高中化學(xué) 第四章 非金屬及其化合物 重難點(diǎn)2 硅的性質(zhì)及其化合物的轉(zhuǎn)化(含解析)新人教版必修11
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重難點(diǎn)2 硅的性質(zhì)及其化合物的轉(zhuǎn)化 1、硅的性質(zhì)及制取 (1)硅的化學(xué)性質(zhì) ①常溫下能與F2、HF、強(qiáng)堿等反應(yīng) 2F2+Si=SiF4, Si+4HF=SiF4↑+2H2↑, Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑。 ②加熱下能與O2、Cl2、C等反應(yīng) (2)硅的制取 特別提醒?。?)硅與碳相似,常溫下化學(xué)性質(zhì)都不活潑。 (2)雖然碳比硅活潑,但碳在自然界中以游離態(tài)和化合態(tài)存在,而硅只能以化合態(tài)存在,原因是硅是親氧元素。 2、硅及其化合物的轉(zhuǎn)化關(guān)系 特別提醒?。?)因?yàn)镾iO2不溶于水,因此不能用SiO2與水反應(yīng)制備硅酸。 (2)制備硅酸的原理是“強(qiáng)酸制弱酸”,這一原理可用來(lái)設(shè)計(jì)酸性強(qiáng)弱比較的實(shí)驗(yàn),例如證明酸性:鹽酸>碳酸>硅酸。 ★★ 【重難點(diǎn)考向一】硅的性質(zhì) 【例1】室溫下,下列物質(zhì)不與晶體硅反應(yīng)的是( ) A.F2 B.HF C.KOH溶液 D.O2 【答案】D 【重難點(diǎn)考向二】硅的用途 【例2】4G網(wǎng)絡(luò)讓手機(jī)飛起來(lái)了.手機(jī)芯片的核心是硅板,其成分是( ) A.SiO2 B.Si C.H2SiO3 D.Na2SiO3 【答案】B 【解析】硅導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間,是良好的半導(dǎo)體材料,可用制造手機(jī)芯片,二氧化硅、硅酸、硅酸鈉固體為絕緣體,不導(dǎo)電,故選B。 【重難點(diǎn)考向三】硅的制備 【例3】工業(yè)生產(chǎn)高純硅涉及的化學(xué)方程之一為SiO2+2CSi+2CO↑,該反應(yīng)屬于( ) A.置換反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.化合反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng) 【答案】A 【解析】A.SiO2+2CSi+2CO↑為單質(zhì)與化合物反應(yīng)生成新單質(zhì)、化合物的反應(yīng),屬于置換反應(yīng),故A選;B.反應(yīng)物有兩種,不是分解反應(yīng),故B不選;C.生成物有兩種,不是化合反應(yīng),故C不選;D.反應(yīng)物、生成物均有單質(zhì),不是復(fù)分解反應(yīng),故D不選;故選A。 【重難點(diǎn)考向四】硅及其化合物的性質(zhì) 【例4】如圖中的每一方格表示相關(guān)的一種反應(yīng)物或生成物,其中,B是一種單質(zhì),其余物質(zhì)也都是含B元素的化合物。C是一種鈉鹽,E是C對(duì)應(yīng)的酸,B的結(jié)構(gòu)類似金剛石,D為B的氧化物(其他不含B元素的反應(yīng)產(chǎn)物以及各步反應(yīng)添加的必要試劑和反應(yīng)條件已被略去)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題: (1)A、D、E的化學(xué)式分別為_(kāi)_______、_______、______。 (2)A和B的相互轉(zhuǎn)化在工業(yè)上有什么重要應(yīng)用? (3)寫出D→C反應(yīng)的化學(xué)方程式:_______________________。 (4)寫出E→D反應(yīng)的化學(xué)方程式:_________________________。 【答案】 (1)SiCl4 SiO2 H2SiO3 (2)粗硅提純。 (3)SiO2+2NaOH=Na2SiO3+H2O (4)H2SiO3SiO2+H2O 【解析】本題的突破口是“B是一種單質(zhì)”、“B的結(jié)構(gòu)類似金剛石”。據(jù)此,容易推斷出B是晶體硅。硅與氯氣在加熱條件下生成SiCl4,因此,A為SiCl4。經(jīng)過(guò)分餾提純后得到純凈的SiCl4,SiCl4可以被氫氣還原得純凈的硅。根據(jù)D能轉(zhuǎn)化成B(Si),可知D為SiO2,由此可知其他答案。 