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1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增強(qiáng)型(6種管子)(又稱(chēng)“MOSFET”)②耗盡型2.PMOS——①增強(qiáng)型②耗盡型2.JFET—————1.N溝道2.P溝道,,,,,,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增強(qiáng)型(6種管子)(又稱(chēng)“MOSFET”)②耗盡型2.PMOS——①增強(qiáng)型②耗盡型2.JFET—————1.N溝道2.P溝道,,,,,s：Source源極d：Drain漏極g：Gate柵極B：Base襯底,Metal-Oxide-Semiconductor,FieldEffectTransistor,InsultedGateType,JunctionType,。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。SiP襯底,一、NMOS,N+::::::。,,,N+::::::。,,,,,,,Al極sgdSiO2B,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),1.結(jié)構(gòu),,,三區(qū)、三極、兩結(jié),,,?????????,,?????????,?????????,::::::::::,::::::::::,::::::::::,,,,,,,,,,,,－UDS＋,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),,縱向電場(chǎng)[垂直電場(chǎng)]—橫向電場(chǎng)表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,,,,?????????,,?????????,?????????,::::::::::,::::::::::,::::::::::,,,,,,,,,,,,VDD－UDS＋,Rd,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①柵極電壓的控制作用(UGS,UDS=0)開(kāi)啟電壓UGS(th)(或UT)—反型層(N型)②漏源電壓UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響UDS=0時(shí)—UDS≠0時(shí)預(yù)夾斷,,,縱向電場(chǎng)[垂直電場(chǎng)]—橫向電場(chǎng)表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,,,?????????,,?????????,?????????,::::::::::,:::::::,::::,,,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①柵極電壓的控制作用(UGS,UDS=0)開(kāi)啟電壓UGS(th)(或UT)—反型層(N型)②漏源電壓UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響UDS=0時(shí)—UDS≠0時(shí)預(yù)夾斷,,,,縱向電場(chǎng)[垂直電場(chǎng)]—橫向電場(chǎng)表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,,,?????????,,?????????,?????????,::::::::,:::::::,::::,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①柵極電壓的控制作用(UGS,UDS=0)開(kāi)啟電壓UGS(th)(或UT)—反型層(N型)②漏源電壓UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響UDS=0時(shí)—UDS≠0時(shí)預(yù)夾斷,,,,縱向電場(chǎng)[垂直電場(chǎng)]—橫向電場(chǎng)表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,,,?????????,,?????????,?????????,:::::,:::,:,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,,,,,,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①柵極電壓的控制作用(UGS,UDS=0)開(kāi)啟電壓UGS(th)(或UT)—反型層(N型)②漏源電壓UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響UDS=0時(shí)—UDS≠0時(shí)預(yù)夾斷,,,縱向電場(chǎng)[垂直電場(chǎng)]—橫向電場(chǎng)表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,,?????????,,?????????,?????????,:::::,:::,:,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,,,,,,,①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),,縱向電場(chǎng)[垂直電場(chǎng)]—橫向電場(chǎng)表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,(“漏極特性曲線(xiàn)”),,,,,,ID(mA)UDS=UGS－UGS(th)46V3可變電阻區(qū)恒流區(qū)5V2UGS=4V13VUGS(th)=2V0410截止區(qū)20UDS(V),?????????,,?????????,?????????,:::::,:::,:,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,,（非飽和區(qū)）,,,,,,ID(mA)UDS=UGS－UGS(th)46V3可變電阻區(qū)恒流區(qū)5V2UGS=4V13VUGS(th)=2V0410截止區(qū)20UDS(V),?????????,,?????????,?????????,:::::,:::,:,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,,,,,,,,,ID(mA)UDS=UGS－UGS(th)46V3可變電阻區(qū)恒流區(qū)5V2UGS=4V13VUGS(th)=2V0410截止區(qū)20UDS(V),?????????,,?????????,?????????,:::::,:::,:,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,,(放大區(qū)、飽和區(qū)),,,,,,ID(mA)UDS=UGS－UGS(th)46V3可變電阻區(qū)恒流區(qū)5V2UGS=4V13VUGS(th)=2V0410截止區(qū)20UDS(V),?????????,,?????????,?????????,:::::,:::,:,,,,,,,VDD－UDS＋I(xiàn)D,Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,,(放大區(qū)、飽和區(qū)),(夾斷區(qū)?),,,,,,ID(mA)UDS=10V420UGS(th)246UGS(V),ID(mA)UDS=UGS－UGS(th)46V3可變電阻區(qū)恒流區(qū)5V2UGS=4V13VUGS(th)=2V0410截止區(qū)20UDS(V),,,,,,,,,,,,,,,,,,,,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、NMOS,1.