版新高考化學(xué)總復(fù)習(xí)京津魯瓊版檢測:第35講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) Word版含解析
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1、 一、選擇題 1.關(guān)于晶體的下列說法正確的是( ) A.只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體 B.離子晶體中一定含金屬陽離子 C.共價(jià)化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)構(gòu) D.分子晶體的熔點(diǎn)不一定比金屬晶體熔點(diǎn)低 解析:選D。金屬晶體由金屬陽離子和自由電子構(gòu)成,所以含有金屬陽離子的晶體不一定是離子晶體,故A錯(cuò)誤;離子晶體不一定由金屬元素組成,如銨鹽等,故B錯(cuò)誤;共價(jià)化合物分子中各原子不一定都形成8電子結(jié)構(gòu),如HCl等,故C錯(cuò)誤;Hg為金屬,常溫下為液體,而S為非金屬,常溫下為固體,故D正確。 2.下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中,正確的是( ) A.金剛石>晶體硅>二氧
2、化硅>碳化硅 C.MgO>H2O>O2>Br2 D.金剛石>生鐵>純鐵>鈉 解析:選B。A項(xiàng),同屬于原子晶體,熔、沸點(diǎn)高低主要看共價(jià)鍵的強(qiáng)弱,鍵能:晶體硅<碳化硅<二氧化硅,錯(cuò)誤;B項(xiàng),形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)要大于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn),正確;C項(xiàng),對于不同類型晶體,其熔、沸點(diǎn)高低一般為原子晶體>離子晶體>分子晶體,常溫下Br2為液體,O2為氣體,故MgO>H2O>Br2>O2,錯(cuò)誤;D項(xiàng),生鐵為鐵合金,熔點(diǎn)要低于純鐵,錯(cuò)誤。 3.(2019·濰坊高三模擬)如圖為碘晶體晶胞結(jié)構(gòu)。下列有關(guān)說法中正確的是( ) A.碘分子的排列有2種不同的取向,2種取向不同的碘
3、分子以4配位數(shù)交替配位形成層結(jié)構(gòu) B.用均攤法可知平均每個(gè)晶胞中有4個(gè)碘原子 C.碘晶體為無限延伸的空間結(jié)構(gòu),是原子晶體 D.碘晶體中的碘原子間存在非極性鍵和范德華力 解析:選A。在立方體的頂面上,有5個(gè)I2,4個(gè)方向相同,結(jié)合其他面考慮可知A選項(xiàng)正確;每個(gè)晶胞中有4個(gè)碘分子,B選項(xiàng)錯(cuò)誤;此晶體是分子晶體,C選項(xiàng)錯(cuò)誤;碘原子間只存在非極性鍵,范德華力存在于分子與分子之間,D選項(xiàng)錯(cuò)誤。 4.下列數(shù)據(jù)是對應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃): BCl3 Al2O3 Na2O NaCl AlF3 AlCl3 干冰 SiO2 -107 2 073 920 801 1 291 190
4、 -57 1 723 據(jù)此做出的下列判斷中錯(cuò)誤的是( ) A.鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體 B.表中只有BCl3和干冰是分子晶體 C.同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體 D.不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體 解析:選B。A項(xiàng),氧化鋁的熔點(diǎn)高,屬于離子晶體,則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體,正確;B項(xiàng),表中只有BCl3、AlCl3和干冰是分子晶體,錯(cuò)誤;C項(xiàng),同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體,如CO2是分子晶體,二氧化硅是原子晶體,正確。 5.有下列離子晶體空間結(jié)構(gòu)示意圖,為陽離子,為陰離子。以M代表陽離子,N代表陰離子,化學(xué)式為MN2的晶體結(jié)構(gòu)為( )
5、 解析:選B。根據(jù)均攤法計(jì)算,A結(jié)構(gòu)中陽離子為4個(gè),陰離子為1個(gè),化學(xué)式為M4N;B結(jié)構(gòu)中陽離子為1/2個(gè),陰離子為1個(gè),化學(xué)式為MN2;C結(jié)構(gòu)中陽離子為3/8個(gè),陰離子為1個(gè),化學(xué)式為M3N8;D結(jié)構(gòu)中陽離子為1個(gè),陰離子為1個(gè),化學(xué)式為MN。 6.下面有關(guān)晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是( ) A.白磷晶體中,分子之間通過共價(jià)鍵結(jié)合 B.金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,由共價(jià)鍵形成的最小碳環(huán)上有6個(gè)碳原子 C.在NaCl晶體中每個(gè)Na+(或Cl-)周圍都緊鄰6個(gè)Cl-(或Na+) D.離子晶體在熔化時(shí),離子鍵被破壞,而分子晶體熔化時(shí),化學(xué)鍵不被破壞 解析:選A。白磷晶體為分子晶體,分子之間通過
