第四章 金屬 半導(dǎo)體結(jié) 引言 金屬 半導(dǎo)體形成的冶金學接觸叫做 金屬 半導(dǎo)體結(jié) ( M-S結(jié))或金屬半導(dǎo)體接 觸。金屬 半導(dǎo)體接觸出現(xiàn)兩個最重要的效應(yīng)。第4章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 2.試計算本征Si在室溫時的電導(dǎo)率。
半導(dǎo)體器件物理第四章答案Tag內(nèi)容描述:
1、第四章 金屬 半導(dǎo)體結(jié) 引言 金屬 半導(dǎo)體形成的冶金學接觸叫做 金屬 半導(dǎo)體結(jié) ( M-S結(jié))或金屬半導(dǎo)體接 觸。把須狀的金屬觸針壓在半導(dǎo)體晶體上或者在高真空下向半導(dǎo)體表面上蒸鍍大面 積的金屬薄膜都可以實現(xiàn)金屬 半導(dǎo)體結(jié),前者稱為 點接觸 ,后者則相對地叫做 面 接觸 。金屬 半導(dǎo)體接觸出現(xiàn)兩個最重要的效應(yīng):其一是整流效應(yīng),其二是歐姆效 應(yīng)。前者稱為整流接觸,又叫做整流結(jié)。后者稱為歐姆接。
2、第4章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 2.試計算本征Si在室溫時的電導(dǎo)率,設(shè)電子和空穴遷移率分別為1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。當摻入百萬分之一的As后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,試計算其電導(dǎo)率。摻雜后的電導(dǎo)率比本征Si的電導(dǎo)率增大了多少倍? 解:將室溫下Si的本征載流子密度1.51010/cm3及題設(shè)電子和空穴的遷移率代入電導(dǎo)率公式 即得: ; 已知室溫硅的原子密度為51022/cm3,摻入1ppm的砷。
3、漂移運動E電 子空 穴結(jié)論 在 嚴 格 周 期 性 勢 場 理 想 中 運 動 的 載 流 子在 電 場 力 的 作 用 下 將 獲 得 加 速 度 , 其 漂 移 速 度 應(yīng)越 來 越 大 。 E電 子實際情況存在破壞周期性勢場的作用因。
4、漂移運動E電 子空 穴結(jié)論 在 嚴 格 周 期 性 勢 場 理 想 中 運 動 的 載 流 子在 電 場 力 的 作 用 下 將 獲 得 加 速 度 , 其 漂 移 速 度 應(yīng)越 來 越 大 。 E電 子實際情況存在破壞周期性勢場的作用因。
5、第4章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 2 試計算本征Si在室溫時的電導(dǎo)率 設(shè)電子和空穴遷移率分別為1350cm2 Vs和500 cm2 Vs 當摻入百萬分之一的As后 設(shè)雜質(zhì)全部電離 試計算其電導(dǎo)率 摻雜后的電導(dǎo)率比本征Si的電導(dǎo)率增大了多少倍 解 將。
6、漂移運動E電 子空 穴結(jié)論 在 嚴 格 周 期 性 勢 場 理 想 中 運 動 的 載 流 子在 電 場 力 的 作 用 下 將 獲 得 加 速 度 , 其 漂 移 速 度 應(yīng)越 來 越 大 。 E電 子實際情況存在破壞周期性勢場的作用因。
7、第四章 非平衡載流子 準費米能級 非平衡載流子壽命 非平衡載流子復(fù)合機制 復(fù)合和陷阱 非平衡載流子的漂移與擴散 愛因斯坦關(guān)系 電中性條件 連續(xù)性方程及某些解 非平衡載流子的 俘獲復(fù)合擴 散和漂移 非平衡和非平衡載流子 上面一章講的是在外加電。
8、半導(dǎo)體物理與器件第四版答案第十章Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition Chapter 10 By D. A. Neamen Problem Solu。