結(jié)構(gòu),2.工作機(jī)理(定性分析),①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,,,單位mS（S—西門(mén)子）,,,Al極sgdSiO2B,。。。。。。。。。。。。。。。。。SiP襯底,二、N溝道耗盡型MOS管P49結(jié)構(gòu)—工作機(jī)理(定性分析)—伏安特性曲線(xiàn)(定量分析）夾斷電壓UGS(off)(或UP)—飽和漏極電流IDSS|UGS=0V時(shí),N+::::::。,,,N+::::::。,,,,,,,,,:::::::::::::::::::::,??????????,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,,,Al極sgdSiO2B,。。。。。。。。。。。。。。。。。SiP襯底,二、N溝道耗盡型MOS管P49結(jié)構(gòu)—工作機(jī)理(定性分析)—伏安特性曲線(xiàn)(定量分析）夾斷電壓UGS(off)(或UP)—飽和漏極電流IDSS|UGS=0V時(shí),N+::::::。,,,N+::::::。,,,,,,,,,,::::::::::::::::::,???????,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,,,,,Al極sgdSiO2B,。。。。。。。。。。。。。。。。。SiP襯底,二、N溝道耗盡型MOS管P49結(jié)構(gòu)—工作機(jī)理(定性分析)—伏安特性曲線(xiàn)(定量分析）夾斷電壓UGS(off)(或UP)—飽和漏極電流IDSS|UGS=0V時(shí),N+::::::。,,,N+::::::。,,,,,,,,,:::::::::::::::::::::,??????????,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、NMOS,,三、P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增強(qiáng)型(6種管子)(又稱(chēng)“MOSFET”)②耗盡型2.PMOS——①增強(qiáng)型②耗盡型2.JFET—————1.N溝道2.P溝道,,,,,,,s：Source源極d：Drain漏極g：Gate柵極B：Base襯底,Metal-Oxide-Semiconductor,FieldEffectTransistor,InsultedGateType,JunctionType,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)P451.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增強(qiáng)型(6種管子)(又稱(chēng)“MOSFET”)②耗盡型2.PMOS——①增強(qiáng)型②耗盡型2.JFET—————1.N溝道2.P溝道,,,,,,P+NP+,。。。。。。。。。。。。。。。。,dgs,一、N—JFET,,,,,,,,,。。。。。。,。?。?。?。?。?。?,。?。?。?。?。?。?,????????????,。。。。。。。。。。。。。。。。,。。。。。。,1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),1.結(jié)構(gòu)2.工作機(jī)理(定性分析),,dgs,VGG－UGS＋,P+NP+,。。。。。。。。。。。。。。。。,①柵極電壓的控制作用(UGS,UDS=0)夾斷電壓UGS(off)(或UP)RDS=∞—飽和漏極電流IDSS|UGS=0V時(shí)②漏源電壓UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響UDS=0時(shí)—UDS≠0時(shí)預(yù)夾斷,,,,,,,,。。。。。。,。?。?。?。?。?。?,。?。?。?。?。?。?,????????????,。。。。。。。。。。。。。。。。,。。。。。。,IG=0RGS=∞,,,,,,－UDS＋,,,,,,,,,,,,,????????????,??????,??????,??????,????????????,??????,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、N—JFET,1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),1.結(jié)構(gòu)2.工作機(jī)理(定性分析),,表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,,dgs,VGG－UGS＋,P+NP+,。。。。。。。。。。。。。。。。,,,,,,,,。。。。。。,。?。?。?。?。?。?,。?。?。?。?。?。?,????????????,。。。。。。。。。。。。。。。。,。。。。。。,IG=0RGS=∞,,,,,,－UDS＋,,,,,,??????,??????,????????????,,,,,Rd,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、N—JFET,1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),1.結(jié)構(gòu)2.工作機(jī)理(定性分析),,①柵極電壓的控制作用(UGS,UDS=0)夾斷電壓UGS(off)(或UP)RDS=∞—飽和漏極電流IDSS|UGS=0V時(shí)②漏源電壓UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響UDS=0時(shí)—UDS≠0時(shí)預(yù)夾斷,,,表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,IDdgs,VGG－UGS＋,P+NP+,。。。。。。。。。。。。。。。。,,,,,,,,。。。。。。,。?。?。?。?。?。?,。?。?。?。?。?。?,????????????,。。。。。。。。。。。。。。。。,。。。。。。