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1、1.3 決定離子晶體結構的基本因素 一 、 內(nèi)在因素對晶體結構的影響 1.質點的相對大小 2.晶體中質點的堆積 3.配位數(shù)與配位多面體 4.離子極化 二 、 外在因素對晶體結構的影響 同質多晶與類質 同晶及晶型轉變 一、內(nèi)在因素對晶體結構的影響 1.質點的相對大小 2.晶體中質點的堆積 3.配位數(shù)與配位多面體 4.離子極化 . 1.質點的相對大小 原子半徑及離子半徑 質點（原子或離子）的相對大小對晶體結構有 決定性影響。在晶體中，質點總是在其平衡位置 附近作振動，當質點間的結合處于對應條件下的 平衡狀態(tài)時，質點間保持著一定的距離。這個距 離反映了質點的相對大小。 1.質點的相對大小 原子半徑及

2、離子半徑 原子半徑的大小與原子處于孤立狀態(tài)還是處于結合 狀態(tài)有關。 原子處于孤立態(tài)時原子半徑定義 ：從原子核中心到 核外電子的幾率密度 趨向于 零處的距離 ， 亦稱為范 德華半徑 。 原子處于結合時 ， 根據(jù) x-射線衍射可以測出相鄰原子 面間的距離 。 如果是金屬晶體 ， 則定義金屬原子半 徑為：相鄰兩原子面間距離的一半 。 如果是離子晶 體 ， 則定義正 、 負離子半徑之和等于相鄰兩原子面 間的距離 。 離子半徑 每個離子周圍存在的球形力場的半徑即是 離子半徑 。 離子晶體的正 、 負離子半徑之和等于相鄰兩原子面間的 距離 ， 可根據(jù) x-射線衍射測出 ， 這時要確定正 、 負離子半徑分

3、別為多少 ， 還要再建立一個關系式 ， 才能求解出正 、 負離子半 徑的確切數(shù)據(jù) 。 確定正 、 負離子半徑的確切數(shù)據(jù) ， 有兩種方法 ， 其一是 哥希密特 （ Goldschmidt） 從離子堆積的幾何關系出發(fā) ， 建立 方程所計算的結果稱為 哥希密特離子半徑 （ 離子間的接觸半 徑 ） 。 其二是鮑林 （ Pauling） 考慮了原子核及其它離子的電子 對核外電子的作用后 ， 從有效核電荷的觀點出發(fā)定義的一套質 點間相對大小的數(shù)據(jù) ， 稱為 鮑林離子半徑 。 由此可見，原子半徑或離子半徑實際上反映了質點間 相互作用達到平衡時，質點間距離的相對大小。不同學者 給出的離子半徑的數(shù)據(jù)在大小上雖有

4、一定差異，但它們都 反映出質點間相對距離這一實質。而這一距離的大小是與 離子間交互作用的多種因素有關的，如密堆積時，一個離 子周圍異種離子的數(shù)目應盡可能多；溫度升高時，質點間 距離增大，故離子半徑會相應地增大；壓力增大時，離子 間距離會縮小，因而離子半徑亦會減小。另外，離子間的 相互極化作用也會對離子半徑有較大的影響。 2.晶體中質點的堆積 最緊密堆積原理： 晶體中各離子間的相互結合 ， 可以看作是球 體的堆積 。 球體堆積的密度越大 ， 系統(tǒng)的勢能 越低 ， 晶體越穩(wěn)定 。 此即 球體最緊密堆積原理 。 適用范圍：典型的離子晶體和金屬晶體 。 質點堆積方式 ： 根據(jù)質點的大小不同，球體最緊密

5、堆積方式分為 等徑 球 和 不等徑球 兩種情況。 等徑球的堆積 不等徑球的堆積 最密堆積方 式 最緊密堆積中的空隙 面心立方最緊密堆積 六方最緊密堆積 等徑球最緊密堆積 時，在平面上每個球與 6個球相接觸， 形成第一層（球心位置標記為 A），如 圖 1-5所示。此時， 每 3個彼此相接觸的球體之間形成 1個弧線三角形空隙， 每個球周圍有 6個弧線三角形空隙，其中 3個空隙的尖角 指向圖的下方（其中心位置標記為 B），另外 3個空隙的 尖角指向圖的上方（其中心位置標記為 C），這兩種空 隙相間分布。 等徑球質點堆積 圖 1-5 等徑球體在平面上的最緊密堆積 等徑球質點堆積 A A A A A A

