?yàn)橄喾肿泳w，而相同類(lèi)型的分子晶體，其熔沸點(diǎn)取決于相對(duì)分子質(zhì)量的大小，因?yàn)橄鄬?duì)分子質(zhì)量越大，分子間的作用力就越大，熔沸點(diǎn)就越高。對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間的作用力就越大，熔沸點(diǎn)就越高。分析評(píng)價(jià)分析評(píng)價(jià)題型：選做題填空題題型：選做題填空題評(píng)析：原子結(jié)構(gòu)在高考中常見(jiàn)的命題角度有原子核外電子的排布評(píng)析：原子結(jié)構(gòu)在高考中常見(jiàn)的命題角度有原子核外電子的排布規(guī)律及其表示方

14、法、原子結(jié)構(gòu)與元素電離能和電負(fù)性的關(guān)系及其規(guī)律及其表示方法、原子結(jié)構(gòu)與元素電離能和電負(fù)性的關(guān)系及其應(yīng)用；分子結(jié)構(gòu)則圍繞某物質(zhì)判斷共價(jià)鍵的類(lèi)型和數(shù)目，分子的應(yīng)用；分子結(jié)構(gòu)則圍繞某物質(zhì)判斷共價(jià)鍵的類(lèi)型和數(shù)目，分子的極性、中心原子的雜化方式，微粒的立體構(gòu)型，氫鍵的形成及對(duì)極性、中心原子的雜化方式，微粒的立體構(gòu)型，氫鍵的形成及對(duì)物質(zhì)的性質(zhì)影響等；晶體結(jié)構(gòu)在高考中常見(jiàn)的命題角度有晶體的物質(zhì)的性質(zhì)影響等；晶體結(jié)構(gòu)在高考中常見(jiàn)的命題角度有晶體的類(lèi)型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，配位數(shù)、晶類(lèi)型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，配位數(shù)、晶胞模型分析及有關(guān)計(jì)算等。上述考查知識(shí)點(diǎn)多以胞模型分析及有關(guān)計(jì)算等。上述考查知識(shí)點(diǎn)多以“拼盤(pán)拼盤(pán)”形式呈形式呈現(xiàn)，知識(shí)覆蓋較廣，命題角度具有相對(duì)獨(dú)立性?，F(xiàn)，知識(shí)覆蓋較廣，命題角度具有相對(duì)獨(dú)立性。啟示啟示：特別關(guān)注：特別關(guān)注：第四周期元素原子或離子電子排布式的書(shū)寫(xiě)；第四周期元素原子或離子電子排布式的書(shū)寫(xiě)；晶胞微粒的計(jì)算方法。晶胞微粒的計(jì)算方法。