《2019版高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第十一單元 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（選考）第1節(jié) 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課時(shí)練.doc》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《2019版高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第十一單元 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（選考）第1節(jié) 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課時(shí)練.doc（5頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

第1節(jié)　原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 一、選擇題　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 1．下列說(shuō)法正確的是(　　)。 A．原子核外電子排布式為1s2的原子與原子核外電子排布式為1s22s2的原子化學(xué)性質(zhì)相似 B．Zn2＋的最外層電子排布式為3s23p63d10 C．基態(tài)銅原子的最外層電子排布圖： D．基態(tài)碳原子的最外層電子排布圖： 2．下列軌道表示式中，能正確表示該元素原子的最低能量狀態(tài)的是(　　)。 A. B. C. D. 3．Cr原子處于基態(tài)時(shí)，價(jià)電子排布可用電子排布圖表示成，而不是。下列說(shuō)法中，正確的是(　　)。 A．這兩種排布方式都符合能量最低原理 B．這兩種排布方式都符合泡利原理 C．這兩種排布方式都符合洪特規(guī)則 D．這個(gè)實(shí)例說(shuō)明洪特規(guī)則有時(shí)候和能量最低原理是矛盾的 4．下列各組元素的性質(zhì)正確的是(　　)。 A．第一電離能：B＞Al＞Ga B．電負(fù)性：F＞N＞O C．最高正價(jià)：F＞S＞Si D．原子半徑：P＞N＞C 5．(2017年湖北黃岡期末)人們常將在同一原子軌道上運(yùn)動(dòng)的、自旋方向相反的2個(gè)電子，稱(chēng)為“電子對(duì)”；將在同一原子軌道上運(yùn)動(dòng)的單個(gè)電子，稱(chēng)為“未成對(duì)電子”。以下有關(guān)主族元素原子的“電子對(duì)”和“未成對(duì)電子”的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是(　　)。 A．核外電子數(shù)為奇數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中一定含有“未成對(duì)電子” B．核外電子數(shù)為偶數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中一定不含“未成對(duì)電子” C．核外電子數(shù)為偶數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中一定含有“電子對(duì)” D．核外電子數(shù)為奇數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中可能含有“電子對(duì)” 6．(2018屆河北定州中學(xué)期中)第三周期元素的基態(tài)原子中，不可能出現(xiàn)d電子，主要依據(jù)是(　　)。 A．能量守恒原理 B．泡利不相容原理 C．洪特規(guī)則 D．近似能級(jí)圖中的順序3d軌道能量比4s軌道高 7．(2018屆安徽安慶六校聯(lián)考)以下有關(guān)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的說(shuō)法不正確的是(　　)。 A．下列基態(tài)原子中：①1s22s22p63s23p2；②1s22s22p3；③1s22s22p2，電負(fù)性最大的是② B．下列基態(tài)原子中：①[Ne]3s23p2；②[Ne]3s23p3；③[Ne]3s23p4，第一電離能最大的是③ C．某主族元素的逐級(jí)電離能分別為738、1451、7733、10 540、13 630……，當(dāng)它與氯氣反應(yīng)時(shí)生成的陽(yáng)離子是X2＋ D．物質(zhì)的熔點(diǎn)高低：金剛石>晶體硅>鈉>干冰 二、非選擇題 8．(1) C、N、O、Al、Si、Cu是常見(jiàn)的六種元素。 ①Si位于元素周期表第______周期第______族。 ②N的基態(tài)原子核外電子排布式為_(kāi)___________。Cu的基態(tài)原子最外層有________個(gè)電子。 ③用“＞”或“＜”填空： 原子半徑 電負(fù)性 熔點(diǎn) 沸點(diǎn) Al____Si N____O 金剛石____晶體硅 CH4____SiH4 (2) O、Na、P、Cl四種元素中電負(fù)性最大的是________(填元素符號(hào))，其中P原子的核外電子排布式為_(kāi)_______________________。 (3)周期表前四周期的元素a、b、c、d、e原子序數(shù)依次增大。a的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，b的價(jià)電子層中的未成對(duì)電子有3個(gè)，c的最外層電子數(shù)為其內(nèi)層電子數(shù)的3倍，d與c同族；e的最外層只有1個(gè)電子，但次外層有18個(gè)電子。