6、 A A A A A A A A A A A A A B C 面心立方最緊密堆積和六方最緊密堆積 球體在空間的堆積是按照 ABAB 的層序來堆積 。 這樣的堆積中可以取出一個六方晶胞 ， 稱為六方最緊密堆 積 （ A3型 ） 。 另一種堆積方式是按照 ABCABC 的堆積方式 。 這樣的堆積中可以取出一個面心立方晶胞 ， 稱為面心立方 最緊密堆積 。 面心立方堆積中 ， ABCABC 重復層面 平行于 （ 111） 晶面 （ A1型 ） 。 兩種最緊密堆積中 ， 每個球體周圍同種球體的個數(shù)均 為 12。 等徑球質點堆積 ABCABC 層序堆積 面心立方密堆積 A1 ABAB 的層序堆積 六方密

7、堆積 A3 等徑球質點堆積 A A A A A A A A A A A A A A A A A A A B C A A A A A A A A A A A A A A A A A A A B C 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 A B C 面心立方最 緊密堆積 A B C A A B C 面心立方最 緊密堆積 ABCABC, 即每三層重復一次 1 2 3 4 5 6 面心立方最 緊密堆積 B C A 密排面 面心立方晶胞 面心立方最緊密堆積 面心立方最 緊密堆積 六方最緊密堆積 1 2 3 4 5 6 ABAB 的層序堆積 A B A B A 六方最緊密

8、堆積 ABABAB 每兩層重復一次 A A A A B B 密 排 面 六方晶胞 六方密堆積 最緊密堆積的空隙： 由于球體之間是剛性點接觸堆積 ， 最緊密堆積中仍然 有空隙存在 。 從形狀上看 ， 空隙有兩種：一種是四面體空 隙 ， 由 4個球體所構成 ， 球心連線構成一個正四面體；另 一種是八面體空隙 ， 由 6個球體構成 ， 球心連線形成一個 正八面體 。 顯然 ， 由同種球組成的四面體空隙小于八面體空隙 。 等徑球質點堆積 四面體空隙 八面體空隙 最緊密堆積的空隙： 最緊密堆積中空隙的分布情況： 每個球體周圍有 多少 個四面體空隙 ？ 每個球體周圍有 多少 個八面體空隙 ？ 等徑球質點堆

9、積 1個球的周圍有 8個四面體空隙 1個球的周圍有 6個四面體空隙 n個等徑球最緊密堆積時 ， 整個系統(tǒng)四面體空隙 數(shù)多少個 ？ 八面體空隙數(shù)多少個 ？ n個等徑球最緊密堆積時 ， 整個系統(tǒng)四面體空隙 數(shù) 2n個；八面體空隙數(shù) n個 。 最緊密堆積中空隙的分布情況： 等徑球質點堆積 如何表征密堆系統(tǒng)總空隙的大小 ？ 采用 空間利用率 （ 原子堆積系數(shù) ） 來表征密堆系統(tǒng)總空隙 的大小 。 最緊密堆積中空隙的分布情況： 等徑球質點堆積 空間利用率 =晶胞中原子總體積 / 晶胞體積 用公式表示 : P0=Vatoms/Vcell 最緊密堆積中空隙的分布情況： 等徑球質點堆積 面心立方最緊密堆積 空

10、間利用率的計算 %05.74 23 216 3 16 4 3 4 22 2 4 42 33 33 c e l l a t o m s o c e l l a t o m s V V P raV rrV r r ara 兩種最緊密堆積的空間利用率均為 74.05%， 空隙 占整個空間的 25.95%。 問題：是不是空間利用率最大為 74.05%？ 不等徑球堆積 不等徑球進行堆積時 ， 較大球體作緊密堆積 ， 較小 的球填充在大球緊密堆積形成的空隙中 。 其中稍小的球 體填充在四面體空隙 ， 稍大的則填充在八面體空隙 ， 如 果更大 ， 則會使堆積方式稍加改變 ， 以產(chǎn)生更大的空隙 滿足填充的要求

