《2022年高考化學一輪復習 第十一單元 物質結構與性質（選考）第1節(jié) 原子結構與性質課時練》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《2022年高考化學一輪復習 第十一單元 物質結構與性質（選考）第1節(jié) 原子結構與性質課時練（5頁珍藏版）》請在裝配圖網上搜索。

1、2022年高考化學一輪復習 第十一單元 物質結構與性質（選考）第1節(jié) 原子結構與性質課時練 一、選擇題　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 1．下列說法正確的是(　　)。 A．原子核外電子排布式為1s2的原子與原子核外電子排布式為1s22s2的原子化學性質相似 B．Zn2＋的最外層電子排布式為3s23p63d10 C．基態(tài)銅原子的最外層電子排布圖： D．基態(tài)碳原子的最外層電子排布圖： 2．下列軌道表示式中，能正確表示該元素原子的最低能量狀態(tài)的是(　　)。 A. B. C. D. 3．Cr原子處于基態(tài)時，價電子排布可用電子排布圖表示成，而不是。下列說法中，正確的是(

2、　　)。 A．這兩種排布方式都符合能量最低原理 B．這兩種排布方式都符合泡利原理 C．這兩種排布方式都符合洪特規(guī)則 D．這個實例說明洪特規(guī)則有時候和能量最低原理是矛盾的 4．下列各組元素的性質正確的是(　　)。 A．第一電離能：B＞Al＞Ga B．電負性：F＞N＞O C．最高正價：F＞S＞Si D．原子半徑：P＞N＞C 5．(2017年湖北黃岡期末)人們常將在同一原子軌道上運動的、自旋方向相反的2個電子，稱為“電子對”；將在同一原子軌道上運動的單個電子，稱為“未成對電子”。以下有關主族元素原子的“電子對”和“未成對電子”的說法，錯誤的是(　　)。 A．核外電子數(shù)為奇數(shù)的基

3、態(tài)原子，其原子軌道中一定含有“未成對電子” B．核外電子數(shù)為偶數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中一定不含“未成對電子” C．核外電子數(shù)為偶數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中一定含有“電子對” D．核外電子數(shù)為奇數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中可能含有“電子對” 6．(2018屆河北定州中學期中)第三周期元素的基態(tài)原子中，不可能出現(xiàn)d電子，主要依據是(　　)。 A．能量守恒原理 B．泡利不相容原理 C．洪特規(guī)則 D．近似能級圖中的順序3d軌道能量比4s軌道高 7．(2018屆安徽安慶六校聯(lián)考)以下有關結構與性質的說法不正確的是(　　)。 A．下列基態(tài)原子中：①1s22s22p63s23p2

4、；②1s22s22p3；③1s22s22p2，電負性最大的是② B．下列基態(tài)原子中：①[Ne]3s23p2；②[Ne]3s23p3；③[Ne]3s23p4，第一電離能最大的是③ C．某主族元素的逐級電離能分別為738、1451、7733、10 540、13 630……，當它與氯氣反應時生成的陽離子是X2＋ D．物質的熔點高低：金剛石>晶體硅>鈉>干冰 二、非選擇題 8．(1) C、N、O、Al、Si、Cu是常見的六種元素。 ①Si位于元素周期表第______周期第______族。 ②N的基態(tài)原子核外電子排布式為____________。Cu的基態(tài)原子最外層有________個電子

5、。 ③用“＞”或“＜”填空： 原子半徑 電負性 熔點 沸點 Al____Si N____O 金剛石____晶體硅 CH4____SiH4 (2) O、Na、P、Cl四種元素中電負性最大的是________(填元素符號)，其中P原子的核外電子排布式為________________________。 (3)周期表前四周期的元素a、b、c、d、e原子序數(shù)依次增大。a的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，b的價電子層中的未成對電子有3個，c的最外層電子數(shù)為其內層電子數(shù)的3倍，d與c同族；e的最外層只有1個電子，但次外層有18個電子。b、c、d中第一電離能最大的是________(填元素

