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1、北京大學(xué),大規(guī)模集成電路基礎(chǔ),基于研究的集成電路某分類方法,VLSI,ASIC,SOC,FPGA與CPLD,3.1半導(dǎo)體集成電路概述,集成電路(Integrated Circuit,IC),芯片(Chip,Die),硅片(Wafer),集成電路的成品率:,Y=,硅片上好的芯片數(shù),硅片上總的芯片數(shù),100%,成品率的檢測,決定工藝的穩(wěn)定性,成品率對集成電路廠家很重要,集成電路發(fā)展的原動力:不斷提高的性能/價格比,集成電路發(fā)展的特點:性能提高、價格降低,集成電路的性能指標(biāo):,集成度,速度、功耗,特征尺寸,可靠性,主要途徑:縮小器件的特征尺寸,增大硅片面積,功耗 延遲積,集成電路的關(guān)鍵技術(shù):光刻技術(shù)
2、(DUV深紫外波段(DUV)光刻技術(shù)),縮小尺寸:0.250.18,m,m,增大硅片:8英寸12英寸,亞0.1,m,m:一系列的挑戰(zhàn),,亞50nm:關(guān)鍵問題尚未解決,新的光刻技術(shù):,EUV(極紫外光刻),SCAPEL(Bell Lab.的E-Beam),X-ray,集成電路的制造過程:,設(shè)計 工藝加工 測試 封裝,定義電路的輸入輸出(電路指標(biāo)、性能),原理電路設(shè)計,電路模擬(SPICE),布局(Layout),考慮寄生因素后的再模擬,原型電路制備,測試、評測,產(chǎn)品,工藝問題,定義問題,不符合,不符合,集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢:,獨立的設(shè)計公司(Design House),獨立的制造廠家(標(biāo)準(zhǔn)的F
3、oundary),集成電路類型:數(shù)字集成電路、模擬集成電路,數(shù)字集成電路基本單元:開關(guān)管、反相器、組合邏輯門,模擬集成電路基本單元:放大器、電流源、電流鏡、轉(zhuǎn)換器等,3.2 雙極集成電路基礎(chǔ),有源元件:,雙極晶體管,無源元件:電阻、電容、電感等,雙極數(shù)字集成電路,基本單元:邏輯門電路,雙極邏輯門電路類型:,電阻,-,晶體管邏輯,(RTL),二極管,-,晶體管邏輯,(DTL),晶體管,-,晶體管邏輯,(TTL),集成注入邏輯,(I,2,L),發(fā)射極耦合邏輯,(ECL),雙極模擬集成電路,一般分為:,線性電路(輸入與輸出呈線性關(guān)系),非線性電路,接口電路:如A/D、D/A、電平位移電路等,3.3
4、MOS集成電路基礎(chǔ),基本電路結(jié)構(gòu):MOS器件結(jié)構(gòu),基本電路結(jié)構(gòu):CMOS,雙極型集成電路,數(shù)字電路指標(biāo)參數(shù),電壓等級,輸出擺幅,速度,功耗,噪聲容限,噪聲容限,噪聲容限:在前一極輸出為最壞的,情況,下,為保證后一極正常,工作,.所允許的最大,噪聲,幅度.噪音容限UNL、UNH,抗飽和TTL,ECL電路,ECL電路是射極耦合邏輯(Emitter Couple Logic)集成電路的簡稱 與TTL電路不同,ECL電路的最大特點是其基本門電路工作在非飽和狀態(tài) 所以,ECL電路的最大優(yōu)點是具有相當(dāng)高的速度 這種電路的平均延遲時間可達(dá)幾個毫微秒甚至亞毫微秒數(shù)量級 這使得ECL集成電路在高速和超高速數(shù)字系
5、統(tǒng)中充當(dāng)無以匹敵的角色,ECL 集成電路的基本門為一差分管對,其電路 形式如圖所示:,圖中 第I部分為基本門電路,完成“或/或非”功能;,第II部分為射級跟隨器,完成輸出及隔離功能;,第III部分為基準(zhǔn)源電路具有溫度補償功能。,在正常工作狀態(tài)下,ECL電路中的晶體管是工作于線性區(qū)或截止區(qū)的。因此,ECL集成電路被稱為非飽和型。ECL電路的邏輯擺幅較?。▋H約0.8V,而TTL的邏輯擺幅約為2.0V),當(dāng)電路從一種狀態(tài)過渡到另一種狀態(tài)時,對寄生電容的充放電時間將減少,這也是ECL電路具有高開關(guān)速度的重要原因。但邏輯擺幅小,對抗干擾能力不利。由于單元門的開關(guān)管對是輪流導(dǎo)通的,對整個電路來講沒有“截止
6、”狀態(tài),所以單元電路的功耗較大。從電路的邏輯功能來看,ECL集成電路具有互補的輸出,這意味著同時可以獲得兩種邏輯電平輸出,這將大大簡化邏輯系統(tǒng)的設(shè)計。ECL集成電路的開關(guān)管對的發(fā)射極具有很大的反饋電阻,又是射極跟隨器輸出,故這種電路具有很高的輸入阻抗和低的輸出阻抗。射極跟隨器輸出同時還具有對邏輯信號的緩沖,I,2,L電路,I2L電路采用PNP橫向晶體管作為恒流源。橫向晶體管是指PNP或NPN晶體管的發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)是沿芯片的平面方向分布,即從發(fā)射極到集電極的電流是在芯片內(nèi)橫向流動。硅雙極型集成電路主要用 NPN晶體管構(gòu)成。在以 NPN晶體管為主體的,集成電路,中,如需要兼用PNP晶體管時,