b、c、d中第一電離能最大的是________(填元素符號(hào))，e的價(jià)層電子軌道示意圖為_(kāi)__________________________。 (4)①N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下： 電離能 I1 I2 I3 I4 …… In/(kJmol－1) 578 1817 2745 11 578 …… 則該元素是________(填寫(xiě)元素符號(hào))。 ②基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是____________。Ge的最高價(jià)氯化物的分子式是__________。 ③Ge元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有________。 A．是一種活潑的金屬元素 B．其電負(fù)性大于硫 C．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料 D．其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn) 9．太陽(yáng)能電池常用材料除單晶硅，還有銅、銦、鎵、硒等化合物。 (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_________________________________________ _______________________________。 (2)硒為第四周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則這3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)開(kāi)_________________(用元素符號(hào)表示)。 (3)氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____________。 (4)硅烷(SinH2n＋2)的沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是________________________________________________。 (5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]－而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì)，則[B(OH)4]－中B的原子雜化類(lèi)型為_(kāi)_______。 (6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過(guò)氧化氫都不能反應(yīng)，但可與氨水和過(guò)氧化氫的混合溶液反應(yīng)，反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)_______________________________________________ ________________________________________。 10．已知A、B、C、D四種短周期元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。A與C原子的基態(tài)電子排布中L能層都有2個(gè)未成對(duì)電子，C、D同主族。E、F都是第四周期元素，E原子的基態(tài)電子排布中有4個(gè)未成對(duì)電子，F(xiàn)原子除最外能層只有1個(gè)電子外，其余各能層均為全充滿。根據(jù)以上信息填空： (1)基態(tài)D原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)____，該能層具有的原子軌道數(shù)為_(kāi)_______。 (2)E2＋離子的價(jià)層電子排布圖是______________，F(xiàn)原子的電子排布式是________________。 (3)A元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物中心原子采取的軌道雜化方式為_(kāi)_______，B元素的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的VESPR模型為_(kāi)___________。 (4)化合物AC2、B2C和陰離子DAB－互為等電子體，它們結(jié)構(gòu)相似，DAB－的電子式為_(kāi)_______________________________________________________________________。 11．下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。試回答下列問(wèn)題： (1)元素p為26號(hào)元素，請(qǐng)寫(xiě)出其基態(tài)原子的電子排布式：______________________。 (2)d與a反應(yīng)的產(chǎn)物的分子中，中心原子的雜化方式為_(kāi)___________。 (3)h的單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光，請(qǐng)用原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)解釋發(fā)光的原因：________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 (4)o、p兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表： 元素 o p 電離能/(kJmol－1) I1 717 759 I2 1509 1561 I3 3248 2957 比較兩元素的I2、I3可知，氣態(tài)o2＋再失去一個(gè)電子比氣態(tài)p2＋再失去一個(gè)電子難。