6、符號)，e的價層電子軌道示意圖為___________________________。 (4)①N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據如下： 電離能 I1 I2 I3 I4 …… In/(kJ·mol－1) 578 1817 2745 11 578 …… 則該元素是________(填寫元素符號)。 ②基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是____________。Ge的最高價氯化物的分子式是__________。 ③Ge元素可能的性質或應用有________。 A．是一種活潑的金屬元素 B．其電負性大于硫 C．其單質可作為半導體材料 D．其

7、最高價氯化物的沸點低于其溴化物的沸點 9．太陽能電池常用材料除單晶硅，還有銅、銦、鎵、硒等化合物。 (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_________________________________________ _______________________________。 (2)硒為第四周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則這3種元素的第一電離能從大到小順序為__________________(用元素符號表示)。 (3)氣態(tài)SeO3分子的立體構型為______________。 (4)硅烷(SinH2n＋2)的沸點與其相對分子質量的變化關系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關系的原因是__

8、______________________________________________。 (5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應生成[B(OH)4]－而體現(xiàn)一元弱酸的性質，則[B(OH)4]－中B的原子雜化類型為________。 (6)金屬Cu單獨與氨水或單獨與過氧化氫都不能反應，但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應，反應的離子方程式為________________________________________________ ____________________________________

9、____。 10．已知A、B、C、D四種短周期元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。A與C原子的基態(tài)電子排布中L能層都有2個未成對電子，C、D同主族。E、F都是第四周期元素，E原子的基態(tài)電子排布中有4個未成對電子，F(xiàn)原子除最外能層只有1個電子外，其余各能層均為全充滿。根據以上信息填空： (1)基態(tài)D原子中，電子占據的最高能層符號____，該能層具有的原子軌道數(shù)為________。 (2)E2＋離子的價層電子排布圖是______________，F(xiàn)原子的電子排布式是________________。 (3)A元素的最高價氧化物對應的水化物中心原子采取的軌道雜化方式為________，B元素的

10、最簡單氣態(tài)氫化物的VESPR模型為____________。 (4)化合物AC2、B2C和陰離子DAB－互為等電子體，它們結構相似，DAB－的電子式為________________________________________________________________________。 11．下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分別代表一種化學元素。試回答下列問題： (1)元素p為26號元素，請寫出其基態(tài)原子的電子排布式：______________________。 (2)d與a反應的產物的分子中，中心原子的雜化方式為____________。 (3)h的單質在空

11、氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光，請用原子結構的知識解釋發(fā)光的原因：________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 (4)o、p兩元素的部分電離能數(shù)據列于下表： 元素 o p 電離能/(kJ·mol－1) I1 717 759 I2 1509 1561 I3 3248 2957 比較兩元素的I2、I3可知，氣態(tài)o2＋再失去一個電子

12、比氣態(tài)p2＋再失去一個電子難。對此，你的解釋是__________________________________________________。 (5)第三周期8種元素按單質熔點高低的順序如圖Ⅰ所示，其中電負性最大的是________(填下圖中的序號)。 (6)表中所列的某主族元素的電離能情況如圖Ⅱ所示，則該元素是________(填元素符號)。 第1節(jié)　原子結構與性質 1．B　解析：原子核外電子排布式為1s2的元素為He，原子核外電子排布式為1s22s2的元素為Be，He的性質穩(wěn)定，Be較活潑，性質不同，故A錯誤；Zn的原子序數(shù)為30，電子排布式為[Ar]3d104s2，

13、失去2個電子變?yōu)閆n2＋，Zn2＋的最外層電子排布式為3s23p63d10，故B正確；Cu的原子序數(shù)為29，價電子排布為3d104s1，基態(tài)銅原子的價電子排布圖為，故C錯誤；C的原子序數(shù)為6，價電子排布為2s22p2，價電子排布圖為，故D錯誤。 2．D　解析：A、B兩項不符合洪特規(guī)則；C項，原子處于激發(fā)態(tài)，不是能量最低狀態(tài)。 3．B　解析：洪特規(guī)則實際上是能量最低原理的一個特例，電子排布滿足洪特規(guī)則，實際上是為了更好地遵循能量最低原理。通過分析光譜實驗的結果，洪特進一步指出，能量相同的原子軌道在全滿(s2、p6和d10)、半充滿(s1、p3和d5)和全空(s0、p0和d0)狀態(tài)時，體系能量