7、其方法之一是制作橫向PNP晶體管。橫向PNP晶體管制作簡單,能與NPN晶體管工藝兼容,不增加工序。在擴(kuò)散NPN晶體管基區(qū)的同時,即可制作橫向PNP晶體管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)(發(fā)射區(qū)作為注入條也可再擴(kuò)散,加深摻雜濃度)。橫向 PNP晶體管的缺點是截止頻率較低,電流放大系數(shù)在25之間,少數(shù)可達(dá)10左右。,I2L電路的倒相管采用公共發(fā)射區(qū)的縱向NPN晶體管。它與通常的縱向NPN晶體管不同,其集電區(qū)在上方,公共發(fā)射區(qū)在下方。恒流源晶體管的發(fā)射極是一個P型注入條,橫向晶體管的基區(qū)和集電區(qū),分別是縱向晶體管 NPN的發(fā)射區(qū)和基區(qū)。當(dāng)P型注入條加上正電壓后(I2L電路的電源),注入條向 N型基區(qū)注入空穴,空穴渡
8、越該基區(qū)后被集電區(qū)收集。被收集在 PNP晶體管集電區(qū)的空穴有兩個可能的去向:作為NPN晶體管的基極注入電流(如果前級NPN晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)),導(dǎo)致NPN晶體管的導(dǎo)通;作為前級NPN晶體管的集電極電流,如果前級NPN晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),則該空穴電流流向前級 NPN晶體管。因其飽和壓降較小,本級NPN晶體管的發(fā)射結(jié)電壓也就很小,即本級NPN晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)(圖2)。因此,I2L電路的工作過程,實質(zhì)上就是由外部注入條注入的少數(shù)載流子在集成器件體內(nèi)轉(zhuǎn)移,引起基本門導(dǎo)通或截止。,基本電路結(jié)構(gòu):CMOS,基本電路結(jié)構(gòu):CMOS,MOS集成電路,數(shù)字集成電路、模擬集成電路,MOS 數(shù)字集成電路,基本電路
9、單元:,CMOS開關(guān),CMOS反相器,IN,OUT,CMOS開關(guān),W,W,VDD,IN,OUT,CMOS,反相器,VDD,Y,A1,A2,與非門:Y=A1A2,3.4 影響集成電路性能的因素和發(fā)展趨勢,有源器件,無源器件,隔離區(qū),互連線,鈍化保護(hù)層,寄生效應(yīng):電容、有源器件、電阻、電感,3.4 影響集成電路性能的因素和發(fā)展趨勢,器件的門延遲:,遷移率,溝道長度,電路的互連延遲:,線電阻(線尺寸、電阻率),線電容(介電常數(shù)、面積),途徑:,提高遷移率,如GeSi材料,減小溝道長度,互連的類別:,芯片內(nèi)互連、芯片間互連,長線互連(Global),中等線互連,短線互連(Local),門延遲時間與溝道
10、長度的關(guān)系,減小互連的途徑:,增加互連層數(shù),增大互連線截面,Cu,互連、Low K介質(zhì),多芯片模塊(MCM),系統(tǒng)芯片(System on a chip),減小特征尺寸、提高集成度、Cu互連、系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計、SOC,集成電路芯片中金屬互連線所占的面積與電路規(guī)模的關(guān)系曲線,互連線寬與互連線延遲的關(guān)系,互連技術(shù)與器件特征尺寸的縮小,(資料來源:Solidstate Technology Oct.,1998),集成電路中的材料,小結(jié):,Bipolar:,基區(qū)(Base),基區(qū)寬度W,b,發(fā)射區(qū)(Emitter),收集區(qū)(Collector),NPN,PNP,共發(fā)射極特性曲線,放大倍數(shù),、,特征頻率f,T,小結(jié):,MOS,溝道區(qū),(Channel),,,溝道長度,L,,,溝道寬度,W,柵極,(Gate),源區(qū),/,源極,(Source),漏區(qū),/,漏極,(Drain),NMOS,、,PMOS,、,CMOS,閾值電壓,Vt,,,擊穿電壓,特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線,泄漏電流,(,截止電流,),、驅(qū)動電流,(,導(dǎo)通電流,),小結(jié):器件結(jié)構(gòu),雙極器件的縱向截面結(jié)構(gòu)、俯視結(jié)構(gòu),CMOS,器件的縱向截面結(jié)構(gòu)、俯視結(jié)構(gòu),CMOS,反相器的工作原理,IC,:,有源器件、無源器件、隔離區(qū)、互連線、鈍化保護(hù)層,作 業(yè),畫出CMOS反相器的截面圖和俯視圖,畫出雙極晶體管的截面圖和俯視圖,