1、第三章 電導(dǎo)率和遷移率載流子散射電導(dǎo)率和遷移率電導(dǎo)率和溫度的關(guān)系強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng) 影響電子遷移率單位外電場(chǎng)作用下電子在電場(chǎng)方向的平均速度的因素 外加電場(chǎng)破壞了熱平衡熱平衡外加電場(chǎng)破壞了熱平衡 在恒定外電場(chǎng)的作用下電子的狀態(tài)在k空間作勻速運(yùn)動(dòng)前面講。

2、一 畫出單邊突變結(jié) pn+在下列情況下的能帶圖 、 空間電荷區(qū) 、 電場(chǎng) 分布： （ a） 熱平衡 （ b） 正偏 （ c） 反偏 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 表面效應(yīng) 表面離子電荷 耗盡層。

3、半 導(dǎo) 體 物 理 與 器 件 5.2 載 流 子 擴(kuò) 散q擴(kuò) 散 定 律當(dāng) 載 流 子 在 空 間 存 在 不 均 勻 分 布 時(shí) ， 載 流 子 將 由 高 濃 度 區(qū)向 低 濃 度 區(qū) 擴(kuò) 散 。擴(kuò) 散 是 通 過(guò) 載 流 子 的 熱。

4、第二章題解 1 第 二 章 常 用 半 導(dǎo) 體 器 件 及 應(yīng) 用 一 習(xí) 題 2 1 填空 1 半導(dǎo)材料有三個(gè)特性 它們是 2 在本征半導(dǎo)體中加入 元素可形成 N 型半導(dǎo)體 加入 元素可形成 P 型半導(dǎo) 體 3 二極管的主要特性是 4 在常溫下 硅二極管的門限電壓約為 V 導(dǎo)通后的正向壓降約為 V 鍺二極 管的門限電壓約為 V 導(dǎo)通后的正向壓降約為 V 5 在常溫下 發(fā)光二極管的正向?qū)妷杭s為。

5、半導(dǎo)體物理與器件 介質(zhì)弛豫時(shí)間常數(shù) 準(zhǔn)電中性的條件 的驗(yàn)證 設(shè)想這樣一種情形，如下圖所示，一塊均勻摻雜的 N型半導(dǎo)體材料， 在其一端的表面附近區(qū)域突然注入了均勻濃度的空穴 p ，此時(shí)這 部分過(guò)剩空穴就不會(huì)有相應(yīng)的過(guò)剩電子來(lái)與之抵消，現(xiàn)在的問(wèn)。

6、金-半非整流接觸（歐姆接觸）及二極管的特點(diǎn)和應(yīng)用,1,金屬-半導(dǎo)體接觸,在制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中,除了有PN結(jié)之外,還會(huì)遇到金屬和半導(dǎo)體相接觸的情況,這種接觸(指其間距離只有幾個(gè)埃)。有時(shí)會(huì)在半導(dǎo)體表面形成載流子的積累層,從而表現(xiàn)出低阻特性,其伏安特性是線性的；有時(shí)會(huì)在半導(dǎo)體表面形成載流子的耗盡層(阻擋層),出現(xiàn)表面勢(shì)壘,其伏安特性與PN結(jié)相似,呈非線性狀態(tài)。,2,這是由于金屬的功函數(shù)（Wm）、費(fèi)。

7、11 電工學(xué) 2 電子技術(shù) 12 概 述 電子技術(shù)： 研究電子器件電子電路和 系統(tǒng)及其應(yīng)用的技術(shù)。 電子技術(shù) 模擬電子技術(shù) 數(shù)字電子技術(shù) 13 模擬信號(hào) ： 在時(shí)間上和數(shù)值上具有連續(xù)變化的特點(diǎn)； t 數(shù)字信號(hào)： 在時(shí)間上和數(shù)值上 是離散的。

8、半 導(dǎo) 體 物 理 Semiconductor physics 第 三 章 半 導(dǎo) 體 中 載 流 子 的 統(tǒng) 計(jì) 分 布 參 與 導(dǎo) 電 的 電 子 和 空 穴 統(tǒng) 稱 為 半 導(dǎo) 體 的 載 流 子 。本 征 激 發(fā) 電 子 從 價(jià) 帶。

9、dEdZEg k空間 222 nC mkhEkE dEEEhmVdkkVdZ Cn 213 232 2442 213 23 24 CnC EEhmVdEdZEg 213 23 24 EEhmVdEdZEg VpV 2345 2 23322。

10、第一章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ),1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí),1.2 半導(dǎo)體二極管,1.3 半導(dǎo)體三極管,1.4 BJT模型,1.5 場(chǎng)效應(yīng)管,1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí),在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。 典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge，它們都是4價(jià)元素。,硅原子,鍺原子,硅和鍺最外層軌道上的四個(gè)電子稱為價(jià)電子。,本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),束縛電子,在絕對(duì)溫度T=0K時(shí)，所有的價(jià)。