11、 。 這對許多離子化合物晶體是適用的 。 例如： MgO NaCl 問題：究竟多大半徑的離子可填充四面體空隙 或八面體空隙？ 3.配位數(shù)（ coordination number ） 與配位多面體 配位數(shù)：一個原子（或離子）周圍同種原子 （或異號離子）的數(shù)目稱為原子（或離子）的配位 數(shù)，用 CN來表示。 晶體結構中正 、 負離子的配位數(shù)的大小由結構中正 、 負離子半徑的比值來決定 ， 根據(jù)幾何關系可以計算出正 離子配位數(shù)與正 、 負離子半徑比之間的關系 ， 其值列于 表 1-3。 因此 ， 如果知道了晶體結構是由何種離子構成的 ， 則從 r /r 比值就可以確定正離子的配位數(shù)及其配位多面 體的

12、結構 。 系統(tǒng)穩(wěn)定 系統(tǒng)不穩(wěn)定 會出現(xiàn)什么？ 系統(tǒng)穩(wěn)定 但當紅球半徑過大時 會出現(xiàn)什么？ 據(jù)此，可計算不同配位數(shù)時的臨界半徑比 以 NaCl為例，計算配位數(shù) 6時的臨界半徑比 A B C 2r- 2 (r-+r+) 在直角三角形 ABC中 22 )(2)2(2 rrr 41 4.012 r r 討論： 414.0 r r 表 1-3 正離子配位數(shù)與正、負離子半徑比之間的關系 r r 正 離 子 配位數(shù) 配位多面體形狀 實例 0. 000 0.1 5 5 0.1 55 0.2 25 0. 225 0.4 1 4 （ 0.4 1 4 0.7 32 ） 0. 414 0.7 3 2 （ 0.6 4

13、5 1.0 00 ） 0.7 32 1.0 00 1.000 2 3 4 4 6 8 8 12 啞鈴形 （直線形） 平面三角形或四面體形 四面體形 四方平面形 八面體形 四方反棱柱形 立方體形 立方八面體形 復七面體形 干冰 CO 2 B 2 O 3 、 C dI 2 Si O 2 、 Ge O 2 Na Cl 、 M g O 、 T i O 2 Cs Cl 、 Z r O 2 、 CaF 2 Cu Cs 值得注意的是在許多硅酸鹽晶體中，配位多面體的 幾何形狀不象理想的那樣有規(guī)則，甚至在有些情況下可能 會出現(xiàn)較大的偏差。在有些晶體中，每個離子周圍的環(huán)境 也不一定完全相同，所受的鍵力也可能不均衡

14、，因而會出 現(xiàn)一些特殊的配位情況， 表 1-4給出了一些正離子與 O2 離 子結合時常見的配位數(shù)。 表 1-4 正離子與 O2 離子結合時常見的配位數(shù) 配位數(shù) 正離子 3 4 6 8 12 B 3+ Be 2+ ， Ni 2+ ， Zn 2+ ， Cu 2+ ， Al 3+ ， Ti 4+ ， Si 4+ ， P 5+ Na + ， M g 2+ ， Ca 2+ ， Fe 2+ ， Mn 2+ ， Al 3+ ， Fe 3+ ， Cr 3+ ， Ti 4+ ， Nb 5+ ， Ta 5+ Ca 2+ ， Zr 4+ ， Th 4+ ， U 4+ ， TR 3+ K + ， Na + ， Ba

15、2+ ， TR 3+ 影響配位數(shù)的因素除正、負離子半徑比以外，還 有 溫度、壓力、正離子類型以及極化性能 等。對于典型 的離子晶體而言，在常溫常壓條件下，如果正離子的變 形現(xiàn)象不發(fā)生或者變形很小時，其配位情況主要取決于 正、負離子半徑比，否則，應該考慮離子極化對晶體結 構的影響。 4 離子極化 在離子晶體中，通常把離子視作剛性的小球，這是 一種近似處理，這種近似僅在典型的離子晶體中誤差較 小。實際上，在離子緊密堆積時，帶電荷的離子所產(chǎn)生 的電場，必然要對另一個離子的電子云產(chǎn)生吸引或排斥 作用，使之發(fā)生變形，這種現(xiàn)象稱為 極化 。 極化有雙重作用 ， 自身被極化和極化周圍其它離子 。 前者用極化