6、范德華力結(jié)合,A錯(cuò)誤;金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,由共價(jià)鍵形成的最小碳環(huán)上有6個(gè)碳原子,B正確;在NaCl晶體中每個(gè)Na+(或Cl-)周圍都緊鄰6個(gè)Cl-(或Na+),C正確;離子晶體在熔化時(shí),離子鍵被破壞,而分子晶體熔化時(shí),分子間作用力被破壞,化學(xué)鍵不被破壞,D正確。 7.鐵有如下δ、γ、α三種晶體結(jié)構(gòu),三種晶體在不同溫度下能發(fā)生轉(zhuǎn)化。下列說法不正確的是( ) A.δ、γ、α三種晶體互為同分異構(gòu)體 B.α-Fe晶體中與每個(gè)鐵原子等距離且最近的鐵原子有6個(gè) C.將鐵加熱到1 500 ℃分別急速冷卻和緩慢冷卻,得到的晶體類型不同,化學(xué)性質(zhì)相同 D.γ-Fe晶體為面心立方最密堆積 解析:
7、選A。Fe的δ、γ、α三種晶體結(jié)構(gòu)不同,屬于同素異形體,不是同分異構(gòu)體,故A不正確;α-Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子是相鄰頂點(diǎn)上的鐵原子,與每個(gè)鐵原子等距離且最近的鐵原子同層原子有4個(gè),上、下層各1個(gè),故共有6個(gè),故B正確;急速冷卻和緩慢冷卻,得到的晶體類型不同,結(jié)構(gòu)不同,物理性質(zhì)不同,但化學(xué)性質(zhì)相同,故C正確;γ-Fe晶體中Fe原子處于頂點(diǎn)與面心,屬于面心立方最密堆積,故D正確。 二、非選擇題 8.(1)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為________,微粒間存在的作用力是________,SiC和晶體Si的熔、沸點(diǎn)高低順序是____________
8、____。 (2)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為________(填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是________________________________________________________________________。 (3)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2的化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大的不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成π鍵。從原子半徑大小的角度分析,C、O原子間能形成π鍵,而Si、O原子間不能形成π鍵的原因是____________
9、____________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 SiO2屬于________晶體,CO2屬于________晶體,所以熔點(diǎn):CO2________SiO2(填“<”“=”或“>”)。 (4)金剛石、晶體硅、二氧化硅、CO2 4種晶體的構(gòu)成微粒種類分別是____________________________________________________________
10、____________, 熔化時(shí)克服的微粒間的作用力分別是___________________________。 解析:(1)SiC與晶體硅結(jié)構(gòu)相似,晶體硅中一個(gè)硅原子與周圍四個(gè)硅原子相連,呈正四面體結(jié)構(gòu),所以雜化方式是sp3,則SiC晶體中C原子雜化方式為sp3;因?yàn)镾iC的鍵長小于SiSi,所以熔、沸點(diǎn)高低順序:SiC>Si。 (2)SiC電子總數(shù)是20個(gè),則該氧化物為MgO;晶格能與所構(gòu)成離子所帶電荷成正比,與離子半徑成反比,MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大,熔點(diǎn)高。 (3)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重
11、疊程度較小,不能形成穩(wěn)定的π鍵。SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體,所以熔點(diǎn):SiO2>CO2。 (4)金剛石、晶體硅、二氧化硅均為原子晶體,構(gòu)成微粒為原子,熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵;CO2為分子晶體,由分子構(gòu)成,以分子間作用力結(jié)合。 答案:(1)sp3 共價(jià)鍵 SiC>Si (2)Mg Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大 (3)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成穩(wěn)定的π鍵 原子 分子 < (4)原子、原子、原子、分子 共價(jià)鍵、共價(jià)鍵、共價(jià)鍵、分子間作用力 9.(2019·福州一中質(zhì)檢)(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心
