2019年領(lǐng)軍高考化學(xué) 清除易錯點(diǎn) 專題26 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識點(diǎn)講解.doc
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易錯點(diǎn)26 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 瞄準(zhǔn)高考 1．（2018課標(biāo)Ⅰ）Li是最輕的固體金屬，采用Li作為負(fù)極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能，得到廣泛應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}： （1）下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為_____、_____（填標(biāo)號）。 A． B． C． D． （2）Li+與H?具有相同的電子構(gòu)型，r(Li+)小于r(H?)，原因是______。 （3）LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑，LiAlH4中的陰離子空間構(gòu)型是______、中心原子的雜化形式為______。LiAlH4中，存在_____（填標(biāo)號）。 A．離子鍵 B．σ鍵 C．π鍵 D．氫鍵 （4）Li2O是離子晶體，其晶格能可通過圖(a)的Born?Haber循環(huán)計(jì)算得到。 可知，Li原子的第一電離能為________kJmol?1，O=O鍵鍵能為______kJmol?1，Li2O晶格能為______kJmol?1。 （5）Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu)，晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數(shù)為0.4665 nm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則Li2O的密度為______gcm?3（列出計(jì)算式）。 【答案】D C Li+核電荷數(shù)較大 正四面體 sp3 AB 520 498 2908 【解析】（1）根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知Li的基態(tài)核外電子排布式為1s22s1，則D中能量最低；選項(xiàng)C中有2個電子處于2p能級上，能量最高； （2）由于鋰的核電荷數(shù)較大，原子核對最外層電子的吸引力較大，因此Li＋半徑小于H－； 2．（2018課標(biāo)Ⅱ）硫及其化合物有許多用途，相關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)如下表所示： H2S S8 FeS2 SO2 SO3 H2SO4 熔點(diǎn)/℃ ?85.5 115.2 >600（分解） ?75.5 16.8 10.3 沸點(diǎn)/℃ ?60.3 444.6 ?10.0 45.0 337.0 回答下列問題： （1）基態(tài)Fe原子價層電子的電子排布圖（軌道表達(dá)式）為__________，基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為_________形。 （2）根據(jù)價層電子對互斥理論，H2S、SO2、SO3的氣態(tài)分子中，中心原子價層電子對數(shù)不同于其他分子的是_________。 （3）圖（a）為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要原因?yàn)開_________。 （4）氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型為_____形，其中共價鍵的類型有______種；固體三氧化硫中存在如圖（b）所示的三聚分子，該分子中S原子的雜化軌道類型為________。 （5）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為___________gcm?3；晶胞中Fe2+位于所形成的正八面體的體心，該正八面體的邊長為______nm。 【答案】 啞鈴（紡錘） H2S S8相對分子質(zhì)量大，分子間范德華力強(qiáng) 平面三角 2 sp3 3．（2018課標(biāo)Ⅲ）鋅在工業(yè)中有重要作用，也是人體必需的微量元素?；卮鹣铝袉栴}： （1）Zn原子核外電子排布式為________________。 （2）黃銅是人類最早使用的合金之一，主要由Zn和Cu組成。第一電離能Ⅰ1（Zn）_______Ⅰ1（Cu)(填“大于”或“小于”)。原因是________________。 （3）ZnF2具有較高的熔點(diǎn)（872 ℃)，其化學(xué)鍵類型是_________；ZnF2不溶于有機(jī)溶劑而ZnCl2、ZnBr2、ZnI2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑，原因是________________。 （4）《中華本草》等中醫(yī)典籍中，記載了爐甘石（ZnCO3）入藥，可用于治療皮膚炎癥或表面創(chuàng)傷。