16、率 （ ） 來表示 ， 后者用極化力 （ ） 來表示 。 極化率 定義為單位有效電場強度 （ E） 下所產(chǎn)生的 電偶極矩 （ ） 的大小 ， 即 =/E。 極化率反映了離子被 極化的難易程度 ， 即變形性的大小 。 極化力 與離子的有效電荷數(shù) （ Z*） 成正比 ， 與離子 半徑 （ r） 的平方成反比 ， 即 =Z*/r2。 極化力反映了極化 周圍其它離子的能力 。 自身被極化和極化周圍其它離子兩個作用同時存在。 正離子 不易被極化 負離子 被極化 為什么 為什么 特殊的正離子 18電子構型 半徑較小 電價較高 電價小而半徑較大 的負離子尤為顯著 被極化 自身被極化和極化周圍其它離子兩個作用

17、同時存 在。一般來說，正離子半徑較小，電價較高，極化力表 現(xiàn)明顯，不易被極化。負離子則相反，經(jīng)常表現(xiàn)出被極 化的現(xiàn)象，電價小而半徑較大的負離子（如 I ， Br 等） 尤為顯著。因此，考慮離子間相互極化作用時，一般只 考慮正離子對負離子的極化作用，但當正離子為 18電子 構型時，必須考慮負離子對正離子的極化作用，以及由 此產(chǎn)生的誘導偶極矩所引起的附加極化效應。 最終使晶體結構類型發(fā)生變化 極化會對晶體結構產(chǎn)生的顯著影響： 極化會導致 離子間距離 縮短 ， 離子 配位數(shù)降低 變形的電子云 相互重疊，使 鍵性由離子鍵 向共價鍵過渡 圖 1-7 離子極化作用示意圖 圖 1-8 負離子在正離子的電場中

18、被極化使配位數(shù)降低 鹵化物 AgCl， AgBr和 AgI，按正負離子半徑比預 測， Ag+離子的配位數(shù)都是 6，屬于 NaCl型結構，但實際 上 AgI晶體屬于配位數(shù)為 4的立方 ZnS型結構，見 表 1-5。 舉例 為什么：離子間很強的 極化作用 ，使離子間強烈靠近， 配位數(shù)降低，結構類型發(fā)生變化。由于極化使離子的電 子云變形失去球形對稱，相互重疊，導致鍵性由離子鍵 過渡為共價鍵。極化對 AX2型晶體結構的影響結果示于 圖 1-9。 表 1-5 離子極化與鹵化銀晶體結構類型的關系 A g C l A g B r A g I Ag + 和 X 半徑之和（ nm ） Ag + X 實測距離（

19、nm ） 極化靠近值 （ nm ） r + /r - 值 理論結構類型 實際結構類型 實際配位數(shù) 0. 123+ 0 . 1 7 2 = 0 . 2 9 5 0 . 2 7 7 0. 018 0 . 7 1 5 N aC l N aC l 6 0 . 1 2 3 + 0 . 1 8 8 = 0 . 3 1 1 0 . 2 8 8 0 . 0 2 3 0 . 6 5 4 N aC l N aC l 6 0 . 1 2 3 + 0 . 2 1 3 = 0 3 3 6 0 . 2 9 9 0 . 0 3 7 0 . 5 7 7 N aC l 立方 Zn S 4 圖 1-9 離子極化與 AX2型晶體的

20、型變規(guī)律 8/4CaF2型 6/3金紅石型 4/2立方 SiO2 2/1分子型 CO2 CdCl2型 CdI2型 MoS2型 FeS2型 分子型 CO2 0.22 0.41 0.73 R+/R- 極化上升 綜上所述，離子晶體的結構主要取決于離子間的 相對數(shù)量，離子的相對大小以及離子間的極化等因素。 這些因素的相互作用又取決于晶體的化學組成，其中 何種因素起主要作用，要視具體晶體而定，不能一概 而論。 哥希密特（ Goldschmidt）結晶化學定律 哥希密特（ Goldschmidt）據(jù)此于 1926年總結出 結晶化學定律，即“晶體結構取決于其組成基元 （原子、離子或離子團）的數(shù)量關系，大小關