12、立方,則該晶胞中屬于1個(gè)體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是____________。氯化銫晶體的晶胞如圖1,則Cs+位于該晶胞的________,而Cl-位于該晶胞的________,Cs+的配位數(shù)是____________。 (2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式:________________________________________________________________________。 (3)圖3為F-與Mg2+、K+形成的某種離子晶體的晶胞,其中“○”表示的離子是________(填離子符號)。 (4)實(shí)驗(yàn)證明,KCl、MgO、C
13、aO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示),已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表: 離子晶體 NaCl KCl CaO 晶格能/(kJ·mol-1) 786 715 3 401 則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點(diǎn)從高到低的順序是 ________________________________________________________________________。 MgO晶體中一個(gè)Mg2+周圍與它最鄰近且等距離的Mg2+有________個(gè)。 解析:(1)體心立方晶胞中,1個(gè)原子位于體心,8個(gè)原子位于立方體的頂點(diǎn),故1個(gè)晶胞中金
14、屬原子數(shù)為8×+1=2;氯化銫晶胞中,Cs+位于體心,Cl-位于頂點(diǎn),Cs+的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知,粒子個(gè)數(shù)比為1∶1,化學(xué)式為CuH,+1價(jià)的銅與-1價(jià)的氫均具有較強(qiáng)的還原性,氯氣具有強(qiáng)氧化性,產(chǎn)物為CuCl2和HCl。(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,黑球有1個(gè),灰球有1個(gè),白球有3個(gè),由電荷守恒可知n(Mg2+)∶n(K+)∶n(F-)=1∶1∶3,故白球?yàn)镕-。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道,離子所帶電荷越多、離子半徑越小,離子晶體的晶格能越大,離子所帶電荷數(shù):Ti3+>Mg2+,離子半徑:Mg2+<Ca2+,所以熔點(diǎn):TiN>MgO>CaO>KCl;MgO晶體中一個(gè)Mg2+周圍與它
15、最鄰近且等距離的Mg2+有12個(gè)。 答案:(1)2 體心 頂點(diǎn) 8 (2)2CuH+3Cl22CuCl2+2HCl (3)F- (4)TiN>MgO>CaO>KCl 12 10.(2019·湛江畢業(yè)班調(diào)研)短周期元素X、Y的價(jià)電子數(shù)相同,且原子序數(shù)之比等于1∶2;元素Z位于第四周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,且最外層電子數(shù)為2。 (1)Y基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為____________。 (2)預(yù)測Na2Y、H2Y在乙醇中的溶解度大?。篲____________________。 (3)Y與X可形成YX。YX的立體構(gòu)型為____________(用文字描述),Y原子軌道的
16、雜化類型是______雜化。寫出一種由Y的同周期元素Q、V形成的與YX互為等電子體的分子的化學(xué)式:____________。 (4)Y與Z所形成化合物晶體的晶胞如圖所示,該化合物的化學(xué)式為____________。其晶胞邊長為540.0 pm,密度為_____________________g·cm-3(列式并計(jì)算)。 (5)2 mol配合物[Z(NH3)4]SO4中含有σ鍵的數(shù)目為____________NA。 解析:由題中信息可推知X是O元素,Y是S元素,Z是Zn元素。 (2)乙醇是極性溶劑,H2S是極性分子,Na2S是離子化合物,可看成極性很強(qiáng)的“分子”,根據(jù)相似相溶原理,H