,IG=0RGS=∞,,,,,,－UDS＋,,,,,,??????,??????,????????????,,,,,Rd,,,,,????,,,,????,????????,??????,???,???,??,,,,,,,????????,??????,??????,??????,??????,??????,??????,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),一、N—JFET,1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),1.結(jié)構(gòu)2.工作機(jī)理(定性分析),,,①柵極電壓的控制作用(UGS,UDS=0)夾斷電壓UGS(off)(或UP)RDS=∞—飽和漏極電流IDSS|UGS=0V時(shí)②漏源電壓UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響UDS=0時(shí)—UDS≠0時(shí)預(yù)夾斷,,,表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,IDdgs,VGG－UGS＋,P+NP+,。。。。。。。。。。。。。。。。,,,,,,,,。。。。。。,。?。?。?。?。?。?,。?。?。?。?。?。?,????????????,。。。。。。。。。。。。。。。。,。。。。。。,IG=0RGS=∞,,,,,,－UDS＋,,,,,,??????,??????,????????????,,,,,Rd,,,,,????,,,,????,????????,??????,???,???,??,,,,,,,????????,??????,??????,??????,??????,??????,??????,①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、N—JFET,1.結(jié)構(gòu)2.工作機(jī)理(定性分析),1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),,,表面場(chǎng)效應(yīng)器件—體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件,,,,,,,,,,,ID(mA)4IDSSUDS=10V2UGS(off)－4-20UGS(V),ID(mA)UDS=UGS－UGS(off)4UGS=0V3可變電阻區(qū)恒流區(qū)－1V2－2V1－3VUGS(off)=－4V0410截止區(qū)20UDS(V),,,,,,,,,,,,,,,,3.伏安特性曲線(xiàn)(定量分析),一、N—JFET,1.結(jié)構(gòu)2.工作機(jī)理(定性分析),①輸出特性曲線(xiàn)ID=f(UDS)|UGS=C.②轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)ID=f(UGS)|UDS=C.,單位mS,,一、主要參數(shù)開(kāi)啟電壓UGS(th)(或UT)—夾斷電壓UGS(off)(或UP)—飽和漏極電流IDSS|UGS=0V時(shí)—輸入電阻RGS=∞—低頻跨導(dǎo)gm=△ID/△UGS二、場(chǎng)效應(yīng)的主要特點(diǎn)輸入電阻RGS=∞——保護(hù)措施——電壓控制型放大器件(“VCCS”)——單極型電子器件,,R,,,,,,,1.3.3場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)和特點(diǎn),1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),直流參數(shù),交流參數(shù),極限參數(shù),例:共源極放大電路.分析iD,uDS.,,,1.3.4NMOS應(yīng)用(“圖解法”分析),1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),1.3.3場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)和特點(diǎn),1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),參考P58-60,,例:共源極放大電路.分析iD,uDS.,1.靜態(tài)工作點(diǎn)(ui=0V時(shí))輸入靜態(tài)點(diǎn):iI=iGS=IGSQ=0mAuI=uGS=UGSQ=4.5V輸出靜態(tài)點(diǎn):iO=iD=IDQ=？uO=uDS=UDSQ=？,,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=4.5V②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,1.3.4NMOS應(yīng)用(“圖解法”分析),,1.靜態(tài)工作點(diǎn)(ui=0V時(shí))輸入靜態(tài)點(diǎn):iI=iGS=IGSQ=0mAuI=uGS=UGSQ=4.5V輸出靜態(tài)點(diǎn):iO=iD=IDQ=？uO=uDS=UDSQ=？,,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=4.5V②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,,,,,,,,,,,,,,,,,,1.靜態(tài)工作點(diǎn)(ui=0V時(shí))輸入靜態(tài)點(diǎn):iI=iGS=IGSQ=0mAuI=uGS=UGSQ=4.5V輸出靜態(tài)點(diǎn):iO=iD=IDQ=？uO=uDS=UDSQ=？,,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=4.5V②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,,,,,,,,,,,,,,故IDQ=0.9mAUDSQ=8.2V,,,,輸出回路直流負(fù)載線(xiàn),例:共源極放大電路.分析iD,uDS.,1.靜態(tài)工作點(diǎn)(ui=0V時(shí))輸入靜態(tài)點(diǎn):iI=iGS=IGSQ=0mAuI=uGS=UGSQ=4.5V輸出靜態(tài)點(diǎn):iO=iD=IDQ=？uO=uDS=UDSQ=？,,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=4.5V②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,1.3.4NMOS應(yīng)用(“圖解法”分析),故IDQ=0.9mAUDSQ=8.2V,例:共源極放大電路.分析iD,uDS.,2.動(dòng)態(tài)分析(令ui=0.5sin?t(V)時(shí))輸入工作點(diǎn):iI=iGS=0mAuI=uGS=UGSQ＋ui=4.5＋0.5sin?t(V)輸出工作點(diǎn):iO=iD=IDQ＋id=0.9＋id=？(mA)uO=uDS=UDSQ＋uds=8.2＋uds=？