【名師點(diǎn)睛】硅及其化合物轉(zhuǎn)化關(guān)系題中的突破口 (1)硅、二氧化硅的結(jié)構(gòu):如硅與金剛石結(jié)構(gòu)相似。 (2)硅、二氧化硅的物理性質(zhì):如硬度大,熔、沸點(diǎn)高。 (3)特征性質(zhì) ①與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)放出H2的非金屬單質(zhì)是硅。 ②不與H2O反應(yīng)、能與氫氟酸反應(yīng)(或雕刻玻璃)的酸性氧化物為SiO2。 ③難溶于水的無(wú)機(jī)酸是H2SiO3。 1.有些科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”,這主要是由于作為半導(dǎo)體材料的硅在太陽(yáng)能發(fā)電過(guò)程中具有重要的作用.下列有關(guān)硅的說(shuō)法中,不正確的是( ) A.高純度的硅廣泛用于制作計(jì)算機(jī) B.硅可由二氧化硅還原制得 C.低溫時(shí),硅與水、空氣和酸不反應(yīng),但能與氫氟酸反應(yīng) D.自然界中硅的儲(chǔ)量豐富,自然界中存在大量的單質(zhì)硅 【答案】D 2.硅是無(wú)機(jī)非金屬材料的主角之一.下列關(guān)于硅及其化合物性質(zhì)的說(shuō)法,不正確的是( ) A.硅的非金屬性比硫弱 B.硅酸鈉可溶于水 C.SiO2與氫氟酸能反應(yīng) D.硅原子易失去或得到電子 【答案】D 【解析】A.同周期從左到右非金屬性逐漸增強(qiáng),所以硅的非金屬性比硫弱,故A正確;B.鈉鹽都溶于水,則硅酸鈉可溶于水,故B正確;C.二氧化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和水,所以SiO2與氫氟酸能反應(yīng),故C正確;D.硅原子最外層4個(gè)電子,既難失電子又難得電子,故D錯(cuò)誤;故選D。 3.下列關(guān)于硅單質(zhì)及其化合物的說(shuō)法正確的是( ) ①硅酸鹽Na2Fe2Si3O10用氧化物的形式表示為:Na2O?2FeO?3SiO2 ②水泥、玻璃、水晶飾物都是硅酸鹽制品 ③高純度的硅單質(zhì)廣泛用于制作光導(dǎo)纖維 ④單質(zhì)硅是將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿某S貌牧? A.②③ B.①③ C.①④ D.④ 【答案】D 【解析】:①硅酸鹽Na2Fe2Si3O10用氧化物的形式表示為:Na2O?Fe2O3?3SiO2,故①錯(cuò)誤;②水晶主要成分為二氧化硅,不是硅酸鹽,故②錯(cuò)誤;③光導(dǎo)纖維的主要成分為二氧化硅,不是硅,故③錯(cuò)誤;④單質(zhì)硅為良好的半導(dǎo)體材料,是將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿某S貌牧?,故④正確;故選D。 4.化學(xué)與生活密切相關(guān),下列敘述正確的是( ) A.光纖通信使用的光纜主要成分是Si,太陽(yáng)能電池使用的材料主要是SiO2 B.點(diǎn)燃爆竹后,硫燃燒生產(chǎn)SO3 C.海水中含有溴元素,只進(jìn)行物理變化就可以得到溴單質(zhì) D.“地溝油”禁止使用,但可以用來(lái)制取肥皂 【答案】D 5.由二氧化硅制高純硅的流程如圖,下列判斷中錯(cuò)誤的是( ) A.①②③均屬于氧化還原反應(yīng) B.H2和HCl均可循環(huán)利用 C.SiO2是一種堅(jiān)硬難熔的固體 D.SiHCl3摩爾質(zhì)量為135.5g 【答案】D 【解析】A.反應(yīng)①為SiO2+2CSi+2CO↑,反應(yīng)②Si(粗)+3HClSiHCl3+H2,反應(yīng)③SiHCl3+H2Si(粗)+3HCl,三個(gè)方程式中元素的化合價(jià)均發(fā)生變化,均屬于氧化還原反應(yīng),故A正確;B.生產(chǎn)高純硅的流程示意圖可知,H2和HCl既是反應(yīng)物,又是生成物,所以可重復(fù)利用的物質(zhì)是H2和HCl,故B正確;C.SiO2是原子晶體,硬度大、熔點(diǎn)高,故C正確;D.SiHCl3摩爾質(zhì)量為135.5g/mol,故D錯(cuò)誤;故選D。- 1.請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對(duì)于不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載帶來(lái)的問(wèn)題本站不予受理。
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