ZnCO3中，陰離子空間構(gòu)型為________________，C原子的雜化形式為________________。 （5）金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示，這種堆積方式稱為_______________。六棱柱底邊邊長為a cm，高為c cm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，Zn的密度為________________gcm－3（列出計(jì)算式）。 【答案】 [Ar]3d104s2 大于 Zn核外電子排布為全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失電子 離子鍵 ZnF2為離子化合物，ZnCl2、ZnBr2、ZnI2的化學(xué)鍵以共價鍵為主、極性較小 平面三角形 sp2 六方最密堆積（A3型） 為6 cm3。所以密度為：gcm-3。 4．（2017課標(biāo)Ⅰ）鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}： （1）元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對應(yīng)的輻射波長為_______nm（填標(biāo)號）。 A．404.4 B．553.5 C．589.2 D．670.8 E.766.5 （2）基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是_________，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為___________。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是___________________________。 （3）X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在I3+離子。I3+離子的幾何構(gòu)型為_____________，中心原子的雜化形式為________________。 （4）KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立體結(jié)構(gòu)，邊長為a=0.446nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。K與O間的最短距離為______nm，與K緊鄰的O個數(shù)為__________。 （5）在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則K處于______位置，O處于______位置。 【參考答案】（1）A （2）N 球形 K的原子半徑較大且價電子數(shù)較少，金屬鍵較弱 （3）V形 sp3 （4）0.315 12 （5）體心 棱心 5．（2017課標(biāo)Ⅱ）我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl（用R代表）?；卮鹣铝袉栴}： （1）氮原子價層電子對的軌道表達(dá)式（電子排布圖）為_____________。 （2）元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負(fù)一價離子時所放出的能量稱作第一電子親和能（E1）。第二周期部分元素的E1變化趨勢如圖（a）所示，其中除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是___________；氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是__________。 （3）經(jīng)X射線衍射測得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖（b）所示。 ①從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽離子的相同之處為_________，不同之處為__________。（填標(biāo)號） A．中心原子的雜化軌道類型 B．中心原子的價層電子對數(shù) C．立體結(jié)構(gòu) D．共價鍵類型 ②R中陰離子N5-中的σ鍵總數(shù)為________個。分子中的大π鍵可用符號表示，其中m代表參與形成的大π鍵原子數(shù)，n代表參與形成的大π鍵電子數(shù)（如苯分子中的大π鍵可表示為），則N5-中的大π鍵應(yīng)表示為____________。 ③圖（b）中虛線代表氫鍵，其表示式為（NH4+）N-H┄Cl、____________、____________。 （4）R的晶體密度為d gcm-3，其立方晶胞參數(shù)為a nm，晶胞中含有y個[(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl]單元，該單元的相對質(zhì)量為M，則y的計(jì)算表達(dá)式為______________。 【參考答案】 （1） （2）同周期隨著核電荷數(shù)依次增大，原子半徑逐漸變小，故結(jié)合一個電子釋放出的能量依次增大 N的2p能級處于半充滿狀態(tài)，相對穩(wěn)定，不易結(jié)合一個電子 （3）①ABD； C ②5NA ③（H3O+）O—H…N （NH4+））N—H…N （4） 6．