對(duì)此，你的解釋是__________________________________________________。 (5)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖Ⅰ所示，其中電負(fù)性最大的是________(填下圖中的序號(hào))。 (6)表中所列的某主族元素的電離能情況如圖Ⅱ所示，則該元素是________(填元素符號(hào))。 第1節(jié)　原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1．B　解析：原子核外電子排布式為1s2的元素為He，原子核外電子排布式為1s22s2的元素為Be，He的性質(zhì)穩(wěn)定，Be較活潑，性質(zhì)不同，故A錯(cuò)誤；Zn的原子序數(shù)為30，電子排布式為[Ar]3d104s2，失去2個(gè)電子變?yōu)閆n2＋，Zn2＋的最外層電子排布式為3s23p63d10，故B正確；Cu的原子序數(shù)為29，價(jià)電子排布為3d104s1，基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布圖為，故C錯(cuò)誤；C的原子序數(shù)為6，價(jià)電子排布為2s22p2，價(jià)電子排布圖為，故D錯(cuò)誤。 2．D　解析：A、B兩項(xiàng)不符合洪特規(guī)則；C項(xiàng)，原子處于激發(fā)態(tài)，不是能量最低狀態(tài)。 3．B　解析：洪特規(guī)則實(shí)際上是能量最低原理的一個(gè)特例，電子排布滿足洪特規(guī)則，實(shí)際上是為了更好地遵循能量最低原理。通過(guò)分析光譜實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，洪特進(jìn)一步指出，能量相同的原子軌道在全滿(s2、p6和d10)、半充滿(s1、p3和d5)和全空(s0、p0和d0)狀態(tài)時(shí)，體系能量較低，原子較穩(wěn)定。題中兩種排列方式，沒(méi)有相同的兩個(gè)電子處于相同的狀態(tài)，都符合泡利原理，答案選B。 4．A　解析：同一主族，從上到下，元素的第一電離能逐漸減小，所以第一電離能：B＞Al＞Ga，故A正確；同周期，從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大，所以電負(fù)性：F＞O＞N，故B錯(cuò)誤；主族元素最外層電子數(shù)＝最高正價(jià)，氟無(wú)正價(jià)，所以最高正價(jià)：S＞Si，故C錯(cuò)誤；同一周期元素從左到右原子半徑逐漸減小，同一主族從上到下原子半徑逐漸增大，下一周期元素的原子半徑一般比相鄰上一周期元素的原子半徑大，所以原子半徑：P＞C＞N，故D錯(cuò)誤。 5．B　解析：核外電子數(shù)為偶數(shù)的基態(tài)原子，其原子軌道中可能含有未成對(duì)電子，如氧原子：，含有2個(gè)未成對(duì)電子，故B錯(cuò)誤。 6．D　解析：核外電子排布遵循能量最低原理，電子總是先排布在能量低的能級(jí)，然后再排布在能量高的能級(jí)，由于3d軌道能量比4s軌道高，當(dāng)排滿3p能級(jí)后，電子先填充4s能級(jí)，填充滿4s能級(jí)后，再填充3d能級(jí)，故第三周期基態(tài)原子中不可能出現(xiàn)d電子。 7．B　解析：A項(xiàng)，①為Si，②為N，③為C，同周期從左向右電負(fù)性逐漸增大，因此電負(fù)性最大的是N，故A正確；B項(xiàng)，①為Si，②為P，③S，同周期從左向右第一電離能增大，但ⅡA>ⅢA、ⅤA>ⅥA，因此第一電離能最大的是P，故B錯(cuò)誤；C項(xiàng)，第二電離能到第三電離能發(fā)生突變，說(shuō)明X元素最外層只有2個(gè)電子，即X和氯氣發(fā)生反應(yīng)生成XCl2，故C正確；D項(xiàng)，金剛石、晶體硅屬于原子晶體，原子晶體熔沸點(diǎn)的高低通過(guò)鍵長(zhǎng)或鍵能比較，鍵長(zhǎng)越短鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高，C的原子半徑比Si的原子半徑短，因此金剛石的熔點(diǎn)高于晶體硅，金屬鈉常溫下為固體，干冰常溫下為氣體，因此熔點(diǎn)的高低是金剛石>晶體硅>金屬鈉>干冰，故D正確。 8．(1)①三　ⅣA?、?s22s22p3　1 ③＞　＜?。尽。? (2)O　1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3 (3)N　 (4)①Al ②1s22s22p63s23p63d104s24p2或[Ar]3d104s24p2　GeCl4 ③CD 解析：(1)③同周期元素，原子序數(shù)越大，原子半徑越小，故原子半徑：Al＞Si；同周期元素，原子序數(shù)越大，電負(fù)性越強(qiáng)，故電負(fù)性：N＜O；金剛石和晶體硅都是原子晶體，但鍵能：C—C＞Si—Si，故熔點(diǎn)：金剛石＞晶體硅；CH4和SiH4都是分子晶體，且兩者結(jié)構(gòu)相似，SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量大，故沸點(diǎn)：CH4＜SiH4。(2)O、Na、P、Cl四種元素中，O元素的電負(fù)性最大。P原子核外有15個(gè)電子，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3。(3)由原子序數(shù)最小且核外電子總數(shù)與其電子層數(shù)相同，確定a為H元素，由價(jià)電子層中的未成對(duì)電子有3個(gè)，確定b為N元素，由最外層電子數(shù)為其內(nèi)層電子數(shù)的3倍，確定c為O元素，由d與c同主族，確定d為S元素，由e的最外層只有1個(gè)電子且次外層有18個(gè)電子，確定e為Cu元素。