《《存儲(chǔ)器技術(shù)》PPT課件》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《《存儲(chǔ)器技術(shù)》PPT課件（25頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、Hom e3.1 存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介3.2 讀寫存儲(chǔ)器3.3 存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)內(nèi)容簡(jiǎn)介習(xí)題解答重點(diǎn)/難點(diǎn) 本章主要對(duì)微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行了概述，內(nèi)容包括存儲(chǔ)器的分類、存儲(chǔ)器的擴(kuò)展、存儲(chǔ)器的管理、常用內(nèi)存儲(chǔ)器的引腳功能與工作原理，以及外存儲(chǔ)器的基本知識(shí)。 Hom e內(nèi)容簡(jiǎn)介 Hom eu 芯片SRAM 2114和DRAM 4116u 芯片EPROM 2764和EEPROM 2817AuSRAM、EPROM與CPU的連接重點(diǎn)與難點(diǎn) Hom eNext1點(diǎn)擊演示！1.存儲(chǔ)器分類 Hom eNext2點(diǎn)擊演示！內(nèi)存儲(chǔ)器按其在微機(jī)系統(tǒng)中的位置可分成兩大類： mBack 2.存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)Hom

2、eBack3u 存儲(chǔ)容量u 存取速度u 可靠性u(píng) 功耗u 性能/價(jià)格比 1.靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器 （SRAM）1 (以6264芯片為例)8K8bit的CMOS RAM芯片Hom eNext 6264芯片與系統(tǒng)的連接2 D0D7A0A12WEOECS1CS 2A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號(hào)D0D7 Hom eNext mBack 6264芯片與系統(tǒng)的連接3 D0D7A0A12WEOECS1CS 2A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號(hào)D0D7 Hom eNext mBack 2.動(dòng)態(tài)讀寫存儲(chǔ)器 （DRAM）4 Hom eNext mBack 5典型的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片2164A 2

3、164A：64K1采用行地址和列地址來(lái)確定一個(gè)單元；行列地址分時(shí)傳送，共用一組地址線；地址線的數(shù)量?jī)H為同等容量SRAM芯片的一半。100 0 1 0 0 0列地址Hom eNext mBack 6動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片2164A的工作原理三種操作： 數(shù)據(jù)讀出 數(shù)據(jù)寫入 刷新將存放于每位中的信息讀出再照原樣寫入原單元的過(guò)程。Hom eNext mBack 3.可重寫的只讀存儲(chǔ)器（EPROM）7特點(diǎn)：Hom eNext mBack 8典型的EPROM 2764 Hom eNext mBack 9EPROM 2764的工作方式編程寫入的特點(diǎn)：每出現(xiàn)一個(gè)編程負(fù)脈沖就寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除標(biāo)準(zhǔn)編程

4、方式快速編程方式工作方式Hom eNext mBack 4.電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）10特點(diǎn)：Hom eNext mBack 典型的EEPROM 98C64A 11 Hom eNext mBack EEPROM 98C64A的工作方式12數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除字節(jié)寫入：每一次BUSY正脈沖寫 入一個(gè)字節(jié)自動(dòng)頁(yè)寫入：每一次BUSY正脈寫 入一頁(yè)（1 32字節(jié)）字節(jié)擦除：一次擦除一個(gè)字節(jié)片擦除：一次擦除整片Hom eNext mBack 5.閃速EEPROM（FLASH）13特點(diǎn)：應(yīng)用：Hom eNext mBack Hom eBackFLASH的工作方式14數(shù)據(jù)讀出編程寫入 擦 除讀

5、單元內(nèi)容讀內(nèi)部狀態(tài)寄存器內(nèi)容讀芯片的廠家及器件標(biāo)記數(shù)據(jù)寫入，寫軟件保護(hù)字節(jié)擦除，塊擦除，片擦除擦除掛起 Hom eNext1位擴(kuò)展擴(kuò)展每個(gè)存儲(chǔ)單元的位數(shù)字?jǐn)U展擴(kuò)展存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)字位擴(kuò)展二者的綜合用多片存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)需要的內(nèi)存空間，它們?cè)谡麄€(gè)內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍，任一時(shí)刻僅有一片（或一組）被選中。 Hom eNext2 mBack位擴(kuò)展存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量等于： 單元數(shù)每單元的位數(shù)當(dāng)構(gòu)成內(nèi)存的存儲(chǔ)器芯片的字長(zhǎng)小于內(nèi)存單元的字長(zhǎng)時(shí)，就要進(jìn)行位擴(kuò)展，使每個(gè)單元的字長(zhǎng)滿足要求。位擴(kuò)展方法： 將每片的地址線、控制線并聯(lián)，數(shù)據(jù)線分別引出。位擴(kuò)展特點(diǎn)：存儲(chǔ)器的單元數(shù)不變，位數(shù)增加。字節(jié)數(shù)字長(zhǎng) Hom eN

6、ext3 mBack字?jǐn)U展擴(kuò)展的含義：地址空間的擴(kuò)展。芯片每個(gè)單元中的字長(zhǎng)滿足，但單元數(shù)不滿足。擴(kuò)展原則：每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并聯(lián)，僅片選端分別引出，以實(shí)現(xiàn)每個(gè)芯片占據(jù)不同的地址范圍。 Hom eNext4 mBack字位擴(kuò)展根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲(chǔ)芯片數(shù)；進(jìn)行位擴(kuò)展以滿足字長(zhǎng)要求；進(jìn)行字?jǐn)U展以滿足容量要求。若已有存儲(chǔ)芯片的容量為L(zhǎng)K，要構(gòu)成容量為M N的存儲(chǔ)器，需要的芯片數(shù)為： （M / L） （N / K） 通 過(guò) 本 章 的 學(xué) 習(xí) ：熟 悉 存 儲(chǔ) 器 的 分 類 及 各 類 存 儲(chǔ) 器 的 特 點(diǎn) 和 使 用場(chǎng) 合 ； 熟 悉 半 導(dǎo) 體 存 儲(chǔ) 器 芯 片 的 結(jié) 構(gòu) ；掌 握 SRAM 2114、 DRAM 4116、 EPROM 2764、EEPROM 2817A的 引 腳 功 能 ； 理 解 SRAM讀 寫 原 理 、 DRAM讀 寫 和 刷 新 原 理 、EPROM和 EEPROM工 作 方 式掌 握 存 儲(chǔ) 芯 片 與 CPU連 接 的 方 法 ， 特 別 是 片 選端 的 處 理 。 Hom eBack