（2017課標(biāo)Ⅲ）研究發(fā)現(xiàn)，在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)（CO2+3H2=CH3OH+H2O）中，Co氧化物負(fù)載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應(yīng)用前景。回答下列問題： （1）Co基態(tài)原子核外電子排布式為_____________。元素Mn與O中，第一電離能較大的是_________，基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是_________________。 （2）CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為__________和__________。 （3）在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)開________，原因是______________________________。 （4）硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料，Mn(NO3)2中的化學(xué)鍵除了σ鍵外，還存在________。 （5）MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420nm，則r(O2-)為________nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a =0.448 nm，則r(Mn2+)為________nm。 【答案】（1）1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2 O Mn （2）sp sp3 （3）H2O>CH3OH>CO2>H2，H2O與CH3OH均為非極性分子，H2O中氫鍵比甲醇多，CO2分子量較大，范德華力較大 （4）π鍵、離子鍵 （5）0.148 0.076 鎖定考點(diǎn) 一、原子結(jié)構(gòu) 1. 能層與能級 由必修的知識，我們已經(jīng)知道多電子原子的核外電子的能量是不同的，由內(nèi)而外可以分為： 第一、二、三、四、五、六、七……能層 符號表示 K、 L、 M、 N、 O、 P、 Q…… 能量由低到高 例如：鈉原子有11個電子，分布在三個不同的能層上，第一層2個電子，第二層8個電子，第三層1個電子。由于原子中的電子是處在原子核的引力場中，電子總是盡可能先從內(nèi)層排起，當(dāng)一層充滿后再填充下一層。理論研究證明，原子核外每一層所能容納的最多電子數(shù)如下： 能 層 一 二 三 四 五 六 七…… 符 號 K L M N O P Q…… 最多電子數(shù) 2 8 18 32 50…… 即每層所容納的最多電子數(shù)是：2n2(n：能層的序數(shù)) 但是同一個能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級(S、P、d、F)，就好比能層是樓層，能級是樓梯的階級。各能層上的能級是不一樣的。 能級的符號和所能容納的最多電子數(shù)如下： 能 層 K L M N O …… 能 級 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f …… 最多電子數(shù) 2 2 6 2 6 10 2 6 10 14 …… 各能層電子數(shù) 2 8 18 32 50 …… （1） 每個能層中，能級符號的順序是ns、np、nd、nf…… （2） 任一能層，能級數(shù)=能層序數(shù) （3） s、p、d、f……可容納的電子數(shù)依次是1、3、5、7……的兩倍 各能層所包含的能級類型及各能層、能級最多容納的電子數(shù)見下表： 2. 構(gòu)造原理 根據(jù)構(gòu)造原理，只要我們知道原子序數(shù)，就可以寫出幾乎所有元素原子的電子排布。 即電子所排的能級順序：1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 4f 5d 6p 7s…… 電子填充的先后順序（構(gòu)造原理）為： 1s 2s2p 3s3p 4s3d4p 5s4d5p 6s4f5d6p 7s5f6d7p ns (n－2)f (n－1)d np 構(gòu)造原理揭示了原子核外電子的能級分布。不同能層的能級有交錯現(xiàn)象， 如E(3d)＞E(4s)、E(4d)＞E(5s)、E(5d)＞E(6s)、E(6d)＞E(7s)、E(4f)＞E(5p)等。 構(gòu)造原理是書寫基態(tài)原子電子排布式的依據(jù)，也是繪制基態(tài)原子電子排布圖（即軌道表示式）的主要依據(jù)之一。如：Na：1s22s22p63s1，能級符號上面數(shù)字是該能級上的電子數(shù)。 元素原子的電子排布：（1—36號） 氫 H 1s1 …… 鈉 Na 1s22s22p63s1 …… 鉀 K 1s22s22p63s23p64s1 【Ar】4s1 …… 有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對于構(gòu)造原理有一個電子的偏差，如： 鉻 24Cr [Ar]3d54s1 銅 29Cu [Ar]3d104s1 例如：寫出17Cl（氯）、21Sc(鈧)、35Br（溴）的電子排布 氯：1s22s22p63s23p5 鈧：1s22s22p63s23p63d14s2 溴：1s22s22p63s23p63d104s24p5 3.