N、O同周期，第一電離能N>O，O、S同主族，第一電離能O>S，即N、O、S中第一電離能最大的是N元素；Cu的價(jià)電子排布式為3d104s1，其價(jià)層電子軌道示意圖為。(4)①由電離能數(shù)據(jù)可知，該元素呈＋3價(jià)，為Al；②Ge的最高正價(jià)為＋4價(jià)；③Ge位于金屬和非金屬的分界線上，故其可做半導(dǎo)體材料，其氯化物和溴化物為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，其沸點(diǎn)越高。 9．(1)1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1 (2)Br>As>Se　(3)平面三角形 (4)硅烷的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間范德華力越強(qiáng) (5)sp3 (6)Cu＋H2O2＋4NH3H2O===Cu(NH3)＋2OH－＋4H2O 解析：(1)鎵的原子序數(shù)是31，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1。(2)由于As的4p能級(jí)處于半充滿狀態(tài)，所以第一電離能：Br>As>Se。(3)根據(jù)VESPR模型，氣態(tài)SeO3分子中，中心原子Se的孤電子對(duì)數(shù)為0，所以SeO3的立體構(gòu)型為平面三角形。(4)結(jié)構(gòu)與組成相似的硅烷的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間范德華力越強(qiáng)。(5)根據(jù)VESPR模型可知[B(OH)4]－中B的原子雜化類(lèi)型為sp3雜化。(6)根據(jù)元素守恒和得失電子守恒可得Cu＋H2O2＋4NH3H2O===Cu(NH3)＋2OH－＋4H2O。 10．(1)M　9　(2) 1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1 (3)sp2　三角錐形 (4) 解析：已知A、B、C、D四種短周期元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。A與C原子的基態(tài)電子排布中L能層都有2個(gè)未成對(duì)電子，則A是碳元素，C是氧元素，所以B是氮元素。C、D同主族，則D是S元素。E、F都是第四周期元素，F(xiàn)原子除最外能層只有1個(gè)電子外，其余各能層均為全充滿，這說(shuō)明F是銅元素。E原子的基態(tài)電子排布中有4個(gè)未成對(duì)電子，則E的3d能級(jí)上含有6個(gè)電子，因此E是鐵元素。(1)S是第三周期元素，則基態(tài)S原子中，電子占據(jù)的最高能層為M層，該能層含有s、p、d三個(gè)能級(jí)，則具有的原子軌道數(shù)為1＋3＋5＝9。(2)鐵的原子序數(shù)是26，則根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知Fe2＋的價(jià)層電子排布圖是。銅的原子序數(shù)是29，則銅原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s1。(3)A元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是碳酸，分子中碳元素價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3，且不存在孤對(duì)電子，所以中心原子采取的軌道雜化方式為sp2。B元素的氣態(tài)氫化物NH3分子中氮元素價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，有一對(duì)孤對(duì)電子，所以氨氣的VESPR模型為三角錐形。(4)化合物AC2、B2C和陰離子DAB－互為等電子體，它們結(jié)構(gòu)相似，則根據(jù)CO2的電子式可推知DAB－的電子式為。 11．(1)1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2 (2)sp3 (3)電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí)，以光(子)的形式釋放能量 (4)Mn2＋的3d軌道電子排布為半充滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定 (5)2 (6)Al 解析：(4)o元素為Mn，其基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2，Mn2＋的基態(tài)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5，其3d能級(jí)為半充滿狀態(tài)，相對(duì)比較穩(wěn)定，當(dāng)其失去第三個(gè)電子時(shí)比較困難，而p2＋的基態(tài)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d6，其3d能級(jí)再失去一個(gè)電子即為半充滿結(jié)構(gòu)，形成相對(duì)比較穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，故其失去第三個(gè)電子比較容易。(5)第三周期8種元素分別為鈉、鎂、鋁、硅、磷、硫、氯、氬，其單質(zhì)中鈉、鎂、鋁形成金屬晶體，熔點(diǎn)依次升高；硅形成原子晶體；磷、硫、氯、氬形成分子晶體，且常溫下磷、硫?yàn)楣腆w，氯氣、氬為氣體，故8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)楣?、鋁、鎂、硫、磷、鈉、氯、氬，其中電負(fù)性最大的為氯。(6)由圖可知，該元素的電離能I4遠(yuǎn)大于I3，故為第ⅢA族元素，元素周期表中所列的第ⅢA族元素i屬于第三周期，應(yīng)為Al。