14、較低，原子較穩(wěn)定。題中兩種排列方式，沒有相同的兩個電子處于相同的狀態(tài)，都符合泡利原理，答案選B。 4．A　解析：同一主族，從上到下，元素的第一電離能逐漸減小，所以第一電離能：B＞Al＞Ga，故A正確；同周期，從左到右，元素的電負性逐漸增大，所以電負性：F＞O＞N，故B錯誤；主族元素最外層電子數(shù)＝最高正價，氟無正價，所以最高正價：S＞Si，故C錯誤；同一周期元素從左到右原子半徑逐漸減小，同一主族從上到下原子半徑逐漸增大，下一周期元素的原子半徑一般比相鄰上一周期元素的原子半徑大，所以原子半徑：P＞C＞N，故D錯誤。 5．B　解析：核外電子數(shù)為偶數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中可能含有未成對電子，如氧

15、原子：，含有2個未成對電子，故B錯誤。 6．D　解析：核外電子排布遵循能量最低原理，電子總是先排布在能量低的能級，然后再排布在能量高的能級，由于3d軌道能量比4s軌道高，當排滿3p能級后，電子先填充4s能級，填充滿4s能級后，再填充3d能級，故第三周期基態(tài)原子中不可能出現(xiàn)d電子。 7．B　解析：A項，①為Si，②為N，③為C，同周期從左向右電負性逐漸增大，因此電負性最大的是N，故A正確；B項，①為Si，②為P，③S，同周期從左向右第一電離能增大，但ⅡA>ⅢA、ⅤA>ⅥA，因此第一電離能最大的是P，故B錯誤；C項，第二電離能到第三電離能發(fā)生突變，說明X元素最外層只有2個電子，即X和氯氣發(fā)生反

16、應生成XCl2，故C正確；D項，金剛石、晶體硅屬于原子晶體，原子晶體熔沸點的高低通過鍵長或鍵能比較，鍵長越短鍵能越大，熔沸點越高，C的原子半徑比Si的原子半徑短，因此金剛石的熔點高于晶體硅，金屬鈉常溫下為固體，干冰常溫下為氣體，因此熔點的高低是金剛石>晶體硅>金屬鈉>干冰，故D正確。 8．(1)①三?、鬉?、?s22s22p3　1 ③＞?。肌。尽。? (2)O　1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3 (3)N　 (4)①Al ②1s22s22p63s23p63d104s24p2或[Ar]3d104s24p2　GeCl4 ③CD 解析：(1)③同周期元素，原子序數(shù)越大

17、，原子半徑越小，故原子半徑：Al＞Si；同周期元素，原子序數(shù)越大，電負性越強，故電負性：N＜O；金剛石和晶體硅都是原子晶體，但鍵能：C—C＞Si—Si，故熔點：金剛石＞晶體硅；CH4和SiH4都是分子晶體，且兩者結構相似，SiH4的相對分子質量大，故沸點：CH4＜SiH4。(2)O、Na、P、Cl四種元素中，O元素的電負性最大。P原子核外有15個電子，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3。(3)由原子序數(shù)最小且核外電子總數(shù)與其電子層數(shù)相同，確定a為H元素，由價電子層中的未成對電子有3個，確定b為N元素，由最外層電子數(shù)為其內層電子數(shù)的3倍，確定c為O元