電子云和原子軌道： (1) 電子運(yùn)動的特點(diǎn)：①質(zhì)量極小 ②運(yùn)動空間極小 ③極高速運(yùn)動。 因此，電子運(yùn)動來能用牛頓運(yùn)動定律來描述，只能用統(tǒng)計(jì)的觀點(diǎn)來描述。我們不可能像描述宏觀運(yùn)動物體那樣，確定一定狀態(tài)的核外電子在某個時刻處于原子核外空間如何，而只能確定它在原子核外各處出現(xiàn)的概率。 概率分布圖看起來像一片云霧，因而被形象地稱作電子云。常把電子出現(xiàn)的概率約為90%的空間圈出來，人們把這種電子云輪廓圖成為原子軌道。 S的原子軌道是球形的，能層序數(shù)越大，原子軌道的半徑越大。 P的原子軌道是紡錘形的，每個P能級有3個軌道，它們互相垂直，分別以Px、Py、Pz為符號。P原子軌道的平均半徑也隨能層序數(shù)增大而增大。 s電子的原子軌道都是球形的(原子核位于球心)，能層序數(shù)，2越大，原子軌道的半徑越大。這是由于1s，2s，3s……電子的能量依次增高，電子在離核更遠(yuǎn)的區(qū)域出現(xiàn)的概率逐漸增大，電子云越來越向更大的空間擴(kuò)展。這是不難理解的，打個比喻，神州五號必須依靠推動(提供能量)才能克服地球引力上天，2s電子比1s電子能量高，克服原子 核的吸引在離核更遠(yuǎn)的空間出現(xiàn)的概率就比1s大，因而2s電子云必然比1s電子云更擴(kuò)散。 (2) [重點(diǎn)難點(diǎn)]泡利原理和洪特規(guī)則 量子力學(xué)告訴我們：ns能級各有一個軌道，np能級各有3個軌道，nd能級各有5個軌道，nf能級各有7個軌道.而每個軌道里最多能容納2個電子，通常稱為電子對，用方向相反的箭頭“↑↓”來表示。 一個原子軌道里最多只能容納2個電子，而且自旋方向相反，這個原理成為泡利原理。 推理各電子層的軌道數(shù)和容納的電子數(shù)。 當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道時，總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個軌道，而且自旋方向相同，這個規(guī)則是洪特規(guī)則。 洪特規(guī)則的特例：對于同一個能級，當(dāng)電子排布為全充滿、半充滿或全空時，是比較穩(wěn)定的。 特例： 24Cr 1s22s22p63s23p63d54s1 29Cu 1s22s22p63s23p63d104s1 ↓↑ ↓↑ ↓↑ ↓↑ ↓↑ 3d 3d ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 半充滿 全充滿 軌道表示式：用“□”表示軌道，用“↑”或“↓”表示容納的電子。 1s 1s ↓↑ ↑ 如：1H 2He 1s 2s 1s 2s 2p ↑ ↓↑ ↓↑ ↑ ↑ ↓↑ 3Li 6C 注意：ns能級各有1個軌道，np能級各有3個軌道，nd能級各有5個軌道，nf能級各有7個軌道。而每個軌道里最多能容納2個電子，通常稱為電子對，用方向相反的箭頭“↑↓”來表示。“↑” “↓”表示自選方向相反。 4. 基態(tài)、激發(fā)態(tài)、光譜 1．基態(tài)：最低能量狀態(tài)。如處于最低能量狀態(tài)的原子稱為基態(tài)原子。 2．激發(fā)態(tài)：較高能量狀態(tài)（相對基態(tài)而言）。如基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子躍遷至較高能級成為激發(fā)態(tài)原子。 3．光譜：不同元素的原子發(fā)生躍遷時會吸收（基態(tài)→激發(fā)態(tài)）和放出（基態(tài)→激發(fā)態(tài)）能量，產(chǎn)生不同的光譜——原子光譜（吸收光譜和發(fā)射光譜）。利用光譜分析可以發(fā)現(xiàn)新元素或利用特征譜線鑒定元素。 小結(jié)：原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，簡稱能量最低原理。處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子。 當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子會躍遷到較高能級，變成激發(fā)態(tài)原子。電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，將釋放能量。光（輻射）是電子釋放能量的重要形式之一。 不同元素的原子發(fā)生躍遷時會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取各種元素的電子的吸收光譜或發(fā)射光譜，總稱原子光譜。許多元素是通過原子光譜發(fā)現(xiàn)的。在現(xiàn)代化學(xué)中，常利用原子光譜上的特征譜線來鑒定元素，稱為光譜分析。 二、分子結(jié)構(gòu) 1. 共價鍵 ⑴.共價鍵的本質(zhì)及特征 共價鍵的本質(zhì)是在原子之間形成共用電子對，其特征是具有飽和性和方向性。 ⑵.共價鍵的類型 ①按成鍵原子間共用電子對的數(shù)目分為單鍵、雙鍵、三鍵。 ②按共用電子對是否偏移分為極性鍵、非極性鍵。 ③按原子軌道的重疊方式分為σ鍵和π鍵，前者的電子云具有軸對稱性，后者的電子云具有鏡像對稱性。 說 明：①兩原子間形成的共價鍵中，共價單鍵為σ鍵，共價雙鍵中有一個σ鍵和一個π鍵，共價三鍵中有一個σ鍵和二個π鍵。 ②并不是所有的分子中都含有共價鍵，如單原子的稀有氣體分子中無共價鍵。 ⑶.鍵參數(shù) ①鍵能：氣態(tài)基態(tài)原子形成1 mol化學(xué)鍵釋放的最低能量，鍵能越大，化學(xué)鍵越穩(wěn)定。 ②鍵長：形成共價鍵的兩個原子之間的核間距，鍵長越短，共價鍵越穩(wěn)定。 ③鍵角：在原子數(shù)超過2的分子中，兩個共價鍵之間的夾角。 ④鍵參數(shù)對分子性質(zhì)的影響 鍵長越短，鍵能越大，分子越穩(wěn)定． ⑷.等電子原理 原子總數(shù)相同、價電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征，它們的許多性質(zhì)相近。 應(yīng)用：①判斷微粒成鍵方式、空間構(gòu)型；②推測性質(zhì)。如CO與N2 。 常見等電子體的空間構(gòu)型 等電子體類型 常見等電子體 空間構(gòu)型 2原子10電子(價電子，下同) CO ，N2，CN-，，NO+， 直線形 2原子14電子 F2，，Cl2 直線形 3原子8電子 H2O，H2S，N V形 3原子16電子 CO2，N2O，CNO-，，N，SCN-，HgCl2，BeCl2(g) 直線形 3原子18電子 O3，SO2，N V形 4原子8電子 NH3，PH3，C，H3O+ 三角錐形 4原子24電子 SO3(g)，C，N，B， BF3 平面三角形 4原子26電子 S，Cl，Br，I，XeO3 三角錐形 5原子8電子 CH4，SiH4，N，P，B 正四面體形 5原子32電子 CCl4，SiF4，Si，S，Cl，P 正四面體形 12原子30電子 C6H6，N3B3H6(俗稱無機(jī)苯) 平面六邊形 7原子48電子 Al，Si，P，SF6 八面體形 2. 分子的立體構(gòu)型 ⑴ 價層電子對互斥理論 ①價電子：原子在參與化學(xué)反應(yīng)時能夠用于成鍵的電子，是原子核外跟元素化合價有關(guān)的電子。在主族元素中，價電子數(shù)就是最外層電子數(shù)。 ②價層：就是顯現(xiàn)化合價的電子層，通常指原子的最外層電子層。 ③價層電子對：指的是形成σ鍵的電子對和孤對電子。孤對電子的存在，增加了電子對間的排斥力，影響了分子中的鍵角，會改變分子構(gòu)型的基本類型。 ④價層電子對互斥理論基本觀點(diǎn)：分子中的價層電子對---成鍵電子對(即σ鍵）和孤對電子由于相互排斥作用，盡可能趨向彼此遠(yuǎn)離以減小排斥力而采取對稱的空間結(jié)構(gòu)。[一般電子對間的排斥大?。汗码娮訉﹂g的排斥（孤-孤排斥）＞孤對電子和成鍵電子對間的排斥（孤-成排斥）＞成鍵電子對間的排斥（成-成排斥）] 說明：價層電子對互斥理論：主要是用來分析主族元素形成的分子或離子的結(jié)構(gòu)的，不用來分析以過渡元素為中心的化合物。 （2）根據(jù)價層電子對互斥模型判斷分子的構(gòu)型 Ⅰ、價層電子對互斥模型說明的是價層電子對（含孤電子對）的空間構(gòu)型，而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對空間構(gòu)型，不包括孤電子對。 ①當(dāng)中心原子無孤電子對時，兩者的構(gòu)型一致； ②當(dāng)中心原子有孤電子對時，兩者的構(gòu)型不一致。 Ⅱ、對ABm型分子或離子，其價層電子對數(shù)(亦即為雜化軌道數(shù))的判斷方法為： 規(guī)定： ①作為配位原子，鹵素F、Cl、Br、I和H：價電子1個，氧族：O、S：0個； 但作為中心原子，鹵素原子按7個價電子計(jì)算，氧族元素的原子按6個價電子計(jì)算； ②對于復(fù)雜離子，應(yīng)加或減離子的電荷數(shù)；例如PO43-應(yīng)加上3個價電子。 ③計(jì)算電子對數(shù)時，若剩余1個電子，亦當(dāng)作1對電子處理。 Ⅲ、分子空間構(gòu)型 價層電子 對數(shù) 雜 化 類 型 價電子對排 布或VSEPR 模型及雜化 軌道夾角 成鍵電子對數(shù)(即σ鍵） 孤對 電子 對數(shù) 電子對空 間構(gòu)型 分子空間 構(gòu)型 實(shí)例 2 sp 直線形 2 0 直線 形 CO2/BeCl2 3 sp2 三角形 3 0 平面三角形 CO32-/SO3/BF3/ BCl3/CH2O 2 1 V形 O3/SO2/PbCl2/SnBr2 4 四面體 4 0 四面體形 CCl4/SO42-/NH4+/CH4 sp3 3 1 三角錐形 H3O+/NF3/NH3 2 2 V形 H2O/H2S/SCl2 5 sp3d 三角雙錐 （了解） 5 0 三角雙錐 PCl5 4 1 變形 四面 體 SF4 3 2 T形 ClF3 2 3 直線形 I3- ⑶ 分子構(gòu)型與雜化軌道理論 雜化軌道的要點(diǎn) 當(dāng)原子成鍵時，原子的價電子軌道相互混雜，形成與原軌道數(shù)相等且能量相同的雜化軌道。雜化軌道數(shù)不同，軌道間的夾角不同，形成分子的空間形狀不同。 ⑷ 分子構(gòu)型與價層電子對互斥模型 價層電子對互斥模型說明的是價層電子對的空間構(gòu)型，而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對空間構(gòu)型，不包括孤對電子。 ①當(dāng)中心原子無孤對電子時，兩者的構(gòu)型一致； ②當(dāng)中心原子有孤對電子時，兩者的構(gòu)型不一致。 ⑶配位化合物 ①配位鍵與極性鍵、非極性鍵的比較 ②配位化合物 a定義：金屬離子(或原子)與某些分子或離子(稱為配體)以配位鍵結(jié)合形成的化合物。 b組成：如[Ag(NH3)2]OH，中心離子為Ag＋，配體為NH3，配位數(shù)為2。 3. 分子的性質(zhì) ⑴分子間作用力的比較 ⑵ 分子的極性 (1) 極性分子：正電中心和負(fù)電中心不重合的分子。 (2) 非極性分子：正電中心和負(fù)電中心重合的分子。 ⑶ 溶解性 ① “相似相溶”規(guī)律：非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑， 極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑．若存在氫鍵，則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵作用力越大，溶解性越好。 ②“相似相溶”還適用于分子結(jié)構(gòu)的相似性，如乙醇和水互 溶，而戊醇在水中的溶解度明顯減小． ⑷ 手性 具有完全相同的組成和原子排列的一對分子，如左手和右手一樣互為鏡像，在三維空間里不能重疊的現(xiàn)象。 ⑸ 無機(jī)含氧酸分子的酸性 無機(jī)含氧酸可寫成(HO)mROn，如果成酸元素R相同，則n值越大，R的正電性越高，使R—O—H中O的電子向R偏移，在水分子的作用下越易電離出H＋，酸性越強(qiáng)，如HClO＜HClO2＜HClO3＜HClO4。 三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1．晶體與非晶體 晶體 非晶體 結(jié)構(gòu)特征 結(jié)構(gòu)微粒周期性有序排列 結(jié)構(gòu)微粒無序排列 性質(zhì)特征 自范性 有 無 熔點(diǎn) 固定 不固定 異同表現(xiàn) 各向異性 各向同性 二者區(qū)別方法 間接方法 看是否有固定的熔點(diǎn) 科學(xué)方法 對固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn) 2.得到晶體的途徑 (1)熔融態(tài)物質(zhì)凝固。 (2)氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。 (3)溶質(zhì)從溶液中析出。 3．晶胞 (1)概念：描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。 (2)晶體中晶胞的排列——無隙并置 ①無隙：相鄰晶胞之間沒有任何間隙。 ②并置：所有晶胞平行排列、取向相同。 4．晶格能 (1)定義：氣態(tài)離子形成1摩離子晶體釋放的能量，通常取正值，單位：kJmol－1。 (2)影響因素 ①離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越大。 ②離子的半徑：離子的半徑越小，晶格能越大。 (3)與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系 晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，且熔點(diǎn)越高，硬度越大。 【深度思考】 晶胞計(jì)算的思維方法 (1)晶胞計(jì)算是晶體考查的重要知識點(diǎn)之一，也是考查學(xué)生分析問題、解決問題能力的較好素材。晶體結(jié)構(gòu)的計(jì)算常常涉及如下數(shù)據(jù)：晶體密度、NA、M、晶體體積、微粒間距離、微粒半徑、夾角等，密度的表達(dá)式往往是列等式的依據(jù)。解決這類題，一是要掌握晶體“均攤法”的原理，二是要有扎實(shí)的立體幾何知識，三是要熟悉常見晶體的結(jié)構(gòu)特征，并能融會貫通，舉一反三。 (2)“均攤法”原理 特別提醒 在使用均攤法計(jì)算晶胞中微粒個數(shù)時，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一個粒子被幾個晶胞所共有，如六棱柱晶胞中，頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心依次被6、3、4、2個晶胞所共有。 (3)晶體微粒與M、ρ之間的關(guān)系 若1個晶胞中含有x個微粒，則1 mol晶胞中含有x mol微粒，其質(zhì)量為xM g(M為微粒的相對“分子”質(zhì)量)；又1個晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3 g(a3為晶胞的體積)，則1 mol晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3NA g，因此有xM＝ρa(bǔ)3NA。 