11、第七章 太陽(yáng)電池和光電二極 管 7.1 半導(dǎo)體中的光吸收 7.1 半導(dǎo)體中的光吸收 假設(shè)半導(dǎo)體被一光子能量 大于禁帶寬度的光源 均勻 照射。光子通量為 。 圖 71 從紫外區(qū)到紅外區(qū)的電磁波譜圖 h 0 7.1 半導(dǎo)體中的光吸收 當(dāng)光子在半。

12、半導(dǎo)體物理期末復(fù)習(xí) 第三章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì) 分布 2 物理與光電工程學(xué)院 1.簡(jiǎn)述下列概念 : (1)簡(jiǎn)并性系統(tǒng)和非簡(jiǎn)并性系統(tǒng) ; 答：必須用費(fèi)米分布函數(shù)來(lái)描述的電子系統(tǒng)為簡(jiǎn)并系統(tǒng)； 可以用玻爾茲曼分布來(lái)描述的系統(tǒng)為非簡(jiǎn)并系統(tǒng)。 (2)量子態(tài)密度和狀態(tài)密度 ; 答：?jiǎn)挝?K空間中的量子態(tài)數(shù)目稱為量子態(tài)密度；單位 能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)目稱為狀態(tài)密度。 3 物理與光電工程學(xué)院 (3)導(dǎo)帶有效。

13、半 導(dǎo) 體 物 理 學(xué)湖南科技大學(xué)物電學(xué)院盛威 Hunan University of Science and Technology2 第 三 章 半 導(dǎo) 體 中 載 流 子 的 統(tǒng) 計(jì) 分 布1 狀 態(tài) 密 度2 費(fèi) 米 能 級(jí) 和 載。

14、第八章 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體 激光器 1907.Round發(fā)現(xiàn)電流通過(guò)硅檢波器時(shí)有黃光發(fā)生 1923.Lossev在碳化硅檢波器中觀察到類似現(xiàn)象 1955.Braunstein首次在三 五族化合物中觀察到輻射復(fù)合 1961.Gershenzo。

15、1 2.1 半導(dǎo)體材料 2.2 基本 晶體結(jié)構(gòu) 2.3 基本晶體生長(zhǎng)技術(shù) 2.4 共價(jià)鍵 2.5 能帶 2.6 本征載流子濃度 2.7 施主與受主 第 2章 熱平衡時(shí)的能帶和載流子濃度 2 2.1 半導(dǎo)體材料 固體材料：絕緣體半導(dǎo)體和導(dǎo)體。

16、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ),信息科學(xué)與工程學(xué)院基礎(chǔ)電子教研室,內(nèi)容回顧,半導(dǎo)體二極管：,1、二極管的符號(hào)：,D,D,2、伏安特性,導(dǎo)通壓降: 二極管導(dǎo)通,反向擊穿電壓UBR,正向?qū)?正向截止,反向截止,二極管的工作區(qū),二極管非工作區(qū),反向電壓,3、二極管的主要參數(shù),1.最大整流電流IF,2.最高反向工作電壓UR,4、二極管的等效電路,5、穩(wěn)壓二極管及應(yīng)用,1）穩(wěn)壓管符號(hào),2） 穩(wěn)壓管的伏安特性曲。

17、1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),FET分:1.IGFET1.NMOS增強(qiáng)型(6種管子)(又稱“MOSFET”)耗盡型2.PMOS增強(qiáng)型耗盡型2.JFET1.N溝道2.P溝道,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),FET分:1.IGFET1.N。

18、第 1 章 常 用 半 導(dǎo) 體 器 件 1.1 半 導(dǎo) 體 基 礎(chǔ) 知 識(shí)一 本 征 半 導(dǎo) 體二 雜 質(zhì) 半 導(dǎo) 體三 PN結(jié) 的 形 成 及 其 單 向 導(dǎo) 電 性 一 本 征 半 導(dǎo) 體 導(dǎo) 電 性 介 于 導(dǎo) 體 與 絕 緣 體 之。

19、第四章 金屬 半導(dǎo)體結(jié) 引言 金屬 半導(dǎo)體形成的冶金學(xué)接觸叫做 金屬 半導(dǎo)體結(jié) （ M-S結(jié)）或金屬半導(dǎo)體接 觸。把須狀的金屬觸針壓在半導(dǎo)體晶體上或者在高真空下向半導(dǎo)體表面上蒸鍍大面 積的金屬薄膜都可以實(shí)現(xiàn)金屬 半導(dǎo)體結(jié)，前者稱為 點(diǎn)接觸 ，后者則相對(duì)地叫做 面 接觸 。金屬 半導(dǎo)體接觸出現(xiàn)兩個(gè)最重要的效應(yīng)：其一是整流效應(yīng)，其二是歐姆效 應(yīng)。前者稱為整流接觸，又叫做整流結(jié)。后者稱為歐姆接。