21、系及 極化性能”。數(shù)量關系反映在化學式上，在無機化 合物晶體中，常按數(shù)量關系對晶體結構分類，見 表 1-6。 影響離子晶體結構內(nèi)在因素的小結： 表 1-6 無機化合物結構類型 化學式類型 AX AX 2 A 2 X 3 AB O 3 AB O 4 AB 2 O 4 結構類型舉例 氯化鈉型 金紅石型 剛玉型 鈣鈦礦型 鎢酸鈣型 尖晶石型 實例 N aC l T i O 2 - Al 2 O 3 C aT i O 3 P b M o O 4 M g Al 2 O 4 構成晶體的基元的數(shù)量關系相同 ， 但大小不同 ， 其 結構類型亦不相同 。 如 AX型晶體由于離子半徑比不同有 CsCl型 、 Na

22、Cl型 、 ZnS型等結構 ， 其配位數(shù)分別為 8、 6 和 4。 有時，組成晶體的基元的數(shù)量和大小關系皆相同， 但因極化性能不同，其結構類型亦不相同。如 AgCl和 AgI均屬 AX型，其 r+/r-比值也比較接近，但因 Cl 和 I 離 子的極化性能不同，使得其結構分別屬于 NaCl型和 ZnS 型。 二、外在因素對晶體結構的影響 同質多晶與類質同晶及晶型轉變 1.同質多晶與類質同晶 2.同質多晶轉變 從熱力學角度來看，每一種晶體都有其 形成 和 穩(wěn)定 存在 的熱力學條件。這種化學組成相同的物質，在不同 的熱力學條件下形成結構不同的晶體的現(xiàn)象，稱為 同質 多晶現(xiàn)象 。由此所產(chǎn)生的每一種化學

23、組成相同但結構不 同的晶體，稱為 變體 。同質多晶現(xiàn)象在氧化物晶體中普 遍存在，對研究晶型轉變、材料制備過程中工藝制度的 確定等具有重要意義。 1.同質多晶與類質同晶 在自然界還存在這樣一種現(xiàn)象，化學組成相似或相 近的物質，在相同的熱力學條件下，形成的晶體具有相同 的結構，這種現(xiàn)象稱為 類質同晶 現(xiàn)象。這是自然界很多礦 物經(jīng)常共生在一起的根源。例如菱鎂礦（ MgCO3）和菱 鐵礦（ FeCO3）因其組成接近，結構相同，因而經(jīng)常共 生在一起。類質同晶對礦物提純與分離、固溶體的形成及 材料改性具有重要意義。 2.同質多晶轉變 在同質多晶中，由于各個變體是在不同的熱力學 條件下形成的，因而各個變體都

24、有自己穩(wěn)定存在的熱力 學范圍。當外界條件改變到一定程度時，各變體之間就 可能發(fā)生結構上的轉變，即發(fā)生同質多晶轉變 。 根據(jù)轉變時速度的快慢和晶體結構變化的不同， 可將多晶轉變分為兩類： 位移性轉變和重建性轉變 。 圖 1-9 多晶轉變類型 位移性轉變 重建性轉變 各自有何特點？ 位移性轉變 僅僅是結構畸變，轉變前后結構差異小，轉 變時并不打開任何鍵或改變最鄰近的配位數(shù)，只是原子 的位置發(fā)生少許位移，使次級配位有所改變，如圖 1-9所 示的高對稱結構（ a）向（ b）和（ c）結構的轉變。由 于位移性轉變僅僅是鍵長和鍵角的調整，未涉及舊鍵破 壞和新鍵形成，因而轉變速度很快，常在一個確定穩(wěn)定 下發(fā)生。 位移性轉變也稱為高低溫性轉變 。 -石英和 - 石英在 573 的晶型轉變屬于位移性轉變。 重建性轉變 不能簡單地通過原子位移來實現(xiàn)，轉變前后 結構差異大，必須打開原子間的鍵，形成一個具有新鍵 的結構，如 圖 1-9中（ a）到（ d）的轉變。因為打開舊 鍵并重新組成新鍵需要較大的能量，所以重建性轉變的 速度很慢。高溫型的變體經(jīng)常以介穩(wěn)狀態(tài)存在于室溫條 件下。如 -石英和 -磷石英之間的轉變。加入礦化劑可 以加速這種轉變的進行。