四種晶體性質(zhì)比較 類型 比較 分子晶體 原子晶體 金屬晶體 離子晶體 構(gòu)成粒子 分子 原子 金屬陽離子、自由電子 陰、陽離子 粒子間的相互作用力 分子間作用力 共價鍵 金屬鍵 離子鍵 硬度 較小 很大 有的很大，有的很小 較大 熔、沸點(diǎn) 較低 很高 有的很高，有的很低 較高 溶解性 相似相溶 難溶于任何溶劑 常見溶劑難溶 大多數(shù)易溶于水等極性溶劑 導(dǎo)電、傳熱性 一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電 一般不具有導(dǎo)電性，個別為半導(dǎo)體 電和熱的良導(dǎo)體 晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電 物質(zhì)類別及舉例 所有非金屬氫化物(如水、硫化氫)、部分非金屬單質(zhì)(如鹵素X2)、部分非金屬氧化物(如CO2、SO2)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外) 部分非金屬單質(zhì)(如金剛石、硅、晶體硼)，部分非金屬化合物(如SiC、SiO2) 金屬單質(zhì)與合金(如Na、Al、Fe、青銅) 金屬氧化物(如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿(如KOH、NaOH)、絕大部分鹽(如NaCl) 晶體類型的判斷方法 1．依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間的作用判斷 (1)離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽離子，微粒間的作用是離子鍵。 (2)原子晶體的構(gòu)成微粒是原子，微粒間的作用是共價鍵。 (3)分子晶體的構(gòu)成微粒是分子，微粒間的作用為分子間作用力。 (4)金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽離子和自由電子，微粒間的作用是金屬鍵。 2．依據(jù)物質(zhì)的分類判斷 (1)金屬氧化物(如K2O)、強(qiáng)堿(如NaOH)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。 (2)大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、非金屬氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。 (3)常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的化合類原子晶體有碳化硅、二氧化硅等。 (4)金屬單質(zhì)是金屬晶體。 3．依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷 (1)離子晶體的熔點(diǎn)較高。 (2)原子晶體熔點(diǎn)高。 (3)分子晶體熔點(diǎn)低。 (4)金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高，但也有相當(dāng)?shù)偷摹? 4．依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷 離子晶體硬度較大或硬而脆。 原子晶體硬度大。 分子晶體硬度小且較脆。 金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較低的，且具有延展性。 注意 (1)常溫下為氣態(tài)或液態(tài)的物質(zhì)，其晶體應(yīng)屬于分子晶體(Hg除外)。 (2)石墨屬于混合型晶體，但因?qū)觾?nèi)原子之間碳碳共價鍵的鍵長為1.4210－10 m，比金剛石中碳碳共價鍵的鍵長(鍵長為1.5410－10 m)短，所以熔、沸點(diǎn)高于金剛石。 (3)AlCl3晶體中雖含有金屬元素，但屬于分子晶體，熔、沸點(diǎn)低(熔點(diǎn)190 ℃)。 (4)合金的硬度比成分金屬大，熔、沸點(diǎn)比成分金屬低。 比較晶體的熔、沸點(diǎn) 1．不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律 原子晶體>離子晶體>分子晶體。 金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等沸點(diǎn)很高，如汞、鎵、銫等沸點(diǎn)很低，金屬晶體一般不參與比較。 2．原子晶體 由共價鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長短，鍵能大，晶體的熔、沸點(diǎn)高。如熔點(diǎn)：金剛石>石英>碳化硅>硅。 3．離子晶體 一般地說，陰、陽離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高，如熔點(diǎn)：MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。 4．分子晶體 (1)分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體，熔、沸點(diǎn)反常的高。如H2O>H2Te>H2Se>H2S。 (2)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如SnH4>GeH4>SiH4>CH4，F(xiàn)2下載提示(請認(rèn)真閱讀)
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