(V),,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=uI②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,1.3.4NMOS應(yīng)用(“圖解法”分析),,故IDQ=0.9mAUDSQ=8.2V,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,2.動(dòng)態(tài)分析(令ui=0.5sin?t(V)時(shí))輸入工作點(diǎn):iI=iGS=0mAuI=uGS=UGSQ＋ui=4.5＋0.5sin?t(V)輸出工作點(diǎn):iO=iD=IDQ＋id=0.9＋id=？(mA)uO=uDS=UDSQ＋uds=8.2＋uds=？(V),,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=uI②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,2.動(dòng)態(tài)分析(令ui=0.5sin?t(V)時(shí))輸入工作點(diǎn):iI=iGS=0mAuI=uGS=UGSQ＋ui=4.5＋0.5sin?t(V)輸出工作點(diǎn):iO=iD=IDQ＋id=0.9＋id=？(mA)uO=uDS=UDSQ＋uds=8.2＋uds=？(V),,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=uI②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,uGS=uI(V)12V,iD(mA),?t,?t,?t,,,,,,,,,,,,,,1.2mA0.6mA,,,,2.2,0.3,,,0.5,,,,,,,,,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,2.動(dòng)態(tài)分析(令ui=0.5sin?t(V)時(shí))輸入工作點(diǎn):iI=iGS=0mAuI=uGS=UGSQ＋ui=4.5＋0.5sin?t(V)輸出工作點(diǎn):iO=iD=IDQ＋id=0.9＋id=0.9＋0.3sin?t(mA)uO=uDS=UDSQ＋uds=8.2＋uds=8.2－2.2sin?t(V),,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=uI②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,uGS=uI(V)12V,iD(mA),?t,?t,?t,,,,,,,,,,,,,,1.2mA0.6mA,,,,2.2,0.3,,0.5,,,,,,,,,,,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,2.動(dòng)態(tài)分析(令ui=0.5sin?t(V)時(shí))輸入工作點(diǎn):iI=iGS=0mAuI=uGS=UGSQ＋ui=4.5＋0.5sin?t(V)輸出工作點(diǎn):iO=iD=IDQ＋id=0.9＋id=？(mA)uO=uDS=UDSQ＋uds=8.2＋uds=？(V),,,利用:①iD=f(uDS)|uGS=uI②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,uGS=uI(V)12V,iD(mA),?t,?t,?t,,,,,,,,,,,,,,1.2mA0.6mA,,,,2.2,0.3,,,,,,,,,,,,,,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,2.動(dòng)態(tài)分析(令ui=0.5sin?t(V)時(shí))輸入工作點(diǎn):iI=iGS=0mAuI=uGS=UGSQ＋ui=4.5＋0.5sin?t(V),,利用:①iD=f(uDS)|uGS=uI②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,uGS=uI(V)12V,iD(mA),?t,?t,?t,,,,,,,,,,,,,,1.2mA0.6mA,,,,2.2,0.3,,,,,ui=5sin?t(V)時(shí)大信號(hào)非線(xiàn)性失真—截止區(qū):縮頂,可變電阻區(qū):削頂最大不失真輸出幅度—Q中點(diǎn),,,,,,,,,,,iD(mA)12V9.5VVDD/Rd=2mAB6V5VIDQ=0.9mAQ4.5V=UGSQ4VUGS(th)=3V0.26.08.210.415VAuDS(V)UDSQVDD,3.電子開(kāi)關(guān)iI=iGS=0mAuI=uGS=方波時(shí),,利用:①iD=f(uDS)|uGS=uI②uO=uDS=VDD－iDRd即iD=－uDS/Rd＋VDD/Rd,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,uGS=uI(V)12V,iD(mA),?t,?t,?t,,,,,,,,,,,,,,,,1.2mA0.6mA,,,,2.2,0.3,,,,,,,反相器—電子開(kāi)關(guān),,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),例:共源極放大電路.分析iD,uDS.,1.3.4NMOS應(yīng)用(“圖解法”分析),1.3.3場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)和特點(diǎn),1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),參考P58-60,反相器—電子開(kāi)關(guān),,,,1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),例:共源極放大電路.分析iD,uDS.,1.3.4NMOS應(yīng)用(“圖解法”分析),1.3.3場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)和特點(diǎn),1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),參考P58-60,,15,,7.5,d,,s,,g,反相器—電子開(kāi)關(guān),例:共源極放大電路.分析iD,uDS.,,,1.3.4NMOS應(yīng)用(“圖解法”分析),1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管(“FET”)1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(“IGFET”),1.3.3場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)和特點(diǎn),1.3.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(“JFET”),參考P58-60,