18、素，由d與c同主族，確定d為S元素，由e的最外層只有1個電子且次外層有18個電子，確定e為Cu元素。N、O同周期，第一電離能N>O，O、S同主族，第一電離能O>S，即N、O、S中第一電離能最大的是N元素；Cu的價電子排布式為3d104s1，其價層電子軌道示意圖為。(4)①由電離能數(shù)據可知，該元素呈＋3價，為Al；②Ge的最高正價為＋4價；③Ge位于金屬和非金屬的分界線上，故其可做半導體材料，其氯化物和溴化物為分子晶體，相對分子質量越大，其沸點越高。 9．(1)1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1 (2)Br>As>Se　(3)平面三角形 (4)

19、硅烷的相對分子質量越大，分子間范德華力越強 (5)sp3 (6)Cu＋H2O2＋4NH3·H2O===Cu(NH3)＋2OH－＋4H2O 解析：(1)鎵的原子序數(shù)是31，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1。(2)由于As的4p能級處于半充滿狀態(tài)，所以第一電離能：Br>As>Se。(3)根據VESPR模型，氣態(tài)SeO3分子中，中心原子Se的孤電子對數(shù)為0，所以SeO3的立體構型為平面三角形。(4)結構與組成相似的硅烷的相對分子質量越大，分子間范德華力越強。(5)根據VESPR模型可知[B(OH)4]－中B的原子雜化類型為

20、sp3雜化。(6)根據元素守恒和得失電子守恒可得Cu＋H2O2＋4NH3·H2O===Cu(NH3)＋2OH－＋4H2O。 10．(1)M　9　(2) 1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1 (3)sp2　三角錐形 (4) 解析：已知A、B、C、D四種短周期元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。A與C原子的基態(tài)電子排布中L能層都有2個未成對電子，則A是碳元素，C是氧元素，所以B是氮元素。C、D同主族，則D是S元素。E、F都是第四周期元素，F(xiàn)原子除最外能層只有1個電子外，其余各能層均為全充滿，這說明F是銅元素。E原子的基態(tài)電子排布中有4個未成對電子，則E的3d能級

21、上含有6個電子，因此E是鐵元素。(1)S是第三周期元素，則基態(tài)S原子中，電子占據的最高能層為M層，該能層含有s、p、d三個能級，則具有的原子軌道數(shù)為1＋3＋5＝9。(2)鐵的原子序數(shù)是26，則根據核外電子排布規(guī)律可知Fe2＋的價層電子排布圖是。銅的原子序數(shù)是29，則銅原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s1。(3)A元素的最高價氧化物對應的水化物是碳酸，分子中碳元素價層電子對數(shù)是3，且不存在孤對電子，所以中心原子采取的軌道雜化方式為sp2。B元素的氣態(tài)氫化物NH3分子中氮元素價層電子對數(shù)是4，有一對孤對電子，所以氨氣的VESPR模型為三角錐形。(4)化合物AC2、B2C和

22、陰離子DAB－互為等電子體，它們結構相似，則根據CO2的電子式可推知DAB－的電子式為。 11．(1)1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2 (2)sp3 (3)電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時，以光(子)的形式釋放能量 (4)Mn2＋的3d軌道電子排布為半充滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定 (5)2 (6)Al 解析：(4)o元素為Mn，其基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2，Mn2＋的基態(tài)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5，其3d能級為半充滿狀態(tài)，相對比較穩(wěn)定，當其失去第三個電子時比較困難，而p2＋的基態(tài)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d6，其3d能級再失去一個電子即為半充滿結構，形成相對比較穩(wěn)定的結構，故其失去第三個電子比較容易。(5)第三周期8種元素分別為鈉、鎂、鋁、硅、磷、硫、氯、氬，其單質中鈉、鎂、鋁形成金屬晶體，熔點依次升高；硅形成原子晶體；磷、硫、氯、氬形成分子晶體，且常溫下磷、硫為固體，氯氣、氬為氣體，故8種元素按單質熔點由高到低的順序為硅、鋁、鎂、硫、磷、鈉、氯、氬，其中電負性最大的為氯。(6)由圖可知，該元素的電離能I4遠大于I3，故為第ⅢA族元素，元素周期表中所列的第ⅢA族元素i屬于第三周期，應為Al。