17、2S和Na2S在乙醇中都應(yīng)有一定的溶解度,由于Na2S的“極性”比H2S要強(qiáng),因此Na2S在乙醇中的溶解度比H2S大。 (3)YX是SO,S原子的價(jià)層電子對數(shù)是4,孤電子對數(shù)是1,所以SO的立體構(gòu)型是三角錐形,S原子軌道的雜化類型是sp3雜化。等電子體是指原子總數(shù)相等、價(jià)電子總數(shù)也相等的微粒,在第三周期的元素中,Cl和P形成的PCl3與SO互為等電子體。 (4)晶胞中S的個(gè)數(shù)是8×+6×=4,Zn的個(gè)數(shù)是4,因此該化合物的化學(xué)式為ZnS。1 pm=10-10 cm,1個(gè)晶胞中有4個(gè)“ZnS”,所以晶胞的密度ρ==≈4.1 g·cm-3。 (5)[Zn(NH3)4]SO4中Zn2+和N原子
18、形成4個(gè)σ鍵(配位鍵),N和H之間共形成12個(gè)σ鍵,S和O之間形成4個(gè)σ鍵,所以1個(gè)[Zn(NH3)4]SO4中共有20個(gè)σ鍵,2 mol [Zn(NH3)4]SO4中含有σ鍵的數(shù)目為40NA。 答案:(1)3s23p4 (2)Na2S>H2S (3)三角錐形 sp3 PCl3 (4)ZnS ≈4.1 (5)40 11.銅及其化合物具有廣泛的應(yīng)用。回答下列問題: (1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子的基態(tài)核外電子排布式為______________________,S、O、N三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____________________。 (2)Cu(NO3)
19、2溶液中通入足量NH3能生成配合物[Cu(NH3)4](NO3)2,其中NH3中心原子的雜化軌道類型為________,[Cu(NH3)4](NO3)2屬于________晶體。 (3)CuSO4溶液中加入過量KCN能生成配離子[Cu(CN)4]2-,1 mol CN-中含有的π鍵數(shù)目為________。與CN-互為等電子體的離子有________(寫出一種即可)。 (4)CuSO4的熔點(diǎn)為560 ℃,Cu(NO3)2的熔點(diǎn)為115 ℃,CuSO4熔點(diǎn)更高的原因可能是______________________________________________________________
20、__________ ________________________________________________________________________。 (5)已知Cu2O晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0),B為(1,0,0),C為(,,)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為________,它代表________原子(填元素符號)。 (6)金屬銅是面心立方最密堆積方式,則晶體中銅原子的配位數(shù)是________,該晶胞中Cu原子的空間利用率是________。 解析:(1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子都是Cu2+,其基態(tài)核外電子排布式為1s22s22p
21、63s23p63d9或[Ar]3d9;一般非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大,但是氮元素的2p軌道電子處于半充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強(qiáng),則S、O、N三種元素的第一電離能由大到小的順序是N>O>S。 (2)氨分子中N原子的價(jià)層電子對數(shù)是4,因此中心原子的雜化軌道類型為sp3;[Cu(NH3)4](NO3)2屬于離子晶體。 (3)CN-與氮?dú)饣榈入娮芋w,含有三鍵,則1 mol CN-中含有的π鍵數(shù)目為2NA。原子總數(shù)和價(jià)電子總數(shù)分別相等的微?;榈入娮芋w,與CN-互為等電子體的離子有C。 (4)由于CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體,SO所帶電荷數(shù)比NO多,故CuSO4晶格能較大,所以硫酸銅熔點(diǎn)較
22、高。 (5)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)并參照A、B、C原子的坐標(biāo)參數(shù)可知D原子的坐標(biāo)參數(shù)為(,,)。D代表的原子均位于內(nèi)部,共計(jì)4個(gè),而白球表示的原子個(gè)數(shù)為1+8×=2,因此D代表Cu原子。(6)已知金屬銅的堆積方式是面心立方最密堆積,則晶體中銅原子的配位數(shù)是12。晶胞中銅原子個(gè)數(shù)是8×+6×=4。設(shè)銅原子的半徑是r,則面對角線長是4r,立方體的邊長是2r,則立方體的體積是(2r)3,因此該晶胞中Cu原子的空間利用率是×100%≈74%。 答案:(1)1s22s22p63s23p63d9(或[Ar]3d9) N>O>S (2)sp3 離子 (3)2NA C (4)CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體,SO所帶電荷比NO大,故CuSO4晶格能較大,熔點(diǎn)較高 (5)